[發明專利]復合靶

有效

• 申請號: 201280022837.5
• 申請日: 2012-05-09
• 公開（公告）號: CN103562432A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發明（設計）人: G·A·羅扎克;M·E·蓋多斯
• 申請（專利權）人: H·C·施塔克公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 張海文

1.一種濺射靶，包括：

a.至少兩個固結的段，每個段含有合金，所述合金包括大于大約30%重量的鉬和至少一種附加的合金元素；以及

b.所述至少兩個固結的段之間的接合處，其將各段接合在一起以定義一靶主體，所述接合處沒有任何由于添加了粘合劑而形成的微觀結構，并且沒有任何大于大約200μm寬的接合線，其中，按照ASTM?B528-10，所述濺射靶沿接合線的橫向斷裂強度至少為400MPa左右。

2.根據權利要求1所述的濺射靶，其中貫穿整個所述靶主體是大體上連續的和均勻分布的三個相，并且所述靶主體基本上沒有任何大于50μm寬的接合線。

3.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其中貫穿整個所述靶主體是大體上連續、均勻分布的大體上純的鉬相、大體上純的至少一種附加的合金元素相以及第三相，所述第三相是一種包括鉬和至少一種附加的合金元素的合金。

4.根據權利要求1到3中任一項所述的濺射靶，其中所述至少一種附加的合金元素包括鈦。

5.根據權利要求1到4中任一項所述的濺射靶，其中所述大體上純的鉬相的量為所述濺射靶主體的大約30vol%到大約60vol%。

6.根據權利要求1到5中任一項所述的濺射靶，其中所述大體上純的鉬相的量小于所述濺射靶主體的大約48vol%。

7.根據權利要求1到6中任一項所述的濺射靶，其中所述大體上純的至少一種附加的合金元素相的量為大約5vol%到大約25vol%。

8.根據權利要求1到7中任一項所述的濺射靶，其中所述大體上純的至少一種附加的合金元素相是鈦，并且它的量小于大約10vol%。

9.根據權利要求1到8中任一項所述的濺射靶，其中所述鉬和至少一種附加的合金元素的合金的量為大約40vol%到大約65vol%。

10.根據權利要求1到9中任一項所述的濺射靶，其中所述鉬和至少一種附加的合金元素的合金包括β相的鉬和鈦，其含量大于合金的、靶的或兩者的大約40vol%。

11.一種制造權利要求1到10中任一項所述的濺射靶的方法，包括步驟：

a.提供第一和第二至少部分固結的金屬粉末段，每個段具有經處理的表面，并且每個段含有合金，所述合金包括大于大約30%重量的鉬和至少一種附加的合金元素；

b.將所述第一段的經處理的表面與所述第二段的經處理的表面直接接觸，接觸的表面之間基本沒有任何粘合劑來形成接觸的接合結構；以及

c.在溫度小于大約1080℃，壓力及時間足以實現在第一段和第二段之間形成牢固的連接的條件下，對接觸的結構進行等靜壓壓制，其中，在第一段和第二段之間基本沒有任何大于大約300μm寬的接合線。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述制造步驟包括從包含鉬和至少一種合金元素的合金形成所述第一段和第二段的步驟，其中所述至少一種合金元素選自鈦、鉻、鈮、鉭、鎢、鋯、鉿、釩、鋰、鈉、鉀或它們的任意組合。

13.根據權利要求11或12所述的方法，其中所述制造步驟包括從一合金形成所述第一段和第二段的步驟，所述合金包含鉬、鈦以及任選地鉻、鈮、鉭、鎢、鋯、鉿、釩、鋰、鈉、鉀或它們的任意組合。

14.根據權利要求11到13中任一項所述的方法，其中所述制造步驟包括從包含大約30at%到大約70at%的鉬和平衡鈦形成所述第一段和第二段的步驟，不包含雜質。

15.根據權利要求11到14中任一項所述的方法，其中所述制造步驟包括研磨所述第一段和第二段的一個或多個邊緣表面，使得平均表面粗糙度（Ra）小于大約150微英寸（3.8μm），從而為形成接觸的接合結構定義出相對的經處理表面。

16.根據權利要求11到15中任一項所述的方法，其中所述等靜壓壓制的步驟包括在大約500到大約1080℃的溫度之間進行壓制，同時所述接觸的結構密封在封閉的容器中。

17.根據權利要求11到16中任一項所述的方法，其中所述等靜壓壓制的步驟包括在至少大約70MPa的壓力下壓制，同時，所述接觸的結構密封在封閉的容器中。