[發明專利]通過高沸點的氯硅烷或含氯硅烷的混合物制備氯硅烷的方法有效
| 申請號： | 201280018504.5 | 申請日： | 2012-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN103517874B | 公開（公告）日： | 2016-10-26 |
| 發明（設計）人： | E·米;H·勞萊德;R·肖爾克 | 申請（專利權）人： | 贏創德固賽有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/107 | 分類號： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 石克虎;林森 |
| 地址： | 德國*** | 國省代碼： | 德國;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 通過 沸點 硅烷 混合物 制備 方法 | ||
1.制備通式H4-nSiCln的氯硅烷的方法，其中n＝1、2、3和/或4，其特征在于，在至少一個含硅的反應器中，硅床中的硅與Cl2或HCl和至少一種含硅的化合物進行反應。
2.根據權利要求1的方法，其中使用固定床反應器、流化床反應器和/或攪拌床反應器。
3.根據權利要求1或2的方法，其中硅床中的Si與Cl2或HCl，和至少一種以混合物G形式的含硅化合物進行反應，
(G)含有帶有至少2個Si原子的聚硅烷、聚氯硅烷、聚甲基氯硅烷、含氯的聚硅氧烷、不含氯的聚硅氧烷、聚甲基氯硅氧烷、HSiCl3、(CH3)HSiCl2、(CH3)H2SiCl、CH3SiCl3、(CH3)2SiCl2、(CH3)3SiCl、CH3SiH3、(CH3)2SiH2、(CH3)3SiH和/或SiCl4。
4.根據權利要求2或3的方法，其特征在于，Cl2或HCl在固定床反應器和/或流化床反應器的格柵的下面流過硅床，并且混合物G在格柵的下面或上面流進。
5.根據前述權利要求之一的方法，其特征在于，反應器調節到反應器中心的溫度為800℃至1300℃。
6.根據權利要求3-5之一的方法，其中G是由以下物質組成的混合物：
聚硅烷和聚硅氧烷，
聚硅烷和SiCl4，
聚硅烷和HSiCl3，
聚硅烷和聚硅氧烷和SiCl4，
聚硅烷和聚硅氧烷和HSiCl3，
聚硅烷和聚硅氧烷和SiCl4和HSiCl3，
聚硅氧烷和SiCl4，
聚硅氧烷和HSiCl3，或者
聚硅氧烷和SiCl4和HSiCl3。
7.根據權利要求1的方法，其中所述含硅的化合物選自含氯或不含氯的硅氧烷，或者通式SinHxCly的硅烷，是線性的，n＝1至20，x+y＝2n+2，或者環狀的，n＝3至8，x+y＝2n。
8.根據權利要求1、4或5的方法，其中所述反應器，
如果使用Cl2而不使用HCl，則在反應器中心調節溫度為900℃至1300℃，或者，
如果使用HCl而不使用Cl2，則在反應器中心調節溫度為800℃至1200℃，優選900℃至1100℃，特別優選950℃至1050℃。
9.根據權利要求3-8之一的方法，其中，通過氯化氫流或流進的混合物G的流來調節反應器中心的溫度。
10.根據前述權利要求之一的方法，其中，用至少一種液態的含硅化合物流過硅床。
11.根據權利要求1至10至少一項獲得的氯硅烷。
12.根據權利要求11的氯硅烷，處于與高沸物一起形成的混合物中，含有：
10至20重量％HSiCl3或80至90％重量％SiCl4和0.1至3重量％二氯硅烷，和0.1至3重量％高沸物。
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