[發(fā)明專利]多位存儲器單元的條件編程

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280024163.2
• 申請日: 2012-03-16
• 公開（公告）號: CN103548085B
• 公開（公告）日: 2017-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: X.科斯塔;Y.年;R.朔伊爾萊恩;T-Y.劉;C.R.戈拉
• 申請（專利權(quán)）人: 桑迪士克科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: G11C11/56
• 分類號: G11C11/56;G11C13/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 黃小臨

1.一種將數(shù)據(jù)寫到多級單元電阻存儲器器件的方法，包括：

接收要寫到該存儲器器件的數(shù)據(jù)；

選擇將要向其寫入所接收的數(shù)據(jù)的至少一部分的存儲器單元；

確定所選存儲器單元的當(dāng)前電阻狀態(tài)；

確定用于代表要被寫到所選存儲器單元的數(shù)據(jù)的目標(biāo)電阻狀態(tài)；

基于當(dāng)前電阻狀態(tài)和目標(biāo)電阻狀態(tài)，確定將數(shù)據(jù)寫到所選存儲器單元將涉及增加還是降低所選存儲器單元的電阻；

基于目標(biāo)電阻狀態(tài)以及將數(shù)據(jù)寫到所選存儲器單元將涉及增加還是降低所選存儲器單元的電阻，確定將把所選存儲器單元的電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)變到目標(biāo)電阻狀態(tài)的編程脈沖的電特性；以及

向所選存儲器單元施加具有確定的電特性的編程脈沖。

2.如權(quán)利要求1的方法，其中確定編程脈沖的電特性包括確定該編程脈沖的電壓和電流限制。

3.如權(quán)利要求1的方法，其中確定編程脈沖的電特性包括當(dāng)確定將數(shù)據(jù)寫到所選存儲器單元將涉及降低所選存儲器單元的電阻時，確定該編程脈沖的電壓和電流限制，以及當(dāng)確定將數(shù)據(jù)寫到所選存儲器單元將涉及增加所選存儲器單元的電阻時，確定該編程脈沖的電壓。

4.如權(quán)利要求1的方法，還包括：

基于目標(biāo)電阻狀態(tài)以及將數(shù)據(jù)寫到所選存儲器單元將涉及增加還是降低所選存儲器單元的電阻，確定編程脈沖的持續(xù)時間，

其中向所選存儲器單元施加具有確定的電特性的編程脈沖包括施加這樣的編程脈沖達(dá)所確定的持續(xù)時間。

5.如權(quán)利要求1的方法，其中確定編程脈沖的電特性包括使用目標(biāo)電阻狀態(tài)以及將數(shù)據(jù)寫到所選存儲器單元將涉及增加還是降低所選存儲器單元的電阻作為輸入進(jìn)行表查找操作，并且獲得所述電特性作為輸出。

6.如權(quán)利要求1的方法，還包括確定當(dāng)前電阻狀態(tài)是否在目標(biāo)電阻狀態(tài)的閾值限制內(nèi)，其中向所選存儲器單元施加具有確定的電特性的編程脈沖包括在當(dāng)前電阻狀態(tài)不在目標(biāo)電阻狀態(tài)的閾值限制內(nèi)時向所選存儲器單元施加這樣的編程脈沖，以及在當(dāng)前電阻狀態(tài)在目標(biāo)電阻狀態(tài)的閾值限制內(nèi)時，不向所選存儲器單元施加編程脈沖。

7.如權(quán)利要求1的方法，還包括：

確定在施加所述編程脈沖之后所選存儲器單元的得到的電阻狀態(tài)；

確定該得到的電阻狀態(tài)是否在目標(biāo)狀態(tài)的閾值限制內(nèi)；以及

當(dāng)該得到的電阻狀態(tài)不在該目標(biāo)狀態(tài)的閾值限制內(nèi)時，向所選存儲器單元重新施加具有確定的電特性的編程脈沖。

8.如權(quán)利要求1的方法，還包括：

確定在施加所述編程脈沖之后所選存儲器單元的得到的電阻狀態(tài)；

確定該得到的電阻狀態(tài)是否在目標(biāo)狀態(tài)的閾值限制內(nèi)；

基于確定的得到的電阻狀態(tài)和目標(biāo)電阻狀態(tài)確定將把所選存儲器單元的電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)變到目標(biāo)電阻狀態(tài)的第二編程脈沖的電特性；以及

向所選存儲器單元施加具有對于第二編程脈沖確定的電特性的第二編程脈沖。

9.如權(quán)利要求1的方法，

其中確定將把所選存儲器單元的電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)變到目標(biāo)電阻狀態(tài)的編程脈沖的電特性包括確定編程脈沖的數(shù)量以及對于該數(shù)量的編程脈沖的每個的相應(yīng)的電特性，該數(shù)量的編程脈沖在被連續(xù)地施加時將把所選存儲器單元的電阻狀態(tài)轉(zhuǎn)變到目標(biāo)電阻狀態(tài)，以及

其中向所選存儲器單元施加具有確定的電特性的編程脈沖包括向所選存儲器單元施加每個具有所述相應(yīng)的電特性的所述數(shù)量的編程脈沖。

10.如權(quán)利要求1的方法，其中所選存儲器單元包括從由以下構(gòu)成的組中選擇的可變電阻材料：反熔絲電介質(zhì)、熔絲、串聯(lián)布置的二極管和反熔絲電介質(zhì)、多晶硅記憶效應(yīng)材料、金屬氧化物或可切換復(fù)雜金屬氧化物材料、碳納米管材料、石墨烯可切換電阻率材料、相變材料、導(dǎo)電橋元件、電解質(zhì)切換材料、可切換聚合物材料或者諸如非晶、多晶或微晶碳或石墨材料的碳電阻率切換材料。