[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法以及便攜式電話機(jī)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280015308.2
• 申請日: 2012-03-08
• 公開（公告）號: CN103444080A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 淺井健吾;礒部敦
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H03H9/17
• 分類號: H03H9/17;H01L21/3205;H01L21/331;H01L21/768;H01L21/822;H01L23/522;H01L23/532;H01L27/04;H01L29/737;H01L41/08;H01L41/09;H01L41/187;H01L41/
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 高科

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于包括：

（a）、半導(dǎo)體襯底；

（b）、在上述半導(dǎo)體襯底的第1區(qū)域上形成的半導(dǎo)體元件；

（c）、覆蓋上述半導(dǎo)體元件的、在上述半導(dǎo)體襯底上形成的絕緣膜；

（d）、作為在上述絕緣膜上形成的膜的、熱傳導(dǎo)率比上述絕緣膜高的高熱傳導(dǎo)率膜；以及

（e）、在形成在上述半導(dǎo)體襯底的第2區(qū)域上的上述絕緣膜上隔著上述高熱傳導(dǎo)率膜形成的薄膜壓電體波諧振器。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：

在上述高熱傳導(dǎo)率膜和上述薄膜壓電體波諧振器之間形成熱傳導(dǎo)率比上述高熱傳導(dǎo)率膜低的低熱傳導(dǎo)率膜。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：

上述半導(dǎo)體襯底在上述第1區(qū)域與上述第2區(qū)域之間具有第3區(qū)域；

在形成在上述半導(dǎo)體襯底的上述第3區(qū)域上的上述絕緣膜的表面上形成凹凸形狀。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：

在形成在上述半導(dǎo)體襯底的上述第1區(qū)域上的上述絕緣膜的表面上形成凹凸形狀。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：

在上述半導(dǎo)體襯底的上述第1區(qū)域的周圍，形成從上述絕緣膜的表面到達(dá)上述半導(dǎo)體襯底的溝，在上述溝的內(nèi)部埋入導(dǎo)電性材料。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：

上述高熱傳導(dǎo)率膜由氮化鋁膜或氧化鎂膜形成。

7.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：

上述低熱傳導(dǎo)率膜由氧化鋁膜或氮化硅膜形成。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：

上述薄膜壓電體波諧振器具有：

（e1）、在上述高熱傳導(dǎo)率膜上形成的聲絕緣部；

（e2）、在上述聲絕緣部上形成的下部電極；

（e3）、在上述下部電極上形成的壓電層；以及

（e4）、在上述壓電層上形成的上部電極。

9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：

上述聲絕緣部由被在上述絕緣膜上形成的凹部和上述下部電極夾著的空洞部形成。

10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于：

上述聲絕緣部由埋入在上述絕緣膜上形成的凹部的聲反射部形成。

11.一種便攜式電話機(jī)，其特征在于包括：

（a）、處理基帶信號的基帶部；

（b）、把用上述基帶部處理過的上述基帶信號調(diào)制成發(fā)送信號的RFIC部；

（c）、把由上述RFIC部調(diào)制了的上述發(fā)送信號的功率放大的功率放大器；

（d）、把被上述功率放大器放大的上述發(fā)送信號的頻帶作為通過頻帶的發(fā)送濾波器；

（e）、發(fā)送通過了上述發(fā)送濾波器的上述發(fā)送信號的天線；

（f）、把由上述天線接收的接收信號的頻帶作為通過頻帶的接收濾波器；以及

（g）、把通過了上述接收濾波器的上述接收信號放大的低噪放大器，

上述RFIC部還具有對被上述低噪放大器放大了的上述接收信號進(jìn)行解調(diào)的功能，

上述功率放大器包含用來放大上述發(fā)送信號的放大用晶體管，

上述發(fā)送濾波器和上述接收濾波器由多個薄膜壓電體波諧振器構(gòu)成，

上述功率放大器、上述發(fā)送濾波器和上述接收濾波器在同一半導(dǎo)體芯片上形成，

上述半導(dǎo)體芯片具有：

（f1）、半導(dǎo)體襯底；

（f2）、在上述半導(dǎo)體襯底的第1區(qū)域上形成的上述放大用晶體管；

（f3）、覆蓋上述放大用晶體管的、在上述半導(dǎo)體襯底上形成的絕緣膜；

（f4）、作為在上述絕緣膜上形成的膜的、熱傳導(dǎo)率比上述絕緣膜高的高熱傳導(dǎo)率膜；以及

（f5）、在形成在上述半導(dǎo)體襯底的第2區(qū)域上的上述絕緣膜上隔著上述高熱傳導(dǎo)率膜形成的上述薄膜壓電體波諧振器。

12.如權(quán)利要求11所述的便攜式電話機(jī)，其特征在于：

在上述高熱傳導(dǎo)率膜和上述薄膜壓電體波諧振器之間形成熱傳導(dǎo)率比上述高熱傳導(dǎo)率膜低的低熱傳導(dǎo)率膜。