[發明專利]噴墨用二氧化硅系被膜形成組合物、二氧化硅系被膜的形成方法、半導體設備及太陽能電池系統無效
| 申請號: | 201280019477.3 | 申請日: | 2012-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN103492499A | 公開(公告)日: | 2014-01-01 |
| 發明(設計)人: | 岡田悠平;吉川貴浩;野部茂 | 申請(專利權)人: | 日立化成株式會社 |
| 主分類號: | C09D11/00 | 分類號: | C09D11/00;C09D11/02;B41M5/00;H01L21/312;H01L31/04 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 鐘晶;於毓楨 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 噴墨 二氧化硅 系被膜 形成 組合 方法 半導體設備 太陽能電池 系統 | ||
1.一種噴墨用二氧化硅系被膜形成組合物,其特征在于,其含有硅化合物、溶劑和表面調節劑,
所述硅化合物為將如下單體成分水解、縮聚而得到的硅化合物,所述單體成分含有:
通式(I):PhSiX3所表示的化合物,式中,Ph表示也可具有取代基的苯基,X表示水解性基團,多個存在的X可以相同也可不同,
通式(II):R1nSiX4-n所表示的化合物,式中,R1表示碳原子數1~20的烷基,X表示水解性基團,n表示0或1的整數,多個存在的X可以相同也可不同,以及
通式(III):R22SiX2所表示的化合物,式中,R2表示碳原子數1~20的有機基團,X表示水解性基團,多個存在的R2以及X各自可以相同也可不同;
所述溶劑含有γ-丁內酯、沸點為80~100℃的第二溶劑以及沸點為180~230℃的第三溶劑,
相對于所述溶劑的總質量,所述γ-丁內酯的質量比為0.2以上,相對于所述溶劑的總質量,所述第二溶劑的質量比為0.2~0.5。
2.如權利要求1所述的組合物,其中,所述表面調節劑為硅酮系表面調節劑。
3.一種二氧化硅系被膜的形成方法,其特征在于,其具備:
通過噴墨法排出權利要求1或2所述的組合物而進行圖案描繪,形成描繪圖案膜的工序,和
使所述描繪圖案膜固化的工序。
4.一種半導體設備,其特征在于,其具備:
基板,和
在該基板上通過權利要求3所述的方法而形成的二氧化硅系被膜。
5.一種太陽能電池系統,其特征在于,其具備權利要求4所述的半導體設備。
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