[發明專利]可編程邏輯裝置

有效

• 申請號: 201280023593.2
• 申請日: 2012-05-02
• 公開（公告）號: CN103534950B
• 公開（公告）日: 2017-07-04
• 發明（設計）人: 西島辰司;米田誠一
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H03K19/173
• 分類號: H03K19/173
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 葉曉勇,湯春龍

1.一種包括多個以矩陣狀配置的邏輯單元的可編程邏輯裝置，各邏輯單元包括：

包括第一輸入端子、第二輸入端子及輸出端子的可編程開關，該可編程開關配置成使所述輸出端子與所述第一輸入端子和所述第二輸入端子中的一方電連接，

其中所述可編程開關能夠在沒有電源電位供給到所述可編程開關的情況下保持配置，

其中，所述可編程開關包括：

包括第一源電極、第一漏電極及第一柵電極的第一晶體管，其中所述第一源電極和所述第一漏電極中的一方與所述第一輸入端子電連接，并且所述第一源電極和所述第一漏電極中的另一方與所述輸出端子電連接；

包括第二源電極、第二漏電極及第二柵電極的第二晶體管，其中所述第二源電極和所述第二漏電極中的一方與所述第二輸入端子電連接，并且所述第二源電極和所述第二漏電極中的另一方與所述輸出端子電連接；以及

包括第三源電極、第三漏電極及第三柵電極的第三晶體管，其中所述第三源電極和所述第三漏電極中的一方與所述第一柵電極和所述第二柵電極電連接，

其中所述第三晶體管包括與所述第三柵電極重疊的氧化物半導體層。

2.一種半導體裝置，包括；

包括第一源電極、第一漏電極及第一柵電極的第一晶體管；

包括第二源電極、第二漏電極及第二柵電極的第二晶體管，其中所述第二源電極和所述第二漏電極中的一方與所述第一源電極和所述第一漏電極中的一方電連接；

包括第三源電極、第三漏電極及第三柵電極的第三晶體管，其中所述第三源電極和所述第三漏電極中的一方與所述第一柵電極和所述第二柵電極電連接，

與所述第一源電極和所述第一漏電極中的另一方電連接的第一邏輯電路；以及

與所述第二源電極和所述第二漏電極中的另一方電連接的第二邏輯電路，

其中所述第三晶體管包括與所述第三柵電極重疊的氧化物半導體層。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中所述第一晶體管的導電型與所述第二晶體管的導電型互不相同。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，還包括與所述第一柵電極和所述第二柵電極電連接的電容。

5.一種半導體裝置，包括：

具有第一導電型的第一晶體管，該第一晶體管包括第一源電極、第一漏電極及第一柵電極；

具有所述第一導電型的第二晶體管，該第二晶體管包括第二源電極、第二漏電極及第二柵電極，其中所述第二源電極和所述第二漏電極中的一方與所述第一源電極和所述第一漏電極中的一方電連接；

包括第三源電極、第三漏電極及第三柵電極的第三晶體管，其中所述第三源電極和所述第三漏電極中的一方與所述第一柵電極電連接；以及

反相器，通過該反相器所述第三源電極和所述第三漏電極中的所述一方與所述第二柵電極電連接，

其中所述第三晶體管包括與所述第三柵電極重疊的氧化物半導體層。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，還包括：

具有與所述第一導電型不同的第二導電型的第四晶體管，該第四晶體管包括第四源電極、第四漏電極及第四柵電極，其中所述第四源電極和所述第四漏電極中的一方與所述第一源電極和所述第一漏電極中的一方電連接，并且所述第四源電極和所述第四漏電極中的另一方與所述第一源電極和所述第一漏電極中的另一方電連接；以及

具有所述第二導電型的第五晶體管，該第五晶體管包括第五源電極、第五漏電極及第五柵電極，其中所述第五源電極和所述第五漏電極中的一方與所述第二源電極和所述第二漏電極中的一方電連接，并且所述第五源電極和所述第五漏電極中的另一方與所述第二源電極和所述第二漏電極中的另一方電連接，

其中所述第四柵電極與所述第二柵電極電連接，

并且所述第五柵電極與所述第一柵電極電連接。

7.根據權利要求2或5所述的半導體裝置，還包括：

夾在所述第三晶體管與所述第一晶體管及所述第二晶體管的每一個之間的絕緣膜，其中所述第三晶體管形成在所述第一晶體管和所述第二晶體管上。

8.根據權利要求2或5所述的半導體裝置，其中所述氧化物半導體層包括c軸取向結晶氧化物半導體膜。