[發明專利]非氧化物單晶基板的研磨方法

有效

• 申請號: 201280020186.6
• 申請日: 2012-04-19
• 公開（公告）號: CN103493183A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 吉田伊織;竹宮聰;朝長浩之
• 申請（專利權）人: 旭硝子株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 金明花

1.非氧化物單晶基板的研磨方法，它是向不包含磨粒的研磨墊供給研磨液，使非氧化物單晶基板的被研磨面和所述研磨墊接觸，通過兩者間的相對運動進行研磨的方法，其特征在于，所述研磨液包含氧化還原電勢為0.5V以上的含過渡金屬的氧化劑、和水，且不含磨粒。

2.如權利要求1所述的非氧化物單晶基板的研磨方法，其特征在于，所述氧化劑為高錳酸離子。

3.如權利要求2所述的非氧化物單晶基板的研磨方法，其特征在于，所述研磨液中的所述高錳酸離子的含量為0.05質量％以上至5質量％。

4.如權利要求1～3中任一項所述的非氧化物單晶基板的研磨方法，其特征在于，所述研磨液的pH為11以下。

5.如權利要求4所述的非氧化物單晶基板的研磨方法，其特征在于，所述研磨液的pH為5以下。

6.如權利要求1～5中任一項所述的非氧化物單晶基板的研磨方法，其特征在于，所述非氧化物單晶基板是碳化硅(SiC)單晶基板或氮化鎵(GaN)單晶基板。