[發明專利]包括常閉和常開器件的共源共柵開關以及包括這樣的開關的電路

無效

• 申請號: 201280017874.7
• 申請日: 2012-03-22
• 公開（公告）號: CN103493374A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: N·斯普林格特
• 申請（專利權）人: PI公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687;H03K17/74
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 呂俊剛;劉久亮

1.一種開關，所述開關包括：

第一常開半導體器件，所述第一常開半導體器件包括柵極、源極和漏極；

第一常閉半導體器件，所述第一常閉半導體器件包括柵極、源極和漏極；

第一電容器；以及

第一二極管；

其中，所述第一常開半導體器件的源極連接到所述第一常閉半導體器件的漏極；

其中，所述第一常開半導體器件的柵極經由第一電容器連接到所述第一常閉半導體器件的源極；并且

其中，所述第一二極管與所述第一電容器并行地連接在所述第一常開半導體器件的柵極與所述第一常閉半導體器件的源極之間，其中，所述第一二極管的陰極連接到所述第一常開半導體器件的柵極并且所述第一二極管的陽極連接到所述第一常閉半導體器件的源極。

2.根據權利要求1所述的開關，其中，所述第一二極管是第一齊納二極管。

3.根據權利要求2所述的開關，其中，所述第一齊納二極管具有15-25V的齊納電壓。

4.根據權利要求1所述的開關，所述開關進一步包括第二齊納二極管和第三齊納二極管，所述第二齊納二極管和所述第三齊納二極管反向串行連接在所述第一常閉半導體器件的柵極與源極之間。

5.根據權利要求1所述的開關，所述開關進一步包括第一二極管和第二二極管，所述第一二極管和所述第二二極管彼此并行地連接在所述第一常開半導體器件的漏極與所述第一常閉半導體器件的源極之間，使得所述第一二極管和所述第二二極管中的每一個的陰極連接到所述第一常開半導體器件的漏極。

6.根據權利要求1所述的開關，所述開關進一步包括二極管和電阻器，所述二極管和所述電阻器串行連接在所述第一常閉半導體器件的柵極與所述第一電容器和所述第一常開半導體器件的柵極之間的電連接之間，其中，所述二極管的陽極連接到所述第一常閉半導體器件的柵極。

7.根據權利要求1所述的開關，所述開關進一步包括電阻器和二極管，所述電阻器和所述二極管彼此并行地并且與所述第一電容器串行地布置在所述第一常開半導體器件的柵極與所述第一電容器之間。

8.根據權利要求7所述的開關，其中，所述二極管的陰極連接到所述第一常開半導體器件的柵極。

9.根據權利要求7所述的開關，其中，所述二極管的陽極連接到所述第一常開半導體器件的柵極。

10.根據權利要求1所述的開關，所述開關進一步包括電阻器和第二電容器，所述電阻器和所述第二電容器串行地布置在所述第一常閉半導體器件的柵極與所述第一常開半導體器件的漏極之間。

11.根據權利要求1所述的開關，其中，所述第一常開半導體器件是高電壓器件。

12.根據權利要求1所述的開關，其中，所述第一常開半導體器件是結型場效應晶體管。

13.根據權利要求1所述的開關，其中，所述第一常開半導體器件是SiC結型場效應晶體管。

14.根據權利要求1所述的開關，其中，所述第一常閉半導體器件是低電壓器件。

15.根據權利要求1所述的開關，其中，所述第一常閉半導體器件是金屬氧化物半導體場效應晶體管。

16.根據權利要求1所述的開關，其中，所述第一常閉半導體器件是Si金屬氧化物半導體場效應晶體管。

17.根據權利要求1所述的開關，其中：

所述開關進一步包括一個或多個額外的常開半導體器件；

所述一個或多個額外的常開半導體器件中的每一個的漏極連接到所述第一常開半導體器件的漏極；

所述一個或多個額外的常開半導體器件中的每一個的源極連接到所述第一常閉半導體器件的漏極；并且

所述第一常開半導體器件的柵極連接到所述一個或多個額外的常開半導體器件中的每一個的柵極以形成公共柵極，并且其中，所述公共柵極經由所述第一電容器連接到所述第二常閉半導體器件的源極。