[發(fā)明專利]新的化合物半導體及其用途

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280023369.3
• 申請日: 2012-05-11
• 公開（公告）號: CN103562127A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發(fā)明（設計）人: 樸哲凞;金兌訓;樸德熙;高京門
• 申請（專利權）人: LG化學株式會社
• 主分類號: C01B19/00
• 分類號: C01B19/00;C01G15/00;C01G51/00;C01G30/00;H01L35/16;H01L31/032
• 代理公司: 北京鴻元知識產(chǎn)權代理有限公司 11327
• 代理人: 李靜;黃麗娟

1.一種化合物半導體，由下面化學式1表示：

化學式1

In_xM_yCo_4-m-aA_mSb_12-n-z-bX_nQ_z

其中，M為選自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一種，A為選自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir和Pt中的至少一種，X為選自Si、Ga、Ge和Sn中的至少一種，Q為選自O、S、Se和Te中的至少一種，0<x<1，0≤y<1，0≤m≤1，0≤a≤1，0≤n<9，0≤z≤4，0≤b≤3，0<n+z+b。

2.根據(jù)權利要求1所述的化合物半導體，其中，在化學式1中，0<x+y≤1。

3.根據(jù)權利要求1所述的化合物半導體，其中，在化學式1中，0<n+z+b≤9。

4.根據(jù)權利要求1所述的化合物半導體，其中，在化學式1中，0<x≤0.5。

5.根據(jù)權利要求1所述的化合物半導體，其中，在化學式1中，0<z≤2。

6.一種化合物半導體的制備方法，包括：

形成含有In和Co的混合物；和

熱處理所述混合物，從而制備權利要求1所限定的化合物半導體。

7.根據(jù)權利要求6所述的化合物半導體的制備方法，其中，所述混合物還含有選自O、S、Se、Te、In的氧化物和Co的氧化物中的至少一種。

8.根據(jù)權利要求6所述的化合物半導體的制備方法，其中，所述混合物還含有選自Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及其氧化物中的至少一種。

9.根據(jù)權利要求6所述的化合物半導體的制備方法，其中，所述混合物還含有選自Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt及其氧化物中的至少一種。

10.根據(jù)權利要求6所述的化合物半導體的制備方法，其中，所述混合物還含有Sb。

11.根據(jù)權利要求6所述的化合物半導體的制備方法，其中，所述混合物還含有選自Si、Ga、Ge、Sn及其氧化物中的至少一種。

12.根據(jù)權利要求6所述的化合物半導體的制備方法，其中，所述熱處理步驟在400℃至800℃下進行。

13.根據(jù)權利要求6所述的化合物半導體的制備方法，其中，所述熱處理步驟包括至少兩個熱處理階段。

14.一種熱電轉(zhuǎn)換裝置，其包括權利要求1至5中任意一項所限定的化合物半導體。

15.一種太陽能電池，其包括權利要求1至5中任意一項所限定的化合物半導體。