[發明專利]改進的超聲處理方法和裝置

有效

• 申請號: 201280019485.8
• 申請日: 2012-04-26
• 公開（公告）號: CN103492092A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 弗蘭克·盧德維格·霍爾斯蒂斯;亞歷山大·利珀特
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: B08B3/12
• 分類號: B08B3/12
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠

1.一種用于處理襯底的裝置，其包括：

用于所述襯底的保持器；

設置為與被所述保持器保持時的襯底間隔預定距離的聲波諧振器組件；

用于供應液體到被所述保持器保持時的所述襯底和所述聲波諧振器之間的間隙中的分配器；和

聲能的源，其能夠為所述聲波諧振器組件供應具有至少約100MHz的頻率的聲能。

2.根據權利要求1所述的裝置，其中所述保持器是用于在用于單個晶片濕法處理的工藝模塊中支撐半導體晶片的旋轉卡盤。

3.根據權利要求1所述的裝置，其中所述聲能的源為所述聲波諧振器組件供應具有至少500MHz的、優選地至少1GHz的、且更優選地在從500MHz到5GHz的范圍內的頻率的聲能。

4.根據權利要求1所述的裝置，其中所述聲波諧振器組件包括具有從200nm到20微米的、優選地從500nm到10微米的、且更優選地1-5微米的范圍內的厚度的至少一個壓電層。

5.根據權利要求1所述的裝置，其中所述聲波諧振器組件相對于所述保持器進行設置，使得當襯底被所述保持器支撐時，所述預定距離在從100μm到1000μm的范圍內。

6.根據權利要求4所述的裝置，其中所述至少一個壓電層是包括選自由AlN、鋯鈦酸鉛（PZT）、ZnO和GaAs組成的組中的至少一種壓電材料的多個層，所述多個層被耦合到面向所述保持器的諧振器板；其中所述多個層與成對的電極接觸，其中第一電極被設置在所述多個層的一側上，而第二電極被設置在所述多個層的相對側上。

7.根據權利要求6所述的裝置，其中所述諧振器板包括選自由藍寶石、硅和石英組成的組中的至少一種材料。

8.一種用于處理襯底的方法，其包括：

將襯底放置在保持器上；

距所述襯底的表面預定距離設置聲波諧振器組件；

將處理液分配到所述聲波諧振器組件和所述襯底之間的間隙中；以及

將具有至少約100MHz的頻率的聲能供應給所述聲波諧振器組件。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述保持器是用于在用于單個晶片濕法處理的工藝模塊中支撐半導體晶片的旋轉卡盤。

10.根據權利要求8所述的方法，其中將具有至少500MHz的、優選地至少1GHz的、且更優選地在從500MHz到5GHz的范圍內的頻率的聲能供應給所述聲波諧振器組件。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述聲波諧振器組件包括具有從200nm到20μm的、優選地從500nm到10μm的、且更優選地1-5μm的范圍內的厚度的至少一個諧振器島。

12.根據權利要求8所述的方法，其中所述預定距離小于0.2mm，且優選地在從100μm到1000μm的范圍內。

13.根據權利要求11所述的方法，其中所述至少一個諧振器島被耦合到面向所述保持器的諧振器板，且其中所述諧振器板包括選自由藍寶石、硅和石英組成的組中的至少一種材料。

14.根據權利要求9所述的方法，其中所述處理液是選自由去離子水、酒精、酸和堿組成的組中的用于清洗所述半導體晶片的表面的液體。

15.根據權利要求9所述的方法，其中所述處理液是含有金屬離子的、優選地是銅離子的溶液，以用于將金屬，優選地是銅，電沉積到所述半導體襯底的表面上。