[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201280018795.8 | 申請日: | 2012-04-18 |
| 公開(公告)號: | CN103493197B | 公開(公告)日: | 2017-03-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 門口卓矢;巖崎真悟;川島崇功;奧村知巳;西畑雅由 | 申請(專利權(quán))人: | 豐田自動車株式會社;株式會社電裝 |
| 主分類號: | H01L23/495 | 分類號: | H01L23/495 |
| 代理公司: | 北京金信知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11225 | 代理人: | 黃威,鄧玉婷 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置,包括:
第一半導(dǎo)體元件;
第一厚板部,所述第一厚板部被電連接到第一半導(dǎo)體元件的下表面?zhèn)鹊碾姌O上,并且所述第一厚板部由導(dǎo)體形成;
第二半導(dǎo)體元件,所述第二半導(dǎo)體元件被布置成所述第二半導(dǎo)體元件的主表面面向所述第一半導(dǎo)體元件的主表面;
第二厚板部,所述第二厚板部被電連接到所述第二半導(dǎo)體元件的下表面?zhèn)鹊碾姌O上,并且所述第二厚板部由導(dǎo)體形成;
第三厚板部,所述第三厚板部被電連接到所述第一半導(dǎo)體元件的上表面?zhèn)鹊碾姌O上,并且所述第三厚板部由導(dǎo)體形成;
第四厚板部,所述第四厚板部被電連接到所述第二半導(dǎo)體元件的上表面?zhèn)鹊碾姌O上,并且所述第四厚板部由導(dǎo)體形成;
第一薄板部,所述第一薄板部由導(dǎo)體形成并被設(shè)置在所述第二厚板部上,且所述第一薄板部比所述第二厚板部薄;以及
第二薄板部,所述第二薄板部由導(dǎo)體形成并被設(shè)置在所述第三厚板部上,且所述第二薄板部比所述第三厚板部薄,
其中所述第一薄板部和所述第二薄板部被固定在一起并且被電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中所述第一薄板部被設(shè)置在所述第二厚板部的所述第一厚板部側(cè)上;所述第二薄板部被設(shè)置在所述第三厚板部的所述第四厚板部側(cè)上;并且在所述第一半導(dǎo)體元件的厚度方向上,所述第一薄板部和所述第二薄板部被電連接在所述第一厚板部的位置與所述第三厚板部的位置之間的位置處。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置,其中在所述第一半導(dǎo)體元件的所述厚度方向上,所述第一薄板部和所述第二薄板部被電連接在所述第一厚板部的所述位置與所述第三厚板部的所述位置之間的中間位置處。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置,其中所述第一薄板部被設(shè)置在所述第二厚板部的所述第一厚板部側(cè)上;所述第二薄板部被設(shè)置在所述第三厚板部的所述第四厚板部側(cè)上;所述第二薄板部水平地延伸并且與所述第三厚板部的下表面具有同一平面;并且所述第一薄板部包括向上彎曲以形成與所述第二薄板部的下表面接觸的接合表面的形狀部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的半導(dǎo)體裝置,進一步包括覆蓋所述第一半導(dǎo)體元件、所述第二半導(dǎo)體元件、所述第一薄板部以及所述第二薄板部的樹脂。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置,進一步包括被電連接到所述第一厚板部、第二厚板部、第三厚板部和第四厚板部中的一個厚板部上的外部引線,并且所述外部引線露出于所述樹脂的外部,其中所述第一薄板部和所述第二薄板部各自的厚度等于或大于所述外部引線的厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體裝置,進一步包括被配置在所述第一厚板部上且與所述第一半導(dǎo)體元件相距預(yù)定間隔的第三半導(dǎo)體元件,其中所述樹脂的側(cè)表面具有凹陷部,在包括所述預(yù)定間隔的區(qū)域中,所述凹陷部在與所述第二薄板部相對的一側(cè)上向內(nèi)凹陷。
8.根據(jù)權(quán)利要求5至7中任一項所述的半導(dǎo)體裝置,進一步包括被配置在所述第二厚板部上且與所述第二半導(dǎo)體元件相距預(yù)定間隔的第四半導(dǎo)體元件,其中所述樹脂的側(cè)表面具有凹陷部,在包括所述預(yù)定間隔的區(qū)域中,所述凹陷部在與所述第一薄板部相對的一側(cè)上向內(nèi)凹陷。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的半導(dǎo)體裝置,其中在形成于所述第一薄板部上并且接觸所述第二薄板部的下表面的接合表面和形成于所述第二薄板部上并且接觸所述第一薄板部的上表面的接合表面中的至少一個接合表面的區(qū)域上形成凹槽。
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