[發(fā)明專利]用于氣相沉積應(yīng)用的測量設(shè)備和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201280030459.5 | 申請日: | 2012-04-16 |
| 公開(公告)號: | CN103608484A | 公開(公告)日: | 2014-02-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | J.克里內(nèi);J.埃塞 | 申請(專利權(quán))人: | 皇家飛利浦有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/54 | 分類號: | C23C14/54 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李舒;汪揚(yáng) |
| 地址: | 荷蘭艾*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 沉積 應(yīng)用 測量 設(shè)備 方法 | ||
1.?一種用于在氣相沉積應(yīng)用中、特別是在有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)大規(guī)模生產(chǎn)中確定第一蒸發(fā)源(11)的沉積速率或通過所述第一蒸發(fā)源(11)沉積在襯底(20)上的層(20a)的厚度的測量設(shè)備(40),所述設(shè)備包括:
移動元件(41),用于提供蒸汽的至少一個薄膜(41a)能夠被沉積在其上的表面,其中所述薄膜(41a)將通過第二蒸發(fā)源(12b)在沉積位置(D1)中被沉積;
厚度檢測器(45),用于檢測沉積在所述移動元件(41)上的薄膜(41a)厚度,其中所述厚度檢測器(45)被與所述移動元件(41)面對面布置在檢測位置(D2)處,沉積在所述移動元件(41)上的薄膜的厚度將在所述檢測位置(D2)中被檢測;
致動器裝置(43),用于輸送所述移動元件(41);
其中,所述測量設(shè)備(40)被布置成將所述移動元件(41)從所述沉積位置(D1)提供到所述檢測位置(D2),以及
其中,所述測量設(shè)備(40)被進(jìn)一步布置成依賴于通過所述第二蒸發(fā)源(12b)沉積在所述移動元件(41)上的所述至少一個薄膜(41a)的厚度來測量和/或控制所述第一蒸發(fā)源(11)的沉積。
2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,
其中,所述測量設(shè)備(40)被進(jìn)一步布置成在特定時間延遲(Δt)內(nèi)將所述移動元件(41)從所述沉積位置(D1)提供到所述檢測位置(D2);以及
其中對于檢測的特定時刻(td2)來說,所述測量設(shè)備(40)被進(jìn)一步布置成使所述移動元件(41)的特定表面區(qū)域與沉積的時刻(td1)相關(guān),以便所述薄膜在這個表面區(qū)域中的厚度能夠被與沉積的所述時刻(td1)相關(guān)地檢測。
3.?根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備,其中所述設(shè)備(40)被布置成參考在所述沉積位置(D1)處的沉積點(diǎn)(411)和在所述檢測位置(D2)處的檢測點(diǎn)(451)來調(diào)整沉積的所述時刻(td1)與檢測的所述時刻(td2)之間的時間延遲(Δt),并且其中所述時間延遲(Δt)是在數(shù)秒鐘至數(shù)分鐘的范圍內(nèi)。
4.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述致動器裝置(43)被布置成調(diào)整運(yùn)輸?shù)乃俣龋渲兴龊穸葯z測器(45)被布置成光學(xué)上檢測所述薄膜的厚度,其中所述致動器裝置(43)包括進(jìn)給裝置(43a)和暗盒(43b),并且其中所述薄膜的最佳厚度的厚度值(vt)是在約10至200?nm的范圍內(nèi)。
5.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述致動器裝置(43)被以包括進(jìn)給裝置(43a)、暗盒(43b)以及至少一個偏轉(zhuǎn)滑輪(42)的盒式帶系統(tǒng)的形式提供,
其中,所述移動元件(41)是以帶子的形式提供的帶式輸送機(jī),
以及其中,所述帶式輸送機(jī)被布置成操控具有10至200?nm的厚度的薄膜。
6.?一種包括根據(jù)權(quán)利要求1的測量設(shè)備(40)的蒸發(fā)裝置(10),其進(jìn)一步包括以具有用于將至少一個層沉積在襯底(20)上的多個噴淋噴嘴(11a)的噴淋頭(11)為形式的第一蒸發(fā)源,以及用于將至少一個薄膜沉積在由所述測量設(shè)備(40)所提供的所述移動元件(41)上的第二蒸發(fā)源(12b),
其中,由所述測量設(shè)備(40)所提供的所述致動器裝置(43)被布置成在所述第二蒸發(fā)源(12b)旁邊來輸送所述移動元件(41),以便薄膜能夠被沉積在所述移動元件(41)上,以及
其中,所述蒸發(fā)裝置(10)被布置成獨(dú)立于沉積在所述襯底(20)上的任何層的厚度來在所述移動元件(41)上提供薄膜厚度。
7.?根據(jù)權(quán)利要求6所述的蒸發(fā)裝置(10),其中所述移動元件(41)被布置成提供這樣的表面,薄膜能夠通過所述第二蒸發(fā)源(12b)、與在所述襯底(20)上的層的沉積同時地被沉積在所述表面上,其以與所述襯底(20)的進(jìn)給速率相同的進(jìn)給速率進(jìn)行沉積,以便運(yùn)輸?shù)乃俣葘?yīng)于所述襯底(20)的進(jìn)給速率;以及
其中,所述裝置(10)被布置成特別地基于由所述測量設(shè)備(40)所提供的特定時間延遲(Δt)信息來使所測量的薄膜厚度與通過所述第一蒸發(fā)源(11)沉積在所述襯底(20)上的層(20a)的厚度相關(guān)以便確定所述層(20a)的厚度。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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