[發(fā)明專利]用于檢測(cè)LVDT核心散落狀況的方法和設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280022897.7
• 申請(qǐng)日: 2012-04-30
• 公開（公告）號(hào): CN103518139B
• 公開（公告）日: 2016-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R.D.奈爾;A.塞拉穆圖;N.森達(dá)雷什;M.K.阿拉布爾;A.基納奇;K.吉里薩蘭;A.H.沙斯特里
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 霍尼韋爾國(guó)際公司
• 主分類號(hào): G01R19/165
• 分類號(hào): G01R19/165
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 蔣駿;胡莉莉

技術(shù)領(lǐng)域

本公開內(nèi)容一般涉及控制系統(tǒng)，更具體地，本公開內(nèi)容涉及用于檢測(cè)線性可變差動(dòng)變壓器（LVDT）核心散落狀況的設(shè)備和方法。

背景技術(shù)

通常使用過程控制系統(tǒng)來管理加工設(shè)施。除了其它功能之外，這些控制系統(tǒng)經(jīng)常管理閥門的使用，所述閥門控制加工設(shè)施中的原料流動(dòng)。示例加工設(shè)施包括制造工廠、化工廠、原油煉油廠和礦砂加工廠。在這些設(shè)施中，閥門可以控制水、油、鹽酸或者設(shè)施中的任何其它或附加的原料的流動(dòng)。

線性可變差動(dòng)變壓器（LVDT）是廣泛地用來測(cè)量位置或位移的機(jī)電換能器。LVDT可以用在過程控制系統(tǒng)中，以便提供與閥門或其它控制裝置的物理位置有關(guān)的反饋。在該示例中，LVDT中的磁心的位置由過程控制系統(tǒng)感測(cè)。在一些故障的模式中，核心可能物理地從LVDT散落。如果沒有檢測(cè)到該故障模式，則過程控制系統(tǒng)可能向相關(guān)聯(lián)的控制裝置提供不正確的控制信號(hào)。這可能導(dǎo)致對(duì)加工設(shè)施的損壞，或者導(dǎo)致對(duì)于加工設(shè)施中的人員的危險(xiǎn)狀況。

發(fā)明內(nèi)容

本公開內(nèi)容提供了一種用于檢測(cè)線性可變差動(dòng)變壓器（LVDT）核心散落狀況的設(shè)備和方法。

在第一實(shí)施例中，方法包括測(cè)量在線性可變差動(dòng)變壓器（LVDT）的第一感測(cè)線圈兩端的第一電壓（V_A），并且測(cè)量在LVDT的第二感測(cè)線圈兩端的第二電壓（V_B）。該方法也包括響應(yīng)于如下動(dòng)作，而發(fā)信號(hào)通知核心散落狀況：

（i）確定V_A和V_B之比在一的值的規(guī)定范圍內(nèi)；以及

（ii）確定V_A和V_B之和比V_A0和V_B0之和小了一規(guī)定量以上，其中V_A0和V_B0分別是當(dāng)所述LVDT的核心在所述LVDT中時(shí)在所述LVDT的所述第一和第二感測(cè)線圈兩端的最小電壓。

在第二實(shí)施例中，設(shè)備包括配置為測(cè)量在LVDT的第一感測(cè)線圈兩端的第一電壓（V_A）并測(cè)量在LVDT的第二感測(cè)線圈兩端的第二電壓（V_B）的電路。該設(shè)備還包括處理裝置，被配置為響應(yīng)于如下動(dòng)作，而發(fā)信號(hào)通知核心散落狀況：

（i）確定V_A和V_B之比在一的值的規(guī)定范圍內(nèi)；以及

（ii）確定V_A和V_B之和比V_A0和V_B0之和小了一規(guī)定量以上，其中V_A0和V_B0分別是當(dāng)所述LVDT的核心在所述LVDT中時(shí)在所述LVDT的所述第一和第二感測(cè)線圈兩端的最小電壓。。

在第三實(shí)施例中，非瞬態(tài)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)體現(xiàn)了計(jì)算機(jī)程序。該計(jì)算機(jī)程序包括用于接收在LVDT的第一感測(cè)線圈兩端的第一電壓（V_A）的測(cè)量以及用于接收在LVDT的第二感測(cè)線圈兩端的第二電壓（V_B）的測(cè)量的計(jì)算機(jī)可讀程序代碼。該計(jì)算機(jī)程序還包括用于響應(yīng)于如下動(dòng)作，而發(fā)信號(hào)通知核心散落狀況的計(jì)算機(jī)可讀程序代碼：

（i）確定V_A和V_B之比在一的值的規(guī)定范圍內(nèi)；以及

（ii）確定V_A和V_B之和比V_A0和V_B0之和小了一規(guī)定量以上，其中V_A0和V_B0分別是當(dāng)所述LVDT的核心在所述LVDT中時(shí)在所述LVDT的所述第一和第二感測(cè)線圈兩端的最小電壓。。

附圖說明

為了更完整地理解本公開內(nèi)容，現(xiàn)在結(jié)合附圖參考以下描述，在所述附圖中：

圖1圖示了根據(jù)本公開內(nèi)容的示例過程控制系統(tǒng)；

圖2圖示了適合于與根據(jù)本公開內(nèi)容的過程控制系統(tǒng)一起使用的第一示例線性可變差動(dòng)變壓器（LVDT）；

圖3圖示了適合于與根據(jù)本公開內(nèi)容的過程控制系統(tǒng)一起使用的第二示例LVDT；

圖4圖示了呈現(xiàn)針對(duì)多種狀況的LVDT中的測(cè)量電壓的示例曲線圖；

圖5圖示了根據(jù)本公開內(nèi)容的用于測(cè)試LVDT的示例方法；以及

圖6圖示了根據(jù)本公開內(nèi)容的用于檢測(cè)LVDT核心散落狀況的示例方法。

具體實(shí)施方式