[發明專利]用于磁屏蔽的系統

無效

• 申請號: 201280018758.7
• 申請日: 2012-02-13
• 公開（公告）號: CN103477285A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: A.羅森塔爾
• 申請（專利權）人: 邁普爾平版印刷IP有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01J37/147;H01J37/317;H01L21/67
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 李國華

1.一種用于磁屏蔽帶電粒子光刻設備的系統，該系統包括：

第一腔室，具有包括磁屏蔽材料的壁，該第一腔室至少部分地包圍所述帶電粒子光刻設備；

第二腔室，具有包括磁屏蔽材料的壁，該第二腔室包圍所述第一腔室；以及

一組兩個線圈，被設置在所述第二腔室中并位于所述第一腔室的相對側上，所述兩個線圈具有公共軸線。

2.如權利要求1所述的系統，其中所述第二腔室包圍：

第一組兩個線圈，設置在所述第一腔室的相對側上，所述第一組的兩個線圈具有在第一方向上的公共軸線；

第二組兩個線圈，設置在所述第一腔室的相對側上，所述第二組的兩個線圈具有在第二方向上的公共軸線，該第二方向基本上垂直于所述第一方向；以及

第三組兩個線圈，設置在所述第一腔室的相對側上，所述第三組的兩個線圈具有在第三方向上的公共軸線，該第三方向基本上垂直于所述第一方向和所述第二方向。

3.如權利要求1或2所述的系統，其中在線圈與所述第二腔室的最接近的壁之間沿著基本上平行于公共軸線的方向所測量的距離小于在該線圈與所述第一腔室的最接近的壁之間的這種距離。

4.如權利要求3所述的系統，其中在所述線圈與所述第一腔室的最接近的壁之間的距離至少是在該線圈與所述第二腔室的最接近的壁之間的距離的兩倍。

5.如前述權利要求中任一項所述的系統，其中所述線圈被設置為靠近所述第二腔室的壁。

6.如前述權利要求中任一項所述的系統，其中所述第一腔室的所有壁被設置為比所述第二腔室的至少一個壁更加接近所述帶電粒子光刻設備。

7.如權利要求6所述的系統，其中所述第一腔室的所有壁被設置為比所述第二腔室的任何壁更加接近所述帶電粒子光刻設備。

8.如前述權利要求中任一項所述的系統，其中所述磁屏蔽材料包含具有高于大約300,000的相對磁導率的材料。

9.如權利要求8所述的系統，其中所述材料為μ金屬。

10.如前述權利要求中任一項所述的系統，其中所述第一腔室配備有消磁裝置。

11.如前述權利要求中任一項所述的系統，其中所述第二腔室配備有消磁裝置。

12.如權利要求10或11所述的系統，其中所述消磁裝置包括一個或多個消磁線圈。

13.如前述權利要求中任一項所述的系統，其中所述第一腔室具有立方形、圓柱形或盒狀的形狀。

14.如前述權利要求中任一項所述的系統，進一步包括至少一個磁場傳感器，該至少一個磁場傳感器用于測量所述第一腔室內的磁場。

15.如前述權利要求中任一項所述的系統，進一步包括至少一個另外的磁場傳感器，該至少一個另外的磁場傳感器用于測量所述第二腔室內的磁場。

16.如權利要求15所述的系統，其中所述第一腔室設置有開口，以允許源自于所述光刻設備的輻射被暴露于所述第二腔室中在基板支持結構上提供的待處理的基板上，其中所述至少一個另外的磁場傳感器被定位在所述第一腔室與靠近所述開口的基板支持結構之間。

17.如權利要求14-16中任一項所述的系統，進一步包括控制系統，該控制系統用于基于所述至少一個磁場傳感器和/或所述至少一個另外的磁場傳感器提供的信息控制流過所述線圈的電流。

18.如前述權利要求中任一項所述的系統，其中所述帶電粒子光刻設備包括：

帶電粒子源，用于產生一個或多個帶電粒子射束；

可移動裝置，用于支撐目標；以及

圖案化裝置，用于依據圖案將所述一個或多個帶電粒子射束轉移到目標的表面上。

19.如權利要求18所述的系統，其中所述第一腔室包圍所述帶電粒子源和所述圖案化裝置，其中所述可移動裝置位于所述第一腔室的外側，且其中所述第一腔室在面對所述可移動裝置的一側處設置有開口。

20.如前述權利要求中任一項所述的系統，其中所述第一腔室和所述第二腔室中的至少一個設置有可移除附接的門，其中所述門通過一個或多個連接條狀件附接。