[發明專利]用于UV處理、化學處理及沉積的設備與方法在審
| 申請號: | 201280017230.8 | 申請日: | 2012-04-05 |
| 公開(公告)號: | CN103493185A | 公開(公告)日: | 2014-01-01 |
| 發明(設計)人: | A·班塞爾;D·R·杜鮑斯;J·C·羅查-阿爾瓦雷斯;S·巴錄佳;S·A·亨德里克森;T·諾瓦克 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/31 | 分類號: | H01L21/31 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 侯穎媖 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 uv 處理 化學 沉積 設備 方法 | ||
1.一種處理腔室,包含:
腔室主體,所述腔室主體界定內部空間;
基板支撐件,所述基板支撐件設置在所述內部空間中;
可透過UV光的氣體分配噴頭,所述可透過UV光的氣體分配噴頭設置在所述基板支撐件上方;
可透過UV光的窗口,所述可透過UV光的窗口設置在所述可透過UV光的氣體分配噴頭上方,其中在所述可透過UV光的氣體分配噴頭與所述可透過UV光的窗口之間形成氣體空間,并且所述氣體空間與所述內部空間透過所述可透過UV光的氣體分配噴頭而流體連通;及
UV單元,所述UV單元設置在所述可透過UV光的窗口外面,其中所述UV單元配置為將UV光朝向所述基板支撐件而引導通過所述可透過UV光的窗口與所述可透過UV光的氣體分配噴頭。
2.如權利要求1所述的處理腔室,其特征在于,所述可透過UV光的氣體分配噴頭包含:
主體,所述主體由基本上可透過UV光的材料形成;及
涂層,所述涂層配置為保護所述主體,而使所述主體免于暴露于流動通過所述可透過UV光的氣體分配噴頭的處理氣體。
3.如權利要求2所述的處理腔室,其特征在于,所述主體由石英形成。
4.如權利要求3所述的處理腔室,其特征在于,所述涂層包含氧氮化鋁膜或藍寶石。
5.如權利要求1所述的處理腔室,其特征在于,所述可透過UV光的窗口包含:
主體,所述主體由石英形成;及
涂層,所述涂層配置為保護所述主體,而使所述主體免于暴露于所述氣體空間中的處理氣體。
6.如權利要求1所述的處理腔室,其特征在于,所述處理腔室還包含:
夾持構件,所述夾持構件設置在所述腔室主體的上開口中,其中所述夾持構件設置在所述可透過UV光的氣體分配噴頭與所述可透過UV光的窗口之間,并且在所述夾持構件內形成氣體流動路徑。
7.如權利要求6所述的處理腔室,其特征在于,所述夾持構件具有:
環形主體;
凸緣,所述凸緣從所述環形主體的上部徑向地向外延伸,其中所述凸緣耦接到所述腔室主體;及
臺階,所述臺階從所述環形主體的下部徑向地向內延伸,其中所述可透過UV光的氣體分配噴頭設置在所述臺階的頂表面上。
8.如權利要求7所述的處理腔室,其特征在于,所述氣體流動路徑包括:
水平槽,所述水平槽被形成在所述凸緣中,其中所述水平槽在所述凸緣的外表面處開放;
垂直槽,所述垂直槽被形成在所述環形主體中,其中所述垂直槽在上端處連接到所述水平槽;
充氣增壓室,所述充氣增壓室被形成在所述環形主體的所述下部中,其中所述垂直槽的下端向所述充氣增壓室開放;及
多個輻狀孔,所述多個輻狀孔被形成通過所述臺階,其中所述多個輻狀孔中的每一個都具有向所述充氣增壓室開放的第一端和向所述臺階的內表面開放的第二端。
9.如權利要求7所述的處理腔室,其特征在于,所述處理腔室還包含:
輸入岐管,所述輸入岐管耦接到所述夾持構件,其中所述輸入岐管的出口連接到形成在所述夾持構件中的所述氣體流動路徑;
遠程等離子體源,所述遠程等離子體源連接到所述輸入岐管;及
氣體板,所述氣體板連接到所述輸入岐管。
10.一種處理系統,包含:
傳送腔室,所述傳送腔室界定傳送空間;
基板傳送機械手,所述基板傳送機械手設置在所述傳送空間中;及
雙空間處理腔室,所述雙空間處理腔室耦接到所述傳送腔室,其中所述雙空間處理腔室包含:
根據權利要求1-9中任一項所述的第一處理腔室;和
根據權利要求1-9中任一項所述的第二處理腔室。
11.如權利要求10所述的系統,其特征在于,所述第一處理腔室和第二處理腔室中的流動路徑是彼此的鏡像。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于應用材料公司,未經應用材料公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201280017230.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種沿空留巷柔性填充墻體結構
- 下一篇:一種油田水平井滾柱平底磨鞋
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





