[發明專利]用于氣相沉積應用的測量設備和方法有效
| 申請號: | 201280030459.5 | 申請日: | 2012-04-16 |
| 公開(公告)號: | CN103608484A | 公開(公告)日: | 2014-02-26 |
| 發明(設計)人: | J.克里內;J.埃塞 | 申請(專利權)人: | 皇家飛利浦有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/54 | 分類號: | C23C14/54 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李舒;汪揚 |
| 地址: | 荷蘭艾*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 沉積 應用 測量 設備 方法 | ||
1.?一種用于在氣相沉積應用中、特別是在有機發光二極管(OLED)大規模生產中確定第一蒸發源(11)的沉積速率或通過所述第一蒸發源(11)沉積在襯底(20)上的層(20a)的厚度的測量設備(40),所述設備包括:
移動元件(41),用于提供蒸汽的至少一個薄膜(41a)能夠被沉積在其上的表面,其中所述薄膜(41a)將通過第二蒸發源(12b)在沉積位置(D1)中被沉積;
厚度檢測器(45),用于檢測沉積在所述移動元件(41)上的薄膜(41a)厚度,其中所述厚度檢測器(45)被與所述移動元件(41)面對面布置在檢測位置(D2)處,沉積在所述移動元件(41)上的薄膜的厚度將在所述檢測位置(D2)中被檢測;
致動器裝置(43),用于輸送所述移動元件(41);
其中,所述測量設備(40)被布置成將所述移動元件(41)從所述沉積位置(D1)提供到所述檢測位置(D2),以及
其中,所述測量設備(40)被進一步布置成依賴于通過所述第二蒸發源(12b)沉積在所述移動元件(41)上的所述至少一個薄膜(41a)的厚度來測量和/或控制所述第一蒸發源(11)的沉積。
2.?根據權利要求1所述的設備,
其中,所述測量設備(40)被進一步布置成在特定時間延遲(Δt)內將所述移動元件(41)從所述沉積位置(D1)提供到所述檢測位置(D2);以及
其中對于檢測的特定時刻(td2)來說,所述測量設備(40)被進一步布置成使所述移動元件(41)的特定表面區域與沉積的時刻(td1)相關,以便所述薄膜在這個表面區域中的厚度能夠被與沉積的所述時刻(td1)相關地檢測。
3.?根據權利要求2所述的設備,其中所述設備(40)被布置成參考在所述沉積位置(D1)處的沉積點(411)和在所述檢測位置(D2)處的檢測點(451)來調整沉積的所述時刻(td1)與檢測的所述時刻(td2)之間的時間延遲(Δt),并且其中所述時間延遲(Δt)是在數秒鐘至數分鐘的范圍內。
4.?根據權利要求1所述的設備,其中所述致動器裝置(43)被布置成調整運輸的速度,其中所述厚度檢測器(45)被布置成光學上檢測所述薄膜的厚度,其中所述致動器裝置(43)包括進給裝置(43a)和暗盒(43b),并且其中所述薄膜的最佳厚度的厚度值(vt)是在約10至200?nm的范圍內。
5.?根據權利要求1所述的設備,其中所述致動器裝置(43)被以包括進給裝置(43a)、暗盒(43b)以及至少一個偏轉滑輪(42)的盒式帶系統的形式提供,
其中,所述移動元件(41)是以帶子的形式提供的帶式輸送機,
以及其中,所述帶式輸送機被布置成操控具有10至200?nm的厚度的薄膜。
6.?一種包括根據權利要求1的測量設備(40)的蒸發裝置(10),其進一步包括以具有用于將至少一個層沉積在襯底(20)上的多個噴淋噴嘴(11a)的噴淋頭(11)為形式的第一蒸發源,以及用于將至少一個薄膜沉積在由所述測量設備(40)所提供的所述移動元件(41)上的第二蒸發源(12b),
其中,由所述測量設備(40)所提供的所述致動器裝置(43)被布置成在所述第二蒸發源(12b)旁邊來輸送所述移動元件(41),以便薄膜能夠被沉積在所述移動元件(41)上,以及
其中,所述蒸發裝置(10)被布置成獨立于沉積在所述襯底(20)上的任何層的厚度來在所述移動元件(41)上提供薄膜厚度。
7.?根據權利要求6所述的蒸發裝置(10),其中所述移動元件(41)被布置成提供這樣的表面,薄膜能夠通過所述第二蒸發源(12b)、與在所述襯底(20)上的層的沉積同時地被沉積在所述表面上,其以與所述襯底(20)的進給速率相同的進給速率進行沉積,以便運輸的速度對應于所述襯底(20)的進給速率;以及
其中,所述裝置(10)被布置成特別地基于由所述測量設備(40)所提供的特定時間延遲(Δt)信息來使所測量的薄膜厚度與通過所述第一蒸發源(11)沉積在所述襯底(20)上的層(20a)的厚度相關以便確定所述層(20a)的厚度。
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