[發明專利]在材料中形成斷面的方法

有效

• 申請號: 201280021785.X
• 申請日: 2012-04-27
• 公開（公告）號: CN103534800A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 歐拉麗·陶森;弗雷德里克·馬曾
• 申請（專利權）人: 原子能和替代能源委員會
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理事務所(普通合伙) 11270
• 代理人: 張穎玲;胡春光

1.一種由基板（20）或供體基板形成半導體材料層（34）的方法，所述基板或所述供體基板由相同的半導體材料制成，所述方法包括：

在所述供體基板中形成濃度在5x10¹⁸原子/cm³和5x10²⁰原子/cm³之間的高鋰濃度區域（22）；

然后，將氫注入（18、24）到在所述高鋰濃度區域或所述高鋰濃度區域的附近的供體基板中；

將經注入的供體基板與加固件（19）組裝；

施加熱預算以使得通過所述注入在所述供體基板（20）中界定的層（34）剝離。

2.根據權利要求1所述的方法，所述熱預算的溫度在150℃和700℃之間，并且所述溫度的施加時間在1分鐘至1個月之間。

3.根據權利要求1或2所述的方法，鋰通過離子注入（14）被引入。

4.根據權利要求3所述的方法，鋰以大于1x10¹³/cm²或在10¹³/cm²和5x10¹⁵/cm²之間的劑量被引入。

5.根據權利要求1或2所述的方法，鋰通過電解或擴散被引入。

6.根據權利要求5所述的方法，鋰在沉積或蒸發到所述基板的表面上之后通過擴散被引入。

7.根據權利要求6所述的方法，在沉積或蒸發到所述基板的表面上之后，所述擴散通過退火來完成。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的方法，氫離子以在10¹⁶原子/cm²和5.10¹⁷原子/cm²之間的劑量被引入（18）。

9.根據權利要求1至8中任一項所述的方法，在所述供體基板（20）中的氫（24）的平均注入深度與鋰的平均深度（22）相差一小于200nm的值。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的方法，所述經注入的供體基板與加固件（19）的組裝為分子組裝或直接組裝或粘合型組裝。

11.根據權利要求1至10中任一項所述的方法，所述供體基板（20）由硅制成。

12.根據權利要求11所述的方法，所述硅基板在其表面上是被氧化的。

13.根據權利要求1至11中任一項所述的方法，所述加固件（18）由藍寶石制成。

14.根據權利要求1至13中任一項所述的方法，所述供體基板和所述加固件具有熱膨脹系數，其中，就絕對值而言，兩者的熱膨脹系數的差值大于3.10^-6K^-1。