[發明專利]包含用于自下向上填充硅穿孔和互聯件特征的添加劑的金屬電鍍用組合物

有效

• 申請號: 201280025216.2
• 申請日: 2012-05-31
• 公開（公告）號: CN103547631A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: C·勒格爾-格普費特;M·阿諾德;A·弗魯格爾;C·埃姆內特;R·B·雷特爾;D·邁耶
• 申請（專利權）人: 巴斯夫歐洲公司
• 主分類號: C08L77/02
• 分類號: C08L77/02;C08G69/00;C25D3/02;C25D3/38
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 劉金輝;林柏楠

1.一種組合物，包含金屬離子源和至少一種聚氨基酰胺，所述聚氨基酰胺包含在聚合物骨架中的酰胺和胺官能團和至少一個連接至所述聚合物骨架或位于所述聚合物骨架內的芳族結構部分。

2.根據權利要求1的組合物，其中所述至少一個芳族結構部分位于所述聚合物骨架內的兩個氮原子之間。

3.根據權利要求1或2的組合物，其中所述聚氨基酰胺包含由式I表示的結構單元或其可通過完全或部分質子化、N-官能化或N-季銨化獲得的衍生物：

[A]_p[B]_q[D]_r???????(I)

其中

A為選自以下的雙基：

B為選自化學鍵或以下的雙基：

D為化學鍵或選自以下的二價基團：

D¹對于各重復單元1至p獨立地選自化學鍵或者選自飽和或不飽和C₁-C₂₀有機基團的二價基團，

D²、D³獨立地選自直鏈或支化C₁-C₁₀亞烷基，其可任選地經選自N和O的雜原子取代，

D⁴選自直鏈或支化C₂-C₆亞烷基、C₆-C₁₀芳基或雜芳基雙基、C₈-C₂₀芳基亞烷基、C₈-C₂₀雜芳基亞烷基，

D⁵選自直鏈或支化C₁至C₇亞烷基，其可任選地經雜原子取代，

R¹對于各重復單元1至n獨立地選自H、C₁-C₂₀烷基和C₅-C₂₀芳基或C₅-C₂₀雜芳基，其可任選地經羥基、烷氧基或烷氧羰基取代，

n為2至250的整數，

p為2至150的整數，

q為0至150的整數，

r為0至150的整數，

且其中D⁴或R¹中的至少一個包含C₅-C₂₀芳族結構部分或所述聚氨基酰胺經C₅-C₂₀芳族結構部分官能化和/或季銨化。

4.根據權利要求3的組合物，其中所述聚氨基酰胺由式II表示

其中D¹、D²、D³、R¹、n和p具有指定含義，且

E¹、E²獨立地選自

(a)可親核置換的離去基團，

(b)NH-(C₁-C₂₀烷基)或NH-(C₁-C₂₀鏈烯基)或NH-芳基，

(c)H-{NH-[D²-NR¹]_n-D³-NH}，

(d)(C₁-C₂₀烷基)-CO-{NH-[D²-NR²]_n-D³-NH}，和

(e)(C₁-C₂₀鏈烯基)-CO-{NH-[D²-NR²]_n-D³-NH}，

(f)(C₁-C₂₀芳基)-CO-{NH-[D²-NR²]_n-D³-NH}，

且其中D¹或R¹中的至少一個包含C₅-C₂₀芳族結構部分。