[發明專利]超薄功率晶體管和具有定制占位面積的同步降壓變換器

有效

• 申請號: 201280028281.0
• 申請日: 2012-04-09
• 公開（公告）號: CN103608917B
• 公開（公告）日: 2016-11-16
• 發明（設計）人: J·A·赫爾嵩末;O·J·洛佩斯;J·A·濃趣勒
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/492
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

1.一種場效應晶體管封裝組件，其包括：

引線框；

組裝在所述引線框上的場效應晶體管；以及

封裝所述組裝晶體管的封裝材料，以便第一端子、第二端子和第三端子裸露在所述封裝組件的一側，并且所述第一、第二或第三端子也裸露在所述封裝組件的相反側。

2.根據權利要求1所述的晶體管，其中所述第一端子是源極端，所述第二端子是柵極端，并且所述第三端子是漏極端。

3.一種功率晶體管封裝組件，其包括：

引線框，其包括扁平板片和與所述板片隔開的共面扁平條帶，所述板片具有第一厚度，并且所述條帶具有比所述第一厚度更小的第二厚度，所述板片和條帶具有端子；

具有第三厚度的場效應功率晶體管芯片，第一和第二接觸焊盤在所述芯片一側，并且第三接觸焊盤在所述芯片相反側，所述第一焊盤連接到所述板片，所述第二焊盤連接到所述條帶，并且所述第三焊盤與所述端子共面；以及

封裝化合物，其填充板片與條帶之間厚度差異以及芯片與端子之間的間隔，所述化合物具有與所述板片共面的表面，以及與所述第三焊盤和端子共面的相反表面，所述表面之間的距離等于所述第一和第三厚度的總和。

4.根據權利要求3所述的封裝組件，其進一步包括連接到所述引線框板片的散熱片。

5.根據權利要求3所述的封裝組件，其中所述晶體管焊盤與所述引線框板片以及條帶的連接包括材料層，所述材料層從包括焊料、導電粘合劑、z軸導體、碳管和石墨烯材料組成的組中選擇。

6.根據權利要求5所述的封裝組件，其中通過從包括焊料、導電粘合劑、z軸導體、碳管和石墨烯材料組成的組中選擇的材料層，所述端子連接到所述板片和條帶。

7.根據權利要求3所述的封裝組件，其中所述引線框和端子由相同的金屬制成。

8.根據權利要求3所述的封裝組件，其中所述引線框和端子由不同的金屬制成。

9.根據權利要求3所述的封裝組件，其進一步包括成型為覆蓋所述第三焊盤和端子的沉積金屬層。

10.根據權利要求9所述的封裝組件，其中所述沉積層的金屬從包括錫、銅，銅、鎳和錫的連續層，銅、鎳和金的連續層以及難熔金屬（refractory?metal）和鋁的連續層組成的組中選擇。

11.根據權利要求10所述的封裝組件，其中所述沉積金屬層以定制的圖樣模式成型。

12.根據權利要求3所述的封裝組件，其中所述封裝組件不用金屬夾子和線。

13.一種用于制造功率場效應晶體管封裝組件的方法，其包括步驟：

提供引線框，所述引線框包括扁平板片和與所述板片隔開的共面扁平條帶，所述板片具有第一厚度，并且所述條帶具有比所述第一厚度更小的第二厚度；

提供場效應晶體管，所述場效應晶體管具有第三厚度，在所述芯片一側上的第一和第二接觸焊盤，以及在所述芯片相反側上的第三接觸焊盤；

將所述第一焊盤連接到所述板片，以及將所述第二焊盤連接到所述條帶；

將端子同時連接到所述板片和條帶，以便所述端子與所述第三接觸焊盤共面；以及

用封裝化合物填充板片與條帶之間的厚度差異以及芯片與端子之間的間隔，其中所述封裝化合物具有與所述板片共面的表面和與所述第三焊盤和端子共面的相反表面，其中所述芯片、引線框和端子集成到封裝組件中，所述封裝組件具有等于所述第一和第三厚度總和的厚度。

14.根據權利要求13所述的方法，其中將所述晶體管焊盤與所述引線框板片以及引線框條帶連接的步驟包括從包括焊料、導電粘合劑、z軸導體、碳管和石墨烯材料組成的組中選擇的材料層。

15.根據權利要求14所述的方法，其中將所述端子與所述引線框板片以及引線框條帶的連接的步驟包括從包括焊料、導電粘合劑、z軸導體、碳管和石墨烯材料組成的組中選擇的材料層。

16.根據權利要求15所述的方法，其中所述沉積方法包括絲網印刷技術。

17.根據權利要求13所述的方法，其進一步包括在所述封裝組件表面上沉積金屬層和成型用于覆蓋所述第三焊盤和所述端子的步驟，其中所述封裝組件表面具有所述第三焊盤和所述端子。