[發(fā)明專利]絕緣層包覆的鋁導(dǎo)電體、以及絕緣層和形成絕緣層的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280023203.1
• 申請(qǐng)日: 2012-03-23
• 公開（公告）號(hào): CN103534390A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 董樹新;松岡秀明;浦田信也;中井英雄;高尾尚史
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社豐田中央研究所
• 主分類號(hào): C25D11/04
• 分類號(hào): C25D11/04
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 楊海榮;穆德駿

1.一種絕緣層包覆的鋁導(dǎo)電體，包含由純鋁或鋁合金制成的基材和包覆該基材的外表面的絕緣層，其中所述絕緣層由在所述基材上形成且具有25m²/g以上比表面積的陽(yáng)極氧化層構(gòu)成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣層包覆的鋁導(dǎo)電體，其中所述陽(yáng)極氧化層為由在厚度方向上延伸的非直孔的集合形成的多孔體。

3.一種絕緣層，其由根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陽(yáng)極氧化層形成。

4.一種形成絕緣層的方法，所述方法包括層形成步驟，其中通過使用由純鋁或鋁合金制成的基材作為陽(yáng)極并在酸性水溶液中對(duì)該基材連續(xù)施加直流電壓，由此形成根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的絕緣層。