[發明專利]用于相變存儲器及開關(PCMS)陣列中的地址線的單個晶體管驅動器有效
| 申請號: | 201280017000.1 | 申請日: | 2012-02-22 |
| 公開(公告)號: | CN103548087B | 公開(公告)日: | 2016-10-12 |
| 發明(設計)人: | R·W·曾;D·考 | 申請(專利權)人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | G11C13/02 | 分類號: | G11C13/02;G11C16/08;G11C16/10 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 陳松濤;王英 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 相變 存儲器 開關 pcms 陣列 中的 地址 單個 晶體管 驅動器 | ||
1.一種非易失性存儲器,包括至少一個單個晶體管驅動器,所述至少一個單個晶體管驅動器適于在不同時刻發送地址線選擇信號和地址線禁用信號。
2.根據權利要求1所述的非易失性存儲器,其中,所述至少一個單個晶體管驅動器是至少一個單個晶體管局部字線驅動器。
3.根據權利要求2所述的非易失性存儲器,其中,所述至少一個單個晶體管局部字線驅動器包括多個單個晶體管局部字線驅動器,所述多個單個晶體管局部字線驅動器交替地耦合到字線奇數選擇信號和字線偶數選擇信號。
4.根據權利要求2所述的非易失性存儲器,其中,所述至少一個單個晶體管局部字線驅動器包括單個NMOS場效應晶體管字線驅動器。
5.根據權利要求2所述的非易失性存儲器,其中,所述至少一個單個晶體管局部字線驅動器包括單個PMOS場效應晶體管字線驅動器。
6.根據權利要求2所述的非易失性存儲器,進一步包括全局字線驅動器,所述全局字線驅動器適于產生全局字線偶數信號和全局字線奇數信號。
7.根據權利要求1所述的非易失性存儲器,其中,所述至少一個單個晶體管驅動器是單個晶體管位線驅動器。
8.根據權利要求7所述的非易失性存儲器,其中,所述至少一個單個晶體管局部位線驅動器包括多個單個晶體管局部位線驅動器,所述多個單個晶體管局部位線驅動器交替地耦合到位線奇數選擇信號和位線偶數選擇信號。
9.根據權利要求7所述的非易失性存儲器,其中,所述至少一個單個晶體管位線驅動器包括單個PMOS場效應晶體管位線驅動器。
10.根據權利要求7所述的非易失性存儲器,其中,所述至少一個單個晶體管位線驅動器包括單個NMOS場效應晶體管位線驅動器。
11.根據權利要求7所述的非易失性存儲器,進一步包括全局位線驅動器,所述全局位線驅動器適于產生全局字線偶數信號和全局字線奇數信號。
12.一種用于對非易失性存儲器單元進行編程的方法,包括:
向地址線分配交替的奇數指定標識和偶數指定標識;
將所選擇的地址線驅動到選擇電壓;
使得具有與所選擇的地址線相同的奇數指定標識或偶數指定標識的剩余地址線浮置;以及
將具有與所選擇的地址線指定標識不同的奇數指定標識或偶數指定標識的地址線驅動到禁用電壓。
13.根據權利要求12所述的方法,其中:
向地址線分配交替的奇數指定標識和偶數指定標識包括向字線分配交替的奇數指定標識和偶數指定標識;
將所選擇的地址線驅動到選擇電壓包括將所選擇的字線驅動到選擇電壓;
使得具有與所選擇的地址線相同的奇數指定標識或偶數指定標識的剩余地址線浮置包括使得具有與所選擇的字線相同的奇數指定標識或偶數指定標識的剩余字線浮置;并且
將具有與所選擇的地址線指定標識不同的奇數指定標識或偶數指定標識的地址線驅動到禁用電壓包括將具有與所選擇的字線指定標識不同的奇數指定標識或偶數指定標識的字線驅動到禁用電壓。
14.根據權利要求12所述的方法,其中:
向地址線分配交替的奇數指定標識和偶數指定標識包括向位線分配交替的奇數指定標識和偶數指定標識;
將所選擇的地址線驅動到選擇電壓包括將所選擇的位線驅動到選擇電壓;
使得具有與所選擇的地址線相同的奇數指定標識或偶數指定標識的剩余地址線浮置包括使得具有與所選擇的位線相同的奇數指定標識或偶數指定標識的剩余位線浮置;并且
將具有與所選擇的地址線指定標識不同的奇數指定標識或偶數指定標識的地址線驅動到禁用電壓包括將具有與所選擇的位線指定標識不同的奇數指定標識或偶數指定標識的位線驅動到禁用電壓。
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