[發明專利]半導體激光元件有效
| 申請號: | 201280029817.0 | 申請日: | 2012-07-04 |
| 公開(公告)號: | CN103608986A | 公開(公告)日: | 2014-02-26 |
| 發明(設計)人: | 枡井真吾;川田康博;藤本英之;道上敦生 | 申請(專利權)人: | 日亞化學工業株式會社 |
| 主分類號: | H01S5/22 | 分類號: | H01S5/22;H01S5/022 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 樊建中 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 激光 元件 | ||
技術領域
本發明是關于一種半導體激光元件。
背景技術
作為用以提高半導體激光元件的散熱性的方法,已知有向下連接(Junction-Down)接合的方法。所謂向下連接接合是將形成有隆脊(ridge)的一側安裝于次載具(sub-mount)等的方法(例如專利文獻1)。
先行技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2004-140141號公報
發明內容
發明所要解決的課題
然而,在進行向下連接接合的情況下會產生各種問題。例如,專利文獻1的段落13中,記載著隆脊為凸狀故相對于次載具而言半導體激光元件易傾斜等情況。
本發明是鑒于上述問題而完成的,目的在于提供一種能夠抑制向下連接接合時的傾斜,且散熱性較高的隆脊型半導體激光元件。
解決課題的手段
本發明的半導體激光元件,具備:
基板;半導體部,其設置于上述基板上且在上述基板的相反側的面具有隆脊;電極,其設置于上述隆脊上;絕緣膜,其設置于上述隆脊的兩側的半導體部上;及焊墊電極,其設置于上述電極上;該半導體激光元件將上述焊墊電極側作為安裝面側,
上述半導體激光元件的特征在于,
上述焊墊電極在上述絕緣膜上延伸設置;
在上述半導體部與上述焊墊電極之間的與上述隆脊分離的一部分設置有隔板部。
發明的效果
如以上所構成的本發明的半導體激光元件,在基板上向下連接安裝時,利用隆脊上的焊墊電極表面與設置于從上述隆脊離開的位置上的隔板部上的焊墊電極表面,而支撐于支撐構件上,故可抑制向下連接接合時的傾斜。
即,在未設置隔板部的情況下,因隆脊兩側較低故以隆脊為中心進行搖動,從而產生傾斜。
然而,如本發明,通過在從隆脊離開的位置上設置隔板部,在安裝時至少可利用隆脊與隔板部予以支撐,故可抑制向下連接接合時的傾斜。
再者,本發明的半導體激光元件,在上述半導體部與上述焊墊電極之間的從上述隆脊離開的一部分上設置有隔板部,故不會如在隆脊兩側的大致整面形成隔板部時般使散熱性惡化。
附圖說明
圖1是實施方式1的半導體激光元件的俯視圖。
圖2是圖1的一點點劃線A-A′部的剖面圖。
圖3是圖1的一點點劃線B-B′部的剖面圖。
圖4是圖1的一點點劃線C-C′部的剖面圖。
圖5是圖1的一點點劃線D-D′部的剖面圖。
圖6是顯示將實施方式1的半導體激光元件進行了向下連接安裝的狀態的圖。
圖7是實施方式2的半導體激光元件的俯視圖。
圖8是顯示實施例及比較例的過渡熱阻測定結果的圖表。
圖9是顯示實施例及比較例的I-L特性的圖表。
圖10是顯示實施例及比較例的壽命特性的圖表。
圖11是比較例的半導體激光元件的俯視圖。
圖12是在形成反射鏡的步驟中,觀察本發明的半導體激光元件的反射端面的端面圖。
圖13是在形成反射鏡的步驟中,觀察現有的半導體激光元件的反射端面的端面圖。
具體實施方式
以下,一面參照附圖一面就用以實施本發明的半導體激光元件的方式進行說明。但以下所示的方式,是用以將本發明的技術思想具體化的例示,并非將本發明限定于以下方式。此外,各附圖所示構件的位置或大小等,為作明確說明而有夸大的情況。關于相同名稱、符號,原則上表示相同或者同質的構件,重復的說明適當省略。
將從上方觀察本發明的一實施方式的端面發光型的半導體激光元件100的俯視圖顯示于圖1,將圖1的一點點劃線A-A′部的剖面圖顯示于圖2,將圖1的一點點劃線B-B′部的剖面圖顯示于圖3,將圖1的一點點劃線C-C′部的剖面圖顯示于圖4,將圖1的一點點劃線D-D′部的剖面圖顯示于圖5。此處,為方便說明,本說明書將圖2至4所示的剖面圖的下側表述為“下”且將上側表述為“上”。但,只要該等的位置關系為相對關系即可,例如將各圖上下逆轉也屬本發明的范圍內,此點不言而喻。
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