[發明專利]阻氣性膜

有效

• 申請號: 201280015972.7
• 申請日: 2012-03-29
• 公開（公告）號: CN103476579A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 上林浩行;冢村裕介;渡邊修
• 申請（專利權）人: 東麗株式會社
• 主分類號: B32B9/00
• 分類號: B32B9/00
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 田欣;段承恩

技術領域

本發明涉及在需要高阻氣性的食品、藥品的包裝用途及太陽能電池、電子紙、有機電致發光（EL）顯示器等電子部件用途中使用的阻氣性膜。

背景技術

在高分子基材的表面上，使用氧化鋁、氧化硅、氧化鎂等無機物（含有無機氧化物），利用真空蒸鍍法、濺射法、離子鍍法等物理氣相成長法（PVD法），或者等離子體化學氣相成長法、熱化學氣相成長法、光化學氣相成長法等化學氣相成長法（CVD法）等形成了該無機物的蒸鍍膜的阻氣性膜已經被用作需要阻隔水蒸汽及氧等各種氣體的食品及藥品等的包裝材料及薄型電視機、太陽能電池等電子裝置部件。

作為提高阻氣性的技術，例如已采用了使用含有有機硅化合物的蒸氣和氧的氣體，通過等離子體CVD法在基材上形成以硅氧化物為主體，含有碳、氫、硅及氧中的至少一種的化合物，從而達到既保持透明性又提高阻氣性的方法（專利文獻1）。另外，作為等離子體CVD法等成膜方法以外的阻氣性提高技術，還使用了使阻氣性惡化的針孔及作為裂紋發生起因的突起及凹凸得到減少的平滑基材及設置了目的在于達到表面平滑化的增粘涂層的基材（專利文獻2）。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平8-142252號公報（權利要求書）

專利文獻2：日本特開2002-113826號公報（權利要求書）

發明的概要

發明所要解決的問題

但是，對于通過等離子體CVD法形成以硅氧化物為主成分的阻氣性層的方法，由于基材表面受到等離子體的發光發熱及離子、自由基的沖擊等影響，存在著取決于基材的種類，所形成的阻氣層的膜質不同、得不到穩定的阻氣性等問題。

另一方面，對于在形成了阻氣層的基材中使用平滑基材及附加了用于達到表面平滑化的增粘涂層的基材的方法，雖然因防止了針孔及裂紋的發生而提高了阻氣性的重現性，但形成的阻氣層的膜質未得到改善，因此并不能達到性能的飛躍性提高。

鑒于以上現有技術的背景，本發明提供無論基材種類如何選擇，都可以達到阻氣性的飛躍性提高且表現出穩定的阻氣性的阻氣性膜。

解決問題的手段

為了解決上述問題，本發明采用如下手段。即，將以下內容作為優選方案。

（1）阻氣性膜，在高分子基材的至少一個面上依次層合了以下的[A]層和[B]層，

[A]層：鉛筆硬度為H以上且表面自由能為45mN/m以下的交聯樹脂層，

[B]層：厚度為10～1000nm的含硅無機層。

（2）上述[B]層由含有鋅化合物和硅氧化物的組成所構成。

（3）上述[B]層為以下的[B1]層和[B2]層中的任意一種，

[B1]層：包含氧化鋅和二氧化硅和氧化鋁的共存相的層，

[B2]層：包含硫化鋅和二氧化硅的共存相的層。

（4）上述[B]層為[B1]層，該[B1]層由通過ICP發光分光分析法測定的鋅（Zn）原子濃度為20～40atom%、硅（Si）原子濃度為5～20atom%、鋁（Al）原子濃度為0.5～5atom%、氧（O）原子濃度為35～70atom%的組成所構成。

（5）上述[B]層為[B2]層，該[B2]層由相對于硫化鋅和二氧化硅的合計而言硫化鋅的摩爾分率為0.7～0.9的組成所構成。

（6）上述[A]層的平均表面粗糙度Ra為1nm以下。

（7）上述[B]層的平均表面粗糙度Ra為1.5nm以下。

（8）上述[B]層表面或上述高分子基材和[A]層之間具有透明導電層。

（9）上述透明導電層含有銦錫氧化物（ITO）、氧化鋅（ZnO）、含鋁的氧化鋅（Al/ZnO）、含有鎵的氧化鋅（Ga/ZnO）、金屬納米線、碳納米管中的任意一種。

（10）太陽能電池，具有（1）～（9）中任一項所述的阻氣性膜。

（11）顯示體元件，具有（1）～（9）中任一項所述的阻氣性膜。

發明效果

可以提供對氧氣、水蒸汽等具有高阻氣性的阻氣性膜。

附圖簡要說明

圖1是顯示本發明的阻氣性膜的一個實例的剖面圖。

圖2是示意性顯示用于制造本發明的阻氣性膜的卷取式濺射裝置的概略圖。

發明的實施方式

為了得到無論基材種類如何選擇，都有良好的阻氣性的阻氣性膜，本發明人進行了反復深入研究，發現在高分子基材的至少一個面上依次配置具有特定鉛筆硬度和表面自由能的交聯樹脂層及具有特定厚度的含硅無機層時，可以一舉解決上述問題。