[發明專利]絕緣層包覆的鋁導電體、以及絕緣層和形成絕緣層的方法無效
| 申請號： | 201280023203.1 | 申請日： | 2012-03-23 |
| 公開（公告）號： | CN103534390A | 公開（公告）日： | 2014-01-22 |
| 發明（設計）人： | 董樹新;松岡秀明;浦田信也;中井英雄;高尾尚史 | 申請（專利權）人： | 株式會社豐田中央研究所 |
| 主分類號： | C25D11/04 | 分類號： | C25D11/04 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 楊海榮;穆德駿 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 絕緣 層包覆 導電 以及 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種絕緣層包覆的鋁導電體，包含由純鋁或鋁合金制成的基材和包覆該基材的外表面的絕緣層，其中所述絕緣層由在所述基材上形成且具有25m2/g以上比表面積的陽極氧化層構成。
2.根據權利要求1所述的絕緣層包覆的鋁導電體，其中所述陽極氧化層為由在厚度方向上延伸的非直孔的集合形成的多孔體。
3.一種絕緣層，其由根據權利要求1或2所述的陽極氧化層形成。
4.一種形成絕緣層的方法，所述方法包括層形成步驟，其中通過使用由純鋁或鋁合金制成的基材作為陽極并在酸性水溶液中對該基材連續施加直流電壓，由此形成根據權利要求1～3中任一項所述的絕緣層。
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