[發明專利]用于氣相沉積應用的測量設備和方法

有效

• 申請號: 201280030459.5
• 申請日: 2012-04-16
• 公開（公告）號: CN103608484A
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發明（設計）人: J.克里內;J.埃塞
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦有限公司
• 主分類號: C23C14/54
• 分類號: C23C14/54
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 李舒;汪揚

1.?一種用于在氣相沉積應用中、特別是在有機發光二極管(OLED)大規模生產中確定第一蒸發源(11)的沉積速率或通過所述第一蒸發源(11)沉積在襯底(20)上的層(20a)的厚度的測量設備(40)，所述設備包括：

移動元件(41)，用于提供蒸汽的至少一個薄膜(41a)能夠被沉積在其上的表面，其中所述薄膜(41a)將通過第二蒸發源(12b)在沉積位置(D1)中被沉積；

厚度檢測器(45)，用于檢測沉積在所述移動元件(41)上的薄膜(41a)厚度，其中所述厚度檢測器(45)被與所述移動元件(41)面對面布置在檢測位置(D2)處，沉積在所述移動元件(41)上的薄膜的厚度將在所述檢測位置（D2）中被檢測；

致動器裝置(43)，用于輸送所述移動元件(41)；

其中，所述測量設備(40)被布置成將所述移動元件(41)從所述沉積位置(D1)提供到所述檢測位置(D2)，以及

其中，所述測量設備(40)被進一步布置成依賴于通過所述第二蒸發源(12b)沉積在所述移動元件(41)上的所述至少一個薄膜(41a)的厚度來測量和/或控制所述第一蒸發源(11)的沉積。

2.?根據權利要求1所述的設備，

其中，所述測量設備(40)被進一步布置成在特定時間延遲(Δ_t)內將所述移動元件(41)從所述沉積位置(D1)提供到所述檢測位置(D2)；以及

其中對于檢測的特定時刻(t_d2)來說，所述測量設備(40)被進一步布置成使所述移動元件(41)的特定表面區域與沉積的時刻(t_d1)相關，以便所述薄膜在這個表面區域中的厚度能夠被與沉積的所述時刻(t_d1)相關地檢測。

3.?根據權利要求2所述的設備，其中所述設備(40)被布置成參考在所述沉積位置(D1)處的沉積點(411)和在所述檢測位置(D2)處的檢測點(451)來調整沉積的所述時刻(t_d1)與檢測的所述時刻(t_d2)之間的時間延遲(Δ_t)，并且其中所述時間延遲(Δ_t)是在數秒鐘至數分鐘的范圍內。

4.?根據權利要求1所述的設備，其中所述致動器裝置(43)被布置成調整運輸的速度，其中所述厚度檢測器(45)被布置成光學上檢測所述薄膜的厚度，其中所述致動器裝置(43)包括進給裝置(43a)和暗盒(43b)，并且其中所述薄膜的最佳厚度的厚度值(v_t)是在約10至200?nm的范圍內。

5.?根據權利要求1所述的設備，其中所述致動器裝置(43)被以包括進給裝置(43a)、暗盒(43b)以及至少一個偏轉滑輪(42)的盒式帶系統的形式提供，

其中，所述移動元件(41)是以帶子的形式提供的帶式輸送機，

以及其中，所述帶式輸送機被布置成操控具有10至200?nm的厚度的薄膜。

6.?一種包括根據權利要求1的測量設備(40)的蒸發裝置(10)，其進一步包括以具有用于將至少一個層沉積在襯底(20)上的多個噴淋噴嘴(11a)的噴淋頭(11)為形式的第一蒸發源，以及用于將至少一個薄膜沉積在由所述測量設備(40)所提供的所述移動元件(41)上的第二蒸發源(12b)，

其中，由所述測量設備(40)所提供的所述致動器裝置(43)被布置成在所述第二蒸發源(12b)旁邊來輸送所述移動元件(41)，以便薄膜能夠被沉積在所述移動元件(41)上，以及

其中，所述蒸發裝置(10)被布置成獨立于沉積在所述襯底(20)上的任何層的厚度來在所述移動元件(41)上提供薄膜厚度。

7.?根據權利要求6所述的蒸發裝置(10)，其中所述移動元件(41)被布置成提供這樣的表面，薄膜能夠通過所述第二蒸發源(12b)、與在所述襯底(20)上的層的沉積同時地被沉積在所述表面上，其以與所述襯底(20)的進給速率相同的進給速率進行沉積，以便運輸的速度對應于所述襯底(20)的進給速率；以及

其中，所述裝置(10)被布置成特別地基于由所述測量設備(40)所提供的特定時間延遲(Δ_t)信息來使所測量的薄膜厚度與通過所述第一蒸發源(11)沉積在所述襯底(20)上的層(20a)的厚度相關以便確定所述層(20a)的厚度。