[發(fā)明專利]半導體存儲裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280025590.2
• 申請日: 2012-03-09
• 公開（公告）號: CN103635971A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 出口淳;戶田春希
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社東芝
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務(wù)所 11247
• 代理人: 楊曉光;于靜

1.一種半導體存儲裝置，包括：

存儲單元陣列，其包括多個第一線、與所述第一線交叉的多個第二線、以及在所述多個第一線與所述多個第二線的交叉處設(shè)置的多個存儲單元，所述多個存儲單元通過操作根據(jù)不同的電阻狀態(tài)存儲數(shù)據(jù)；和

寫入電路，其通過操作對所述多個存儲單元中的被定為數(shù)據(jù)寫入目標的、選擇的存儲單元執(zhí)行寫入操作，

所述存儲單元具有用于在施加第一極性的置位電壓時將所述電阻狀態(tài)從第一電阻狀態(tài)改變?yōu)榈诙娮锠顟B(tài)的置位操作、和用于在施加極性與所述第一極性相反的第二極性的復位電壓時將所述電阻狀態(tài)從所述第二電阻狀態(tài)改變?yōu)樗龅谝浑娮锠顟B(tài)的復位操作，并具有不對稱的在所述第一極性上的電壓-電流特性和在所述第二極性上的電壓-電流特性，并且

所述寫入電路，在執(zhí)行所述寫入操作時，

執(zhí)行第一步驟：跨與所述選擇的存儲單元連接的所述第一線和第二線施加電壓，并跨與所述多個存儲單元中的未被定為數(shù)據(jù)寫入目標的、未選擇的存儲單元連接的所述第一線和第二線施加不同的電壓，

在執(zhí)行所述第一步驟之后，執(zhí)行第二步驟：跨與所述選擇的存儲單元連接的所述第一線和第二線施加數(shù)據(jù)寫入所需的電壓，并將與所述未選擇的存儲單元連接的所述第一線和第二線中的至少一個置于浮動狀態(tài)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導體存儲裝置，其中

與所述選擇的存儲單元連接的所述第一線和第二線上的電位分別用U1和V1來表示，并且與所述未選擇的存儲單元連接的所述第一線和第二線上的電位分別用U和V來表示，并且

所述寫入電路，在用于使所述存儲單元受到置位操作的所述寫入操作時，在V–U>V1–U1的條件下執(zhí)行所述第一步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求2的半導體存儲裝置，其中

所述寫入電路，在用于使所述存儲單元受到置位操作的所述寫入操作時，在U1=V1和U<V的條件下執(zhí)行所述第一步驟。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的半導體存儲裝置，其中

與所述選擇的存儲單元連接的所述第一線和第二線上的電位分別用U1和V1來表示，并且與所述未選擇的存儲單元連接的所述第一線和第二線上的電位分別用U和V來表示，并且

所述寫入電路，在用于使所述存儲單元受到復位操作的所述寫入操作時，在V1–U1>V–U的條件下執(zhí)行所述第一步驟。

5.根據(jù)權(quán)利要求4的半導體存儲裝置，其中

所述寫入電路，在用于使所述存儲單元受到復位操作的所述寫入操作時，在V=U和U1<V1的條件下執(zhí)行所述第一步驟。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的半導體存儲裝置，其中

所述寫入電路將與所述多個第二線中的一個第二線連接的多個存儲單元確定為選擇的存儲單元，并對所選擇的多個存儲單元執(zhí)行同時寫入操作。

7.根據(jù)權(quán)利要求6的半導體存儲裝置，其中

所述寫入電路將與所選擇的多個存儲單元相鄰的存儲單元確定為未選擇的存儲單元，并對所選擇的多個存儲單元執(zhí)行同時寫入操作。

8.一種半導體存儲裝置，包括：

存儲單元陣列，其包括多個第一線、與所述第一線交叉的多個第二線、以及在所述多個第一線與所述多個第二線的交叉處設(shè)置的多個存儲單元，所述多個存儲單元通過操作根據(jù)不同的電阻狀態(tài)存儲數(shù)據(jù)；和

寫入電路，其通過操作對所述多個存儲單元中的被定為數(shù)據(jù)寫入目標的、選擇的存儲單元執(zhí)行寫入操作，

所述存儲單元具有用于在施加第一極性的置位電壓時將所述電阻狀態(tài)從第一電阻狀態(tài)改變?yōu)榈诙娮锠顟B(tài)的置位操作、和用于在施加極性與所述第一極性相反的第二極性的復位電壓時將所述電阻狀態(tài)從所述第二電阻狀態(tài)改變?yōu)樗龅谝浑娮锠顟B(tài)的復位操作，并且

所述寫入電路，在執(zhí)行所述寫入操作時，

執(zhí)行第一步驟：跨與所述選擇的存儲單元連接的所述第一線和第二線施加電壓，并跨與所述多個存儲單元中的未被定為數(shù)據(jù)寫入目標的、未選擇的存儲單元連接的所述第一線和第二線施加不同的電壓，

在執(zhí)行所述第一步驟之后，執(zhí)行第二步驟：跨與所述選擇的存儲單元連接的所述第一線和第二線施加數(shù)據(jù)寫入所需的電壓，并將與所述未選擇的存儲單元連接的所述第一線和第二線中的至少一個置于浮動狀態(tài)。