[發(fā)明專利]用于使用電容式傳感器放置基板的設(shè)備和方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201280023240.2 | 申請(qǐng)日： | 2012-05-10 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103534799A | 公開(kāi)（公告）日： | 2014-01-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 布萊克·凱爾梅爾;約瑟夫·M·拉內(nèi)什;埃羅爾·C·桑切斯 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/68 | 分類號(hào)： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國(guó);趙靜 |
| 地址： | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 使用 電容 傳感器 放置 設(shè)備 方法 | ||
1.一種用于處理基板的設(shè)備，所述設(shè)備包括：
腔室主體，所述腔室主體限定內(nèi)空間；
基板放置組件，所述基板放置組件設(shè)置在所述內(nèi)空間中，其中所述基板放置組件能夠至少在水平面內(nèi)移動(dòng)基板；和
第一電容式傳感器，所述第一電容式傳感器設(shè)置在所述內(nèi)空間中，其中所述第一電容式傳感器放置為在第一角位置處檢測(cè)所述基板的邊緣的位置。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括放置在所述內(nèi)空間中的第二電容式傳感器，其中所述第二電容式傳感器放置為在第二角位置處檢測(cè)所述基板的所述邊緣的位置。
3.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述第一角位置和所述第二角位置相距約90度。
4.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述基板放置組件包括多個(gè)端口，所述多個(gè)端口形成于上表面處，所述多個(gè)端口構(gòu)造為通過(guò)將流體流動(dòng)輸送至所述基板而在所述上表面上方支撐和旋轉(zhuǎn)基板。
5.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述第一電容式傳感器和所述第二電容式傳感器中的每一者都包括感測(cè)表面，且所述感測(cè)表面放置在與所述基板放置組件的所述上表面相同的平面中。
6.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括第三電容式傳感器，所述第三電容式傳感器放置在所述內(nèi)空間中，其中所述第三電容式傳感器放置為檢測(cè)所述基板的垂直位置。
7.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括控制器，所述控制器耦接至所述第一電容式傳感器、第二電容式傳感器和第三電容式傳感器，其中所述控制器構(gòu)造為來(lái)自所述第二電容式傳感器的測(cè)量來(lái)確定所述基板的所述垂直位置，且來(lái)自所述第一電容式傳感器的測(cè)量與所述基板的所述垂直位置來(lái)確定在所述第一角位置處的所述基板的所述邊緣的所述距離。
8.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其中所述第一電容式傳感器、第二電容式傳感器和第三電容式傳感器設(shè)置在所述基板放置組件上方。
9.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括噴淋頭，所述噴淋頭設(shè)置在所述基板放置組件上方，其中所述第一電容式傳感器、第二電容式傳感器和第三電容式傳感器安裝于所述噴淋頭上。
10.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括加熱組件，所述加熱組件設(shè)置在所述腔室主體外部，所述加熱組件構(gòu)造為將熱能引導(dǎo)至所述內(nèi)空間。
11.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括窗口，所述窗口設(shè)置在所述內(nèi)空間中且覆蓋所述第一電容式傳感器和第二電容式傳感器。
12.一種用于處理基板的設(shè)備，所述設(shè)備包括：
腔室主體，所述腔室主體限定內(nèi)空間；
基板放置組件，所述基板置放組件包括主體，所述主體具有上表面和形成于所述上表面上的多個(gè)端口，所述多個(gè)端口構(gòu)造為輸送多個(gè)流體流動(dòng)以將基板放置于所述上表面上方；和
第一電容式傳感器、第二電容式傳感器和第三電容式傳感器，所述第一電容式傳感器、第二電容式傳感器和第三電容式傳感器設(shè)置在所述主體的所述上表面上，其中所述第一電容式傳感器和第三電容式傳感器設(shè)置在沿著圓周的兩個(gè)位置上，所述兩個(gè)位置相距約90度，且所述第二電容式傳感器設(shè)置在所述圓周內(nèi)部的區(qū)域中，所述第一電容式傳感器和第三電容式傳感器構(gòu)造為測(cè)量所述基板的平面位置，且所述第二電容式傳感器構(gòu)造為測(cè)量所述基板的垂直位置。
13.如權(quán)利要求1或12所述的設(shè)備，其中所述基板放置組件進(jìn)一步包括嵌入所述基板放置組件中的加熱器。
14.如權(quán)利要求12所述的設(shè)備，進(jìn)一步包括沉積屏蔽，所述沉積屏蔽覆蓋所述第一電容式傳感器、第二電容式傳感器和第三電容式傳感器。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
