[發(fā)明專利]用于半導(dǎo)體處理的電子束增強(qiáng)解耦源

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280018081.7
• 申請日: 2012-04-10
• 公開（公告）號: CN103620729B
• 公開（公告）日: 2016-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 約翰·帕特里克·霍蘭;彼得·L·G·溫特澤克;哈梅特·辛格;品川俊;越石光
• 申請（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;B05D3/06;B05D3/14
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 李獻(xiàn)忠

1.一種半導(dǎo)體襯底處理系統(tǒng)，其包括：

處理室；

限定為在所述處理室中支撐襯底的襯底支撐件；

限定為與所述處理室分隔的等離子體室，所述等離子體室被限定來產(chǎn)生等離子體；

流體連接所述等離子體室和所述處理室的多個流體傳輸通路，所述多個流體傳輸通路被限定來將所述等離子體的反應(yīng)性成分從所述等離子體室供應(yīng)到所述處理室；以及

電子束源，其被限定來產(chǎn)生電子束并在所述襯底支撐件之上且跨越所述襯底支撐件傳送所述電子束穿過所述處理室。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體襯底處理系統(tǒng)，其中所述電子束源被限定為沿著與限定來支撐所述襯底的所述襯底支撐件的表面實質(zhì)上平行的軌道輸送所述電子束。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體襯底處理系統(tǒng)，其中所述電子束源被限定為在共同的方向上、在所述襯底支撐件之上并跨越所述襯底支撐件輸送多個在空間上分開的電子束穿過所述處理室。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體襯底處理系統(tǒng)，其中所述電子束源被限定為在各自的多個方向上、在所述襯底支撐件之上并跨越所述襯底支撐件輸送多個在空間上分開的電子束穿過所述處理室。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體襯底處理系統(tǒng)，其中所述電子束源被限定為循序輸送所述多個在空間上分開的電子束。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體襯底處理系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括：

設(shè)置在所述襯底支撐件的周界之外且在所述襯底支撐件之上的多個導(dǎo)電網(wǎng)格，所述多個導(dǎo)電網(wǎng)格被電連接到電源以便以獨立受控的方式將受控的電壓電平施加給所述多個導(dǎo)電網(wǎng)格中的每一個。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體襯底處理系統(tǒng)，其中所述電子束源被限定作為設(shè)置在所述襯底支撐件的周界之外且在所述襯底支撐件之上的中空陰極，所述中空陰極具有朝向所述襯底支撐件之上的所述處理室的區(qū)域的出口，且

其中所述多個導(dǎo)電網(wǎng)格中的給定的一個被設(shè)置在所述中空陰極的所述出口和所述襯底支撐件之上的所述處理室的所述區(qū)域之間以促進(jìn)從所述中空陰極萃取電子。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體襯底處理系統(tǒng)，其中所述多個導(dǎo)電網(wǎng)格中的另一個被設(shè)置為與在所述襯底支撐件對面的所述中空陰極的所述出口相對以提供用于待由所述中空陰極輸送的所述電子束的電壑。

9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體襯底處理系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括：

連接到所述多個導(dǎo)電網(wǎng)格的加熱器以控制所述多個導(dǎo)電網(wǎng)格的溫度。

10.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體襯底處理系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括：

與所述中空陰極的內(nèi)部區(qū)域流體連通的氣體源，所述氣體源被限定來供應(yīng)工藝氣體到所述中空陰極的所述內(nèi)部區(qū)域；以及

與所述中空陰極的所述內(nèi)部區(qū)域中的一或多個功率傳送部件電連接的電源，所述電源被限定來供應(yīng)直流功率、射頻功率、或者直流功率和射頻功率的組合到所述中空陰極的所述內(nèi)部區(qū)域中的所述一或多個功率傳送部件以實現(xiàn)在所述中空陰極的所述內(nèi)部區(qū)域中所述工藝氣體至等離子體的轉(zhuǎn)變。

11.一種用于處理半導(dǎo)體襯底的方法，其包括：

將襯底放置在暴露于處理區(qū)域的襯底支撐件上；

在與所述處理區(qū)域分隔的等離子體產(chǎn)生區(qū)域中產(chǎn)生等離子體；

將所述等離子體的反應(yīng)性成分從所述等離子體產(chǎn)生區(qū)域供應(yīng)到所述處理區(qū)域；以及

將電子注入到所述襯底之上的所述處理區(qū)域中，其中所注入的所述電子修改所述處理區(qū)域中的離子密度從而影響所述襯底的處理。

12.如權(quán)利要求11所述的用于處理半導(dǎo)體襯底的方法，其中將電子注入到所述處理區(qū)域中包括沿著與所述襯底的上表面實質(zhì)上平行的軌道傳送電子束。

13.如權(quán)利要求12所述的用于處理半導(dǎo)體襯底的方法，其中所述電子束的所述軌道以線性方式從在所述襯底支撐件的外圍之外且在所述襯底支撐件之上的第一位置延伸到在所述襯底支撐件的所述外圍之外且在所述襯底支撐件之上的第二位置。

14.如權(quán)利要求13所述的用于處理半導(dǎo)體襯底的方法，其進(jìn)一步包括：

將正電荷施加到在第二位置處的導(dǎo)電網(wǎng)格使得所述導(dǎo)電網(wǎng)格充當(dāng)用于沿著所述軌道傳送的所述電子束的電壑。

15.如權(quán)利要求11所述的用于處理半導(dǎo)體襯底的方法，其中所述電子以脈沖方式注入到所述處理區(qū)域中。