[發明專利]紋理結構的形成方法以及太陽能電池的制造方法

無效

• 申請號: 201280028505.8
• 申請日: 2012-04-04
• 公開（公告）號: CN103597586A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 高橋優;樋口將史;長沼有佑;澤田幸平
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L21/318
• 分類號: H01L21/318;H01L21/306;H01L31/04
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 岳雪蘭

1.一種紋理結構（3）的形成方法，其特征在于，包括：

在厚度300μm以下的半導體基板（1）的一個表面即第一表面（1a）形成氮化硅膜（2）的工序；

通過蝕刻與所述半導體基板（1）的所述第一表面（1a）相反一側的第二表面（1b）來形成紋理結構（3）的工序；

所述氮化硅膜（2）的氮原子相對于硅原子的含有比率為1.3以上2以下。

2.如權利要求1所述的紋理結構（3）的形成方法，其特征在于，還包括：

使用氟化氫水溶液除去所述氮化硅膜（2）的工序。

3.如權利要求1或2所述的紋理結構（3）的形成方法，其特征在于，

在形成所述氮化硅膜（2）的工序中，將所述氮化硅膜（2）形成為10nm以上40nm以下的厚度。

4.如權利要求1至3中任一項所述的紋理結構（3）的形成方法，其特征在于，

在形成所述氮化硅膜（2）的工序中，通過等離子體CVD法或者濺射法形成所述氮化硅膜（2）。

5.如權利要求4所述的紋理結構（3）的形成方法，其特征在于，

通過供給硅烷氣作為硅源、供給氨氣作為氮源來進行所述等離子體CVD法，

以所述氨氣相對于所述硅烷氣的體積比為6以上12以下的方式分別供給所述硅烷氣及所述氨氣。

6.如權利要求4所述的紋理結構（3）的形成方法，其特征在于，

通過在含有氮氣或氨氣中的任一方或者雙方的氣體介質中、或者在含有氮氣或氨氣中的任一方或者雙方和稀有氣體的氣體介質中對靶材進行濺射，來進行所述濺射法。

7.一種太陽能電池的制造方法，其特征在于，包括：

在厚度300μm以下的硅基板（1）的一個表面即第一表面（1a）形成氮化硅膜（2）的工序；

通過蝕刻與所述硅基板（1）的所述第一表面（1a）相反一側的第二表面（1b）來形成紋理結構（3）的工序；

使用氟化氫水溶液除去所述氮化硅膜（2）的工序；

在所述硅基板（1）的所述第一表面（1a）形成雜質擴散層（5,6）的工序；

在所述雜質擴散層（5,6）上形成電極（11,12）的工序；

所述氮化硅膜（2）的氮原子相對于硅原子的含有比率為1.3以上2以下。

8.如權利要求7所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，

在形成所述氮化硅膜（2）的工序中，將所述氮化硅膜（2）形成為10nm以上40nm以下的厚度。

9.如權利要求7或8所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，

在形成所述氮化硅膜（2）的工序中，通過等離子體CVD法或者濺射法形成所述氮化硅膜（2）。

10.如權利要求9所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，

通過供給硅烷氣作為硅源、供給氨氣作為氮源來進行所述等離子體CVD法，

以所述氨氣相對于所述硅烷氣的體積比為6以上12以下的方式分別供給所述硅烷氣及所述氨氣。

11.如權利要求9所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，

通過在含有氮氣或氨氣中的任一方或者雙方的氣體介質中、或者在含有氮氣或氨氣中的任一方或者雙方和稀有氣體的氣體介質中對硅靶材進行濺射，來進行所述濺射法。