[發(fā)明專利]圖像中繼波導(dǎo)及其產(chǎn)生方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280025996.0
• 申請日: 2012-05-03
• 公開（公告）號: CN103649823A
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬克·B·史派特茲
• 申請（專利權(quán)）人: 谷歌公司
• 主分類號: G02F1/035
• 分類號: G02F1/035;G02B6/00
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 江葳

1.一種工藝，其包括：

在一材料的襯底的表面上圖案化一個或一個以上反射器，所述表面相對于所述材料的(100)結(jié)晶平面以選定角度定向；及

在所述表面中蝕刻一個或一個以上反射器，每一反射器包含由所述材料的(111)結(jié)晶平面形成的一個或一個以上反射表面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其中圖案化所述一個或一個以上反射器包括：

在所述襯底的所述表面上沉積光致抗蝕劑層；

使所述光致抗蝕劑顯影以暴露所述表面的其中將形成所述反射表面的部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的工藝，其中在所述表面中蝕刻所述一個或一個以上反射器包括選擇性地蝕刻所述表面的所述經(jīng)暴露部分以沿著所述材料的所述(111)平面形成所述一個或一個以上反射表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其中所述材料為可選擇性地蝕刻的任何材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其中所述材料為單晶硅。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的工藝，其進一步包括由從所述材料的晶錠切割的晶片形成所述襯底。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的工藝，其中相對于所述材料的所述(100)平面以所述選定角度從所述晶錠切割所述晶片。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的工藝，其中所述選定角度為小于或等于所述材料的(111)結(jié)晶平面之間的角度的角度。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的工藝，其中所述選定角度為垂直于所述晶片表面定位至少一個(111)平面的角度。

10.一種用于形成經(jīng)模制波導(dǎo)的工藝，所述工藝包括：

制備波導(dǎo)模具，所述波導(dǎo)模具包括母模，所述母模在母模材料的襯底的表面上包含一個或一個以上反射器，所述表面相對于所述材料的(100)結(jié)晶平面以選定角度定向，每一反射器包含由所述材料的(111)結(jié)晶平面形成的一個或一個以上反射表面；

將波導(dǎo)材料注射到所述波導(dǎo)模具中；及

使所述經(jīng)模制波導(dǎo)從所述波導(dǎo)模具脫模。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的工藝，其進一步包括給所述母模的所述表面涂覆防止所述波導(dǎo)材料粘附到所述模具的一層。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的工藝，其進一步包括使所述波導(dǎo)材料固化。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的工藝，其中所述母模材料為單晶硅。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的工藝，其中所述選定角度為所述材料的(111)結(jié)晶平面之間的角度的大致一半。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的工藝，其進一步包括在所述母模的所述表面上沉積涂層，其中所述涂層防止所述經(jīng)模制波導(dǎo)粘附到所述母模。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的工藝，其中所述涂層為金屬、氧化硅、氧化鋁或特氟龍。

17.一種設(shè)備，其包括：

一材料的襯底，所述襯底包含相對于所述材料的(100)結(jié)晶平面以選定角度定向的第一表面；及

一個或一個以上反射器，其形成于所述第一表面中，每一反射器包含由所述材料的(111)結(jié)晶平面形成的一個或一個以上反射表面。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中所述選定角度為(111)結(jié)晶平面之間的角度的大約一半。

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中所述材料為光學(xué)透明的。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的設(shè)備，其中所述襯底包含平行于所述第一表面且與其間隔開的第二表面。