[發(fā)明專利]光學(xué)屏蔽系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201280027166.1 | 申請日： | 2012-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN103765485A | 公開（公告）日： | 2014-04-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | O.卡拉曼吉;A.E.S.奧滋漢;C.杜魯坎;H.亞瓦斯;C.D.厄茲蒂爾塞爾丘克 | 申請（專利權(quán)）人： | 阿塞桑電子莎娜依和提卡瑞特有限公司 |
| 主分類號： | G08B15/00 | 分類號： | G08B15/00;B32B27/00;G02F1/01;G02B27/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李湘;王忠忠 |
| 地址： | 土耳其*** | 國省代碼： | 土耳其;TR |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 光學(xué) 屏蔽 系統(tǒng) | ||
1.一種光學(xué)屏蔽系統(tǒng)，其通過破壞光電設(shè)備的光學(xué)部件阻止對光電設(shè)備的重新使用，其實(shí)質(zhì)上包含：
至少一個光學(xué)組，其由光電系統(tǒng)的光學(xué)部件組成，并且其特征在于：
至少一個破壞單元，其破壞所述光學(xué)組；
至少一個觸發(fā)單元，其激活所述破壞單元；
至少一個管理中心，其向所述觸發(fā)單元發(fā)布命令以啟動光學(xué)屏蔽。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)屏蔽系統(tǒng)，其特征在于，所述光學(xué)組為具有抗反射AR或高反射HR涂層的光學(xué)膜，并且所述破壞單元為電極組件。
3.如前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光學(xué)屏蔽系統(tǒng)，其特征在于，光學(xué)組包含光學(xué)膜和位于該膜上的涂層，它們的膨脹系數(shù)互不相同。
4.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)屏蔽系統(tǒng)，其特征在于，所述光學(xué)組在其結(jié)構(gòu)中具有低熔化溫度的聚合物層，并且所述破壞單元為電極組件。
5.如前述任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的光學(xué)屏蔽系統(tǒng)，其特征在于，所述破壞單元將電壓施加在所述光學(xué)組上。
6.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)屏蔽系統(tǒng)，其特征在于，所述光學(xué)組的光學(xué)膜和/或光學(xué)窗口材料為AgCl，并且所述破壞單元為在紫外線波段發(fā)光的一個或多個二極管。
7.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)屏蔽系統(tǒng)，其特征在于，所述光學(xué)組在其結(jié)構(gòu)中具有KBr，并且所述破壞單元為密封的液體殼體。
8.如權(quán)利要求1和7所述的光學(xué)屏蔽系統(tǒng)，其特征在于，所述破壞單元為密封的液體殼體并且在從所述觸發(fā)單元接收到命令時釋放其中的液體。
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