[發明專利]熒光體及其制造方法有效
| 申請號： | 201280018413.1 | 申請日： | 2012-02-06 |
| 公開（公告）號： | CN103476902A | 公開（公告）日： | 2013-12-25 |
| 發明（設計）人： | 元炯植;金圣民;閔贊淑;尹喆洙 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | C09K11/64 | 分類號： | C09K11/64;C09K11/80;C09K11/79 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人： | 韓明星;韓芳 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 熒光 及其 制造 方法 | ||
1.一種熒光體，具有如下組成式1：
[組成式1]
SrySi(6-z)AlzOzN(8-z):Rex，
其中，x、y、z分別滿足0.005≤x≤0.05、0.05≤y≤0.5、0.001≤z≤0.50，Re為稀土元素。
2.如權利要求1所述的熒光體，其中，所述z為0.10～0.35。
3.如權利要求1所述的熒光體，其中，當照射激勵源時，發光峰值波長在525～537nm范圍內。
4.如權利要求1所述的熒光體，其中，所述稀土元素是從由Eu和Ce構成的組中選擇。
5.一種熒光體，具有如下組成式2：
[組成式2]
SryBamSi(6-z)AlzOzN(8-z):Rex，
其中，x、y、z分別滿足0.005≤x≤0.05、0.05≤y≤0.5、0.50<z≤1.0，m滿足0.003≤m≤0.125，Re為稀土元素。
6.如權利要求5所述的熒光體，其中，所述m為0.01≤m≤0.125。
7.如權利要求5所述的熒光體，其中，當照射激勵源時，發光峰值波長在525～537nm范圍內。
8.一種熒光體，具有如下組成式3：
[組成式1]
SrySi(6-z)AlzOzN(8-z):Rex，
其中，x、y、z分別滿足0.005≤x≤0.05、0.05≤y≤0.5、0.50<z≤1.0，m滿足0.05≤m≤0.5，Re為稀土元素。
9.如權利要求8所述的熒光體，其中，所述z為0.58≤z≤0.75。
10.如權利要求8所述的熒光體，其中，當照射激勵源時，發光峰值波長在525～537nm范圍內。
11.一種熒光體制造方法，包括如下步驟：
將鍶前驅體、硅前驅體、鋁前驅體、以及活性物質前驅體進行混合而生成混合物；
使所述混合物在氮氣氛圍下燒結，
在此，所述熒光體具有如下組成式1：
[組成式1]
SrySi(6-z)AlzOzN(8-z):Rex，
其中，x、y、z分別滿足0.005≤x≤0.05、0.05≤y≤0.5、0.001≤z≤0.50，Re為稀土元素。
12.如權利要求11所述的熒光體制造方法，其中，所述鍶前驅體為SrCO3。
13.如權利要求11所述的熒光體制造方法，其中，所述鋁前驅體是從由金屬鋁和氮化鋁構成的組中選擇。
14.如權利要求11所述的熒光體制造方法，其中，所述活性物質前驅體為包含所述稀土元素的化合物。
15.如權利要求14所述的熒光體制造方法，其中，所述稀土元素是從由Eu和Ce構成的組中選擇。
16.如權利要求11所述的熒光體制造方法，其中，進行所述燒結的步驟是在1800℃～2200℃下進行。
17.如權利要求11所述的熒光體制造方法，其中，進行所述燒結的步驟是在0.1～10Mpa的氮氣壓力下進行。
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