[發(fā)明專利]通過靜電紡絲沉積聚合物膜

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280030696.1
• 申請日: 2012-06-18
• 公開（公告）號: CN103608385A
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 蘇克蒂·查特吉
• 申請（專利權(quán)）人: 應(yīng)用材料公司
• 主分類號: C08J5/18
• 分類號: C08J5/18;D04H1/4382;D04H1/728;D01D5/00
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種用于沉積介電膜的方法，所述方法包含：

流動液態(tài)聚合物前驅(qū)物材料穿過與基板間隔開的孔口，所述液態(tài)聚合物前驅(qū)物材料將沉積于所述基板上；

在所述孔口與所述基板之間提供電位差，以朝向所述基板吸引所述液態(tài)聚合物并在所述基板上形成沉積的材料；以及

固化所述沉積的材料，以在所述基板上形成介電膜。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，進一步包含：

在流動所述液態(tài)聚合物前驅(qū)物材料穿過所述孔口之前，將所述基板設(shè)置于基板支撐件上。

3.如權(quán)利要求2所述的方法，進一步包含：

將第一電極與所述孔口連接且將第二電極與所述基板支撐件連接，用以在所述孔口與所述基板支撐件之間產(chǎn)生電位差。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，進一步包含：

在室溫下流動所述液態(tài)聚合物前驅(qū)物材料穿過所述孔口。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，進一步包含：

流動所述液態(tài)聚合物前驅(qū)物材料穿過與所述基板間隔開的多個孔口。

6.如權(quán)利要求1至5的任一項所述的方法，進一步包含：

固化所述沉積的材料，以形成具有小于2的介電常數(shù)的介電膜。

7.如權(quán)利要求1至5的任一項所述的方法，其中所述液態(tài)聚合物沉積在所述基板上成為纖維，且其中纖維的重疊股紗(strands)形成所述介電膜。

8.如權(quán)利要求1至5的任一項所述的方法，其中所述介電膜包含聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene)或聚乙烯吡咯烷酮(polyvinylpyrrolidone)至少之一。

9.如權(quán)利要求1至5的任一項所述的方法，進一步包含以下至少之一：

沿垂直方向或水平方向的至少一個方向移動所述孔口，同時流動所述液態(tài)聚合物前驅(qū)物穿過所述孔口；或

其中將所述基板設(shè)置于基板支撐件上，且進一步包含：沿垂直方向或水平方向的至少一個方向移動所述基板支撐件，同時流動所述液態(tài)聚合物前驅(qū)物穿過所述孔口。

10.一種超低K介電膜，所述膜包含：

多個固化的納米纖維，所述納米纖維形成具有小于2的介電常數(shù)的膜。

11.如權(quán)利要求10所述的超低K介電膜，其中所述納米纖維包含聚四氟乙烯或聚乙烯吡咯烷酮。

12.如權(quán)利要求10或11所述的超低K介電膜，進一步包含：

基板，所述基板具有沉積于所述基板上的所述多個固化的納米纖維。

13.如權(quán)利要求12所述的超低K介電膜，其中所述基板包含半導(dǎo)體基板、玻璃板或電子器件的一部分。

14.一種用于沉積介電膜的設(shè)備，所述設(shè)備包含：

腔室主體，所述腔室主體界定內(nèi)部容積；

基板支撐件，所述基板支撐件設(shè)置在所述內(nèi)部容積中；

儲存器，所述儲存器耦接至所述腔室主體，以儲存液態(tài)聚合物前驅(qū)物材料；

孔口，所述孔口耦接至所述儲存器，其中所述孔口朝下伸至所述腔室主體的所述內(nèi)部容積中，且所述孔口在所述基板支撐件之上；

第一電極和第二電極，所述第一電極耦接至所述孔口，所述第二電極耦接至所述基板支撐件，以在處理期間于所述孔口與所述基板支撐件之間產(chǎn)生電位差；以及

泵，所述泵耦接至所述儲存器，以抽取所述液態(tài)聚合物前驅(qū)物材料穿過所述孔口。

15.如權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其中所述基板支撐件或所述孔口至少之一可沿垂直方向或水平方向的至少一個方向相對于彼此移動。