[發明專利]復合層疊陶瓷電子部件

有效

• 申請號: 201280024128.0
• 申請日: 2012-02-13
• 公開（公告）號: CN103548102A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 足立大樹;金子和廣;坂本禎章;足立聰
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;H01G4/30;H01G4/40
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 樊建中

1.一種復合層疊陶瓷電子部件，具備被層疊的低介電常數陶瓷層和高介電常數陶瓷層，

所述低介電常數陶瓷層和所述高介電常數陶瓷層均由玻璃陶瓷構成，該玻璃陶瓷包含：

(1)由MgAl₂O₄以及Mg₂SiO₄當中的至少一方構成的第一陶瓷；

(2)由BaO、RE₂O₃以及TiO₂構成的第二陶瓷，其中RE為稀土類元素；

(3)分別包含44.0～69.0重量％的RO、14.2～30.0重量％的SiO₂、10.0～20.0重量％的B₂O₃、0.5～4.0重量％的Al₂O₃、0.3～7.5重量％的Li₂O、以及0.1～5.5重量％的MgO的玻璃，其中R為從Ba、Ca以及Sr中選出的至少一種堿土類金屬；和

(4)MnO，

在所述低介電常數陶瓷層中，

包含47.55～69.32重量％的所述第一陶瓷，

包含6～20重量％的所述玻璃，

包含7.5～18.5重量％的所述MnO，

作為所述第二陶瓷而分別包含0.38～1.43重量％的BaO、1.33～9.5重量％的RE₂O₃、以及0.95～6.75重量％的TiO₂，

相對介電常數為15以下，

在所述高介電常數陶瓷層中，

包含1～15重量％的所述第一陶瓷，

包含3～15重量％的所述玻璃，

包含2.3～10重量％的所述MnO，

作為所述第二陶瓷而分別包含2.5～15.7重量％的BaO、24.6～65.3重量％的RE₂O₃、以及11.2～36.4重量％的TiO₂，

相對介電常數為30以上。

2.根據權利要求1所述的復合層疊陶瓷電子部件，其中，

所述低介電常數陶瓷層中包含的所述玻璃的含有量G_L以及所述高介電常數陶瓷層中包含的所述玻璃的含有量G_H滿足1.0≤G_L／G_H≤2.0的條件。

3.根據權利要求1所述的復合層疊陶瓷電子部件，其中，

所述低介電常數陶瓷層中包含的所述MnO的含有量M_L以及所述高介電常數陶瓷層中包含的所述MnO的含有量M_H滿足1.5≤M_L／M_H≤3.6的條件。

4.根據權利要求1所述的復合層疊陶瓷電子部件，其中，

所述低介電常數陶瓷層中包含的所述玻璃的含有量G_L以及所述高介電常數陶瓷層中包含的所述玻璃的含有量G_H滿足1.0≤G_L／G_H≤2.0的條件，并且，

所述低介電常數陶瓷層中包含的所述MnO的含有量M_L以及所述高介電常數陶瓷層中包含的所述MnO的含有量M_H滿足1.5≤M_L／M_H≤3.6的條件。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的復合層疊陶瓷電子部件，其中，

所述低介電常數陶瓷層還包含3.0～20.0重量％的Mg₂Al₄Si₅O₁₈以及BaAl₂Si₂O₈當中的至少一方。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的復合層疊陶瓷電子部件，其中，

所述低介電常數陶瓷層還包含0.23重量％以下的CuO。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的復合層疊陶瓷電子部件，其中，

所述高介電常數陶瓷層還包含1.2重量％以下的CuO。