[發(fā)明專利]導(dǎo)電性氧化物及其制造方法以及氧化物半導(dǎo)體膜

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280029318.1
• 申請日: 2012-06-12
• 公開（公告）號(hào): CN103608310A
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宮永美紀(jì);曾我部浩一;粟田英章;岡田浩;吉村雅司
• 申請（專利權(quán)）人: 住友電氣工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C04B35/00
• 分類號(hào): C04B35/00;C01G15/00;C04B35/44;C23C14/08;C23C14/34;H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 金龍河;穆德駿

1.一種導(dǎo)電性氧化物，其包含In、Al、選自由Zn和Mg組成的組中的至少一種元素M以及O并且包含結(jié)晶質(zhì)Al₂MO₄。

2.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性氧化物，其中，包含結(jié)晶質(zhì)Al₂ZnO₄作為所述結(jié)晶質(zhì)Al₂MO₄。

3.如權(quán)利要求2所述的導(dǎo)電性氧化物，其中，所述結(jié)晶質(zhì)Al₂ZnO₄在所述導(dǎo)電性氧化物的截面積中所占的比例為10%以上且60%以下。

4.如權(quán)利要求2或3所述的導(dǎo)電性氧化物，其還包含選自由結(jié)晶質(zhì)In₂Al_2(1-m)Zn_1-qO_7-p(0≤m＜1、0≤q＜1、0≤p≤3m＋q)和結(jié)晶質(zhì)In₂O₃組成的組中的至少一種結(jié)晶質(zhì)。

5.如權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電性氧化物，其中，包含結(jié)晶質(zhì)Al₂MgO₄作為所述結(jié)晶質(zhì)Al₂MO₄。

6.如權(quán)利要求5所述的導(dǎo)電性氧化物，其中，所述結(jié)晶質(zhì)Al₂MgO₄在所述導(dǎo)電性氧化物的截面積中所占的比例為2%以上且60%以下。

7.如權(quán)利要求5或6所述的導(dǎo)電性氧化物，其還包含選自由結(jié)晶質(zhì)In₂Al_2(1-n)Mg_1-tO_7-s(0≤n＜1、0≤t＜1、0≤s≤3n＋t)和結(jié)晶質(zhì)In₂O₃組成的組中的至少一種結(jié)晶質(zhì)。

8.如權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性氧化物，其中，在將In、Al和M的總原子比率設(shè)為100原子%時(shí)，包含10～50原子%的In、10～50原子%的Al和15～40原子%的M。

9.如權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性氧化物，其還包含選自由N、Al、Si、Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Sn和Bi組成的組中的至少一種添加元素。

10.如權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性氧化物，其用于濺射法的靶。

11.一種氧化物半導(dǎo)體膜，其使用權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的導(dǎo)電性氧化物而形成。

12.一種導(dǎo)電性氧化物的制造方法，其包括：

在將選自由Zn和Mg組成的組中的至少一種元素設(shè)為M時(shí)，制備包含Al₂O₃粉末和MO粉末的第一混合物的工序(S10)；

通過對所述第一混合物進(jìn)行煅燒而制作結(jié)晶質(zhì)Al₂MO₄粉末的工序(S20)；

制備包含所述結(jié)晶質(zhì)Al₂MO₄粉末和In₂O₃粉末的第二混合物的工序(S30)；

通過對所述第二混合物進(jìn)行成形而得到成形體的工序(S40)；以及

對所述成形體進(jìn)行燒結(jié)的工序(S50)。

13.如權(quán)利要求12所述的導(dǎo)電性氧化物的制造方法，其中，所述MO粉末為ZnO粉末，所述結(jié)晶質(zhì)Al₂MO₄粉末為結(jié)晶質(zhì)Al₂ZnO₄粉末，在制作所述結(jié)晶質(zhì)Al₂ZnO₄粉末的工序(S20)中的所述第一混合物的煅燒溫度為800℃以上且低于1200℃，在對所述成形體進(jìn)行燒結(jié)的工序(S50)中的所述成形體的燒結(jié)溫度為1280℃以上且低于1500℃。

14.如權(quán)利要求12所述的導(dǎo)電性氧化物的制造方法，其中，所述MO粉末為MgO粉末，所述結(jié)晶質(zhì)Al₂MO₄粉末為結(jié)晶質(zhì)Al₂MgO₄粉末，在制作所述結(jié)晶質(zhì)Al₂MgO₄粉末的工序(S20)中的所述第一混合物的煅燒溫度為800℃以上且低于1200℃，在對所述成形體進(jìn)行燒結(jié)的工序(S50)中的所述成形體的燒結(jié)溫度為1300℃以上且1500℃以下。