[發(fā)明專利]金屬粉末和合金的制造和應(yīng)用無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201280023622.5 | 申請(qǐng)日: | 2012-05-14 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103687685A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 安德魯·馬西森 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 波士頓電子材料有限公司 |
| 主分類號(hào): | B22F9/24 | 分類號(hào): | B22F9/24;C23C14/34 |
| 代理公司: | 北京金信立方知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11225 | 代理人: | 黃威;王智 |
| 地址: | 美國(guó)馬*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 金屬粉末 合金 制造 應(yīng)用 | ||
1.通過(guò)在堿金屬或堿土金屬中的液相金屬鹵化物的熔融金屬還原來(lái)還原至少一種金屬鹵化物的的混合物的方法,其中至少一種金屬鹵化物相對(duì)于熔融金屬還原劑是化學(xué)計(jì)量過(guò)量的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中至少一種金屬鹵化物混合物是金屬氯化物的混合物和還原劑是金屬鈉。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法,其中熔融金屬還原劑是NaK。
4.權(quán)利要求1-3任一方法的反應(yīng)產(chǎn)物,包括至少一種金屬混合物、鹽涂層和至多5%金屬鈉。
5.權(quán)利要求1-3任一方法的反應(yīng)產(chǎn)物,包括至少一種金屬混合物、鹽涂層和至多1%金屬鈉。
6.由權(quán)利要求4或5的材料形成的粉末冶金學(xué)組件。
7.陽(yáng)極,其通過(guò)權(quán)利要求1-3任一的方法生產(chǎn)的金屬粉末生產(chǎn)。
8.電容器,其由權(quán)利要求7的陽(yáng)極生產(chǎn)。
9.金屬片、涂層或圓片,其由通過(guò)權(quán)利要求1-3任一的方法生產(chǎn)的金屬粉末生產(chǎn)。
10.濺射靶,其由通過(guò)權(quán)利要求1-3任一的方法生產(chǎn)的金屬粉末生產(chǎn)。
11.多孔金屬元件,其由通過(guò)權(quán)利要求1-3任一的方法制造的金屬粉末生產(chǎn)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于波士頓電子材料有限公司,未經(jīng)波士頓電子材料有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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