[發(fā)明專利]在裁切晶粒附著膜或其它材料層之前，蝕刻激光切割半導(dǎo)體

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280028965.0
• 申請(qǐng)日: 2012-06-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103703554A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 達(dá)瑞·S·芬恩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 伊雷克托科學(xué)工業(yè)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/78
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/78;H01L21/301
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

1.一種裁切半導(dǎo)體晶圓的方法，所述半導(dǎo)體晶圓包含一頂端表面與一底部表面，所述底部表面會(huì)被附著至一下方材料層，所述方法包括：

產(chǎn)生一第一激光射束；

讓所述第一激光射束相對(duì)于所述半導(dǎo)體晶圓的所述頂端表面進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)，以便沿著一或多條裁切道從所述頂端表面處至少部分裁切所述半導(dǎo)體晶圓，所述第一激光射束會(huì)在所述半導(dǎo)體晶圓之中形成由側(cè)壁所定義的一切口；

蝕刻已至少部分裁切的所述半導(dǎo)體晶圓的所述側(cè)壁，用以縮減或移除因所述第一激光射束在所述側(cè)壁之中所產(chǎn)生的一熱影響區(qū)帶(HAZ)；以及

沿著一或多條所述裁切道來(lái)切割貫穿所述下方材料層，以便將一晶粒與具有至少一預(yù)設(shè)晶粒破損強(qiáng)度的所述半導(dǎo)體晶圓分離并且產(chǎn)生至少等于一預(yù)設(shè)最小良率的操作晶粒的一良率，

所述側(cè)壁蝕刻是在切割貫穿所述下方材料層之前先被實(shí)施，以便在所述側(cè)壁的蝕刻期間減少或防止所述側(cè)壁上來(lái)自所述下方材料層的碎屑。

2.如權(quán)利要求1的方法，其中，所述下方材料層包括一晶粒附著膜(DAF)。

3.如權(quán)利要求2的方法，其中，切割貫穿所述下方材料層包括：

產(chǎn)生一第二激光射束；以及

讓所述第二激光射束沿著一或多條所述裁切道相對(duì)于所述DAF進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)。

4.如權(quán)利要求3的方法，其中，所述第一激光射束包括具有一紫外光(UV)波長(zhǎng)以及選擇自由包括奈秒時(shí)間脈沖寬度與皮秒時(shí)間脈沖寬度的群組中的時(shí)間脈沖寬度的一脈沖式激光射束。

5.如權(quán)利要求4的方法，其中，所述第二激光射束包括具有一可見(jiàn)光波長(zhǎng)以及奈秒時(shí)間脈沖寬度的一脈沖式激光射束。

6.如權(quán)利要求2的方法，其中，蝕刻所述側(cè)壁包括利用被配置成用以從所述半導(dǎo)體晶圓處移除半導(dǎo)體材料的一第一蝕刻劑；以及

其中，切割貫穿所述下方材料層則包含利用被配置成用以移除所述DAF材料的一第二蝕刻劑。

7.如權(quán)利要求6的方法，其中，所述第一蝕刻劑包括一自發(fā)性蝕刻劑。

8.如權(quán)利要求7的方法，其中，所述自發(fā)性蝕刻劑包括二氟化氙(XeF₂)。

9.如權(quán)利要求6的方法，其中，所述第二蝕刻劑包括一氧化物蝕刻劑。

10.如權(quán)利要求1的方法，其中，所述頂端表面包括一或多個(gè)裝置層，其包含由多個(gè)彼此隔開(kāi)的電子電路器件所組成的一圖樣，所述電子電路器件通過(guò)一或多條線道來(lái)分離，所述方法進(jìn)一步包括：

在產(chǎn)生所述第一激光射束之前，涂敷一涂層至所述半導(dǎo)體晶圓，以便保護(hù)所述半導(dǎo)體晶圓，使其不會(huì)受到所述第一激光射束所產(chǎn)生的碎屑的影響；

在所述第一激光射束沿著一或多條所述裁切道進(jìn)行第一次移動(dòng)中，切劃一或多個(gè)所述裝置層；以及

在所述第一激光射束沿著一或多條所述線道進(jìn)行第二次移動(dòng)中至少部分裁切所述半導(dǎo)體晶圓之后并且在蝕刻所述側(cè)壁之前，清洗所述半導(dǎo)體晶圓，以便移除所述涂層。

11.如權(quán)利要求1的方法，其中，所述下方材料層包括一金屬。

12.如權(quán)利要求11的方法，其中，切割貫穿所述下方材料層包括：

產(chǎn)生一第二激光射束；以及

讓所述第二激光射束沿著一或多條所述裁切道相對(duì)于所述金屬進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)。

13.如權(quán)利要求11的方法，其中，蝕刻所述側(cè)壁包括利用被配置成用以從所述半導(dǎo)體晶圓處移除半導(dǎo)體材料的一第一蝕刻劑；以及

其中，切割貫穿所述下方材料層則包含利用被配置成用以移除所述金屬的一第二蝕刻劑。