[發(fā)明專利]接合結(jié)構(gòu)體

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280025481.0
• 申請(qǐng)日: 2012-05-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103563062A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 中村太一;北浦秀敏;吉澤章央
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/52
• 分類號(hào): H01L21/52;B23K1/00;B23K1/20;B23K35/14;B23K35/26;C22C12/00;H01L23/34
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 張?chǎng)?/td>

1.一種接合結(jié)構(gòu)體，所述接合結(jié)構(gòu)體利用以Bi為主要成分的接合材料來(lái)將半導(dǎo)體元件與Cu電極相接合，其特征在于，

由所述接合材料和形成于該接合材料表面的中間層構(gòu)成層疊體，隔著該層疊體將半導(dǎo)體元件表面的Cu與所述Cu電極相接合，

在將所述半導(dǎo)體元件表面的Cu的楊氏模量設(shè)為E1、將所述中間層的楊氏模量設(shè)為E2、將所述接合材料的楊氏模量設(shè)為E3、將所述Cu電極的楊氏模量設(shè)為E4的情況下，

以使得各楊氏模量E1～E4同時(shí)滿足以下條件（p1）、（q1）

E3＜E2＜E1…（p1）

E3＜E2＜E4…（q1）

或其中的一個(gè)條件的方式，對(duì)所述半導(dǎo)體元件及所述Cu電極構(gòu)成所述層疊體。

2.如權(quán)利要求1所述的接合結(jié)構(gòu)體，其特征在于，

所述層疊體是包括所述接合材料、以及形成于該接合材料的上下兩面的兩個(gè)中間層的三層的層疊體，若將所述半導(dǎo)體元件一側(cè)的第一中間層的楊氏模量設(shè)為E21，并將所述Cu電極一側(cè)的第二中間層的楊氏模量設(shè)為E24，

則以使得各楊氏模量E1、E21、E24、E3、E4滿足以下條件（p2）和（q2）

E3＜E21＜E1…（p2）

E3＜E24＜E4…（q2）

的方式，對(duì)所述半導(dǎo)體元件及所述Cu電極構(gòu)成所述三層的層疊體。

3.如權(quán)利要求1所述的接合結(jié)構(gòu)體，其特征在于，

所述層疊體是包括所述接合材料、以及形成于該接合材料的所述半導(dǎo)體元件一側(cè)的中間層的兩層的層疊體，在將所述中間層的楊氏模量設(shè)為E21的情況下，

以使得各楊氏模量E1、E21、E3滿足以下條件（p2）

E3＜E21＜E1…（p2）

的方式，對(duì)所述半導(dǎo)體元件及所述Cu電極構(gòu)成所述兩層的層疊體。

4.如權(quán)利要求1所述的接合結(jié)構(gòu)體，其特征在于，

所述層疊體是包括所述接合材料、以及形成于該接合材料的所述Cu電極一側(cè)的中間層的兩層的層疊體，

在將所述中間層的楊氏模量設(shè)為E24的情況下，

以使得各楊氏模量E24、E3、E4滿足以下條件（q2）

E3＜E24＜E4…（q2）

的方式，對(duì)所述半導(dǎo)體元件及所述Cu電極構(gòu)成所述兩層的層疊體。

5.如權(quán)利要求1至4的任一項(xiàng)所述的接合結(jié)構(gòu)體，其特征在于，

所述中間層是從包括AuSn化合物、AgSn化合物、CuSn化合物、Au、Ag的組中選出的至少一種金屬。

6.如權(quán)利要求1至5的任一項(xiàng)所述的接合結(jié)構(gòu)體，其特征在于，

所述中間層是CuSn化合物。