[發明專利]薄膜晶體管、顯示面板和薄膜晶體管的制造方法

有效

• 申請號: 201280019248.1
• 申請日: 2012-04-12
• 公開（公告）號: CN103477441A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 守口正生;神崎庸輔;高西雄大;楠見崇嗣
• 申請（專利權）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/417
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，具備：

設置于基板的柵極電極；

以覆蓋所述柵極電極的方式設置的柵極絕緣膜；

設置在所述柵極絕緣膜上、以與所述柵極電極重疊的方式配置有溝道區域的包含氧化物半導體的半導體層；

隔著還原性高于該半導體層的金屬層設置于所述半導體層、以夾著所述溝道區域地相互分離的方式配置的源極電極和漏極電極；

設置于所述半導體層、與所述金屬層接觸而被還原的導電區域；和

設置于所述半導體層、用于抑制所述導電區域對所述溝道區域的擴散的擴散抑制部。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于：

所述擴散抑制部以抑制所述半導體層與所述金屬層的接觸面積的方式構成。

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于：

所述金屬層設置于所述半導體層的與所述基板相反的一側，

在所述半導體層，設置有分別構成所述擴散抑制部的第一開口部和第二開口部，使得所述柵極絕緣膜從該半導體層露出，

所述金屬層經所述第一開口部和第二開口部的各側壁與所述半導體層接觸。

4.如權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于：

在所述半導體層與所述金屬層的層間，設置有包含無機絕緣膜的保護膜，

在所述保護膜，以與所述第一開口部重疊的方式設置有俯視時大于該第一開口部的第三開口部，并且以與所述第二開口部重疊的方式設置有俯視時大于該第二開口部的第四開口部，

所述第一開口部的側壁和所述第三開口部的側壁連續，并且所述第二開口部的側壁和所述第四開口部的側壁連續。

5.如權利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于：

在所述半導體層與所述金屬層的層間，設置有包含無機絕緣膜的保護膜，

在所述保護膜，以與所述第一開口部重疊的方式設置有俯視時大于該第一開口部的第三開口部，并且以與所述第二開口部重疊的方式設置有俯視時大于該第二開口部的第四開口部，

所述半導體層的所述第一開口部的端緣從所述第三開口部露出，并且所述半導體層的所述第二開口部的端緣從所述第四開口部露出。

6.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于：

在所述半導體層，以所述溝道區域的外側的區域與所述柵極絕緣膜分離的方式設置有構成所述擴散抑制部的分離部，

所述金屬層、源極電極和漏極電極設置于所述柵極絕緣膜與所述半導體層的分離部的層間，

所述金屬層經所述分離部與所述半導體層接觸。

7.如權利要求6所述的薄膜晶體管，其特征在于：

在所述半導體層上，以覆蓋該半導體層的方式設置有包含無機絕緣膜的上側保護膜。

8.如權利要求6或7所述的薄膜晶體管，其特征在于：

在所述源極電極和漏極電極與所述半導體層的分離部的層間，以覆蓋該源極電極和漏極電極的上表面的方式設置有包含無機絕緣膜的下側保護膜。

9.如權利要求6～8中任一項所述的薄膜晶體管，其特征在于：

所述源極電極和漏極電極設置在所述金屬層上，

與所述半導體層的分離部接觸的部分，所述金屬層比所述源極電極和漏極電極突出。

10.如權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于：

在所述半導體層上，以覆蓋該半導體層的上表面并且使該半導體層的側面露出的方式形成有構成所述擴散抑制部的溝道保護膜，

所述金屬層與從所述溝道保護膜露出的所述半導體層的側面接觸。

11.如權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于：

所述擴散抑制部以抑制所述導電區域的所述半導體層的膜厚的方式構成。

12.如權利要求11所述的薄膜晶體管，其特征在于：

所述半導體層與所述導電區域對應地具有形成得比所述溝道區域的膜厚薄、且分別構成所述擴散抑制部的第一薄膜部和第二薄膜部，

所述金屬層經所述第一薄膜部和第二薄膜部與所述半導體層接觸。

13.如權利要求12所述的薄膜晶體管，其特征在于：

所述半導體層中，所述第一薄膜部和第二薄膜部的膜厚為所述溝道區域的膜厚的1／10～1／2。