[發明專利]二氧化硅負載催化劑有效
| 申請號: | 201280019327.2 | 申請日: | 2012-04-09 |
| 公開(公告)號: | CN103476491A | 公開(公告)日: | 2013-12-25 |
| 發明(設計)人: | 遠藤聰;加藤高明 | 申請(專利權)人: | 旭化成化學株式會社 |
| 主分類號: | B01J23/28 | 分類號: | B01J23/28;B01J23/31;B01J23/34;B01J27/057;C07C253/24;C07C255/08;C07B61/00 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 二氧化硅 負載 催化劑 | ||
1.一種二氧化硅負載催化劑,其為在通過丙烷或異丁烷的氣相催化氨氧化反應來制造對應的不飽和腈時使用的二氧化硅負載催化劑,其含有下述式(1)所示的金屬氧化物:
MoVaNbbXcTdZeOn…(1)
式(1)中,X表示選自Sb和Te中的至少1種以上的元素,T表示選自Ti、W、Mn和Bi中的至少1種以上的元素,Z表示選自La、Ce、Yb和Y中的至少1種以上的元素;a、b、c、d和e分別處于0.05≤a≤0.5、0.01≤b≤0.5、0.001≤c≤0.5、0≤d≤1、0≤e≤1的范圍,n為滿足化合價的平衡的值,
所述二氧化硅負載催化劑的平均孔徑為60~120nm,總孔容為0.15cm3/g以上,比表面積為5~25m2/g,并且由基于X射線衍射的(001)峰的半值寬度求出的微晶尺寸為40~250nm。
2.根據權利要求1所述的二氧化硅負載催化劑,其中,孔徑小于60nm的細孔的孔容相對于總孔容小于30%,并且孔徑超過120nm的細孔的孔容相對于總孔容小于30%。
3.根據權利要求1或2所述的二氧化硅負載催化劑,其中,二氧化硅的負載量相對于包含所述金屬氧化物和二氧化硅的催化劑的總質量為20~70質量%。
4.一種二氧化硅負載催化劑的制造方法,其具有以下的工序(I)~(IV):
工序(I),制備原料配制液,所述原料配制液含有Mo、V、Nb、X、T和Z,且相對于1個Mo原子的V的原子比a、Nb的原子比b、X的原子比c、T的原子比d和Z的原子比e分別為0.05≤a≤0.5、0.01≤b≤0.5、0.001≤c≤0.5、0≤d≤1和0≤e≤1;
工序(II),將所述原料配制液干燥,得到干燥粉體;
工序(III),將所述干燥粉體在200~400℃下進行前段燒成,得到前段燒成體;
工序(IV),將所述前段燒成體在600~750℃下進行正式燒成,得到燒成體,
所述原料配制液含有:相對于二氧化硅原料的總質量為0~30質量%的平均一次顆粒直徑為3nm以上且小于20nm的硅溶膠(i)、相對于二氧化硅原料的總質量為30~70質量%的平均一次顆粒直徑為20nm以上且100nm以下的硅溶膠(ii)、相對于二氧化硅原料的總質量為30~70質量%的平均一次顆粒直徑為50nm以下的粉體二氧化硅,硅溶膠(i)、硅溶膠(ii)和粉體二氧化硅的總和按二氧化硅基準計為100質量%。
5.一種制造不飽和腈的方法,其通過使用權利要求1~3中任一項所述的二氧化硅負載催化劑進行丙烷或異丁烷的氣相催化氨氧化反應來制造對應的不飽和腈。
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