[發明專利]有機EL元件的制造方法

有效

• 申請號: 201280017672.2
• 申請日: 2012-11-06
• 公開（公告）號: CN103503566B
• 公開（公告）日: 2016-11-02
• 發明（設計）人: 青沼昌樹
• 申請（專利權）人: 株式會社日本有機雷特顯示器
• 主分類號: H05B33/10
• 分類號: H05B33/10;H01L51/50;H05B33/26
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 徐健;段承恩

技術領域

本發明涉及有機EL元件的制造技術，尤其涉及有機EL元件的電極形成技術。

背景技術

對于有機EL（電致發光）元件，通過在基板上按照下部電極、一層或多層有機功能層以及上部電極的順序進行成膜，從而制造有機EL元件。

在該有機EL元件的制造工序中，通過熱、等離子體等向靶材料提供能量，使構成靶材料的電極材料的粒子附著并堆積于成膜基底，由此形成電極。

由于通過熱、等離子體等向靶材料提供能量，因此在有機功能層上成膜上部電極的工序中，作為成膜基底的有機功能層有時會受到熱、等離子體等的影響而受到損傷。該有機功能層的損傷會導致有機EL元件的驅動電壓、元件壽命等特性下降。

因此，在上部電極的成膜工序中，擔心會由于對基底的有機功能層的損傷而引起有機EL元件的驅動電壓、元件壽命等特性下降，因而通常采用蒸鍍法、或者低能量工藝的濺射法（參考專利文獻1、專利文獻2）。例如在專利文獻2中，通過使成膜功率密度為1W/cm²的濺射法來成膜上部電極。

在先技術文獻

專利文獻1：日本特開2007-95338號公報

專利文獻2：日本特開2007-39712號公報

發明內容

發明要解決的問題

以往，通過蒸鍍法或者低能量工藝的濺射法，在有機功能層上成膜電極，由此來制造有機EL元件，但無法得到足夠的驅動電壓以及元件壽命的特性。

本發明是鑒于上述情形而完成的發明，目的在于提供一種能夠制造驅動電壓、元件壽命的特性優異的有機EL元件的有機EL元件制造方法。

用于解決問題的手段

為了達成上述目的，作為本發明的一實施方式的有機EL元件的制造方法是具有包括上部電極和下部電極的一對電極、以及設置在所述一對電極之間的有機功能層的有機EL元件的制造方法，其特征在于，使用磁控濺射法，以4.5W/cm²以上且9.0W/cm²以下的成膜功率密度，在所述有機功能層上形成所述上部電極。

發明的效果

通過4.5W/cm²以上且9.0W/cm²以下的成膜功率密度的磁控濺射法，以高能量工藝在有機功能層上形成電極，因此能夠提高有機功能層和電極之間的密著性。由此，能夠制造驅動電壓、元件壽命的特性優異的有機EL元件。

附圖說明

圖1是表示有機EL元件100的結構的一例的剖視圖。

圖2是表示有機EL元件的制造工序的流程圖。

圖3是表示磁控濺射裝置300的結構的圖。

圖4是表示改變成膜方式而成膜的ITO膜的單膜評價結果的圖。

圖5是表示改變氛圍氣壓的成膜條件而成膜的ITO膜的單膜評價結果的圖。

圖6是表示改變成膜方式而成膜的ITO膜的透射率的測定結果的圖。

圖7是表示改變氛圍氣壓的成膜條件而成膜的ITO膜的透射率的測定結果的圖。

圖8是表示Alq3膜/ITO膜界面的XPS分析結果的圖。

圖9是表示等離子體特性的測定結果的圖。

圖10是表示通過對向靶式濺射法成膜的ITO膜的SEM照片的圖。

圖11是表示通過磁控濺射法成膜的ITO膜的SEM照片的圖。

圖12是表示ITO膜的結晶尺寸的測定結果的圖。

圖13是表示ITO膜的結晶的晶格常數的測定結果的圖。

圖14是表示在對有機EL元件施加了5V電壓的情況下流動的電流的值的圖。

圖15是表示有機EL元件的電壓-電流密度特性的圖。

圖16是表示通過等離子體槍（plasma?gun）蒸鍍法、或者磁控濺射法在有機功能層上形成ITO膜而制造的有機EL元件的輝度（brightness）減半壽命的測定結果的圖。

圖17是表示通過對向靶式濺射法在有機功能層上形成ITO膜而制造的有機EL元件的輝度減半壽命的測定結果的圖。

圖18是表示通過磁控濺射法、對向靶式濺射法、或者等離子體槍蒸鍍法在有機功能層上形成ITO膜而制造的有機EL元件的輝度減半壽命的測定結果的圖。

標號說明