[發明專利]譜成像探測器

有效

• 申請號: 201280014657.2
• 申請日: 2012-03-19
• 公開（公告）號: CN103443652B
• 公開（公告）日: 2017-02-15
• 發明（設計）人: R·P·盧赫塔;R·A·馬特森
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦有限公司
• 主分類號: G01T1/20
• 分類號: G01T1/20;G01T1/29
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司72002
• 代理人: 舒雄文,蹇煒

技術領域

以下總體涉及譜成像，并且更具體地涉及譜成像探測器，并且接合計算機斷層攝影（CT）對其進行描述。然而，其也適用于其它成像形態。

背景技術

常規計算機斷層攝影（CT）掃描儀包括旋轉地安裝至總體靜止的構臺的旋轉構臺。旋轉構臺支撐x射線管和探測器陣列，探測器陣列安裝在可旋轉構臺上，跨檢查區域與x射線管相對。旋轉構臺并且因此x射線管和探測器陣列繞縱或z軸圍繞檢查區域旋轉。x射線管被配置為發射穿過檢查區域（并且檢查區域中的受試者或對象的部分）并照射探測器陣列的輻射。探測器陣列探測輻射并生成指示檢查區域和設置于檢查區域中的受試者或對象的電信號。重建器重建投影數據，生成體積圖像數據。

對于譜CT，掃描儀可以包括能量分辨探測器陣列，諸如雙層探測器陣列。圖1中示出了雙層探測器陣列100的范例部分。探測器100包括在x方向106上沿基底104相對于彼此對齊的多個探測器模塊102。每一個模塊102包括第一和第二閃爍體行108和110，第一和第二閃爍體行108和110光學耦合至光電二極管基底116的對應的第一和第二探測區域112和114。第一和第二閃爍體行108和110相對于彼此布置，使得第一閃爍體行108相對于入射輻射120在第二閃爍體元件110以上。通常，較低能量的x射線光子往往吸收于較上閃爍體行108中，且較高能量的x射線光子往往吸收于較下閃爍體行110中。第一和第二閃爍體行108和110以及探測區域112和114沿z方向122延伸，形成多行探測器元件。

對于圖1的探測器陣列100，探測器陣列100在x方向106上的分辨率通常受到每一個模塊102的光電二極管基底116在x方向106上的有限厚度124的限制，該厚度在一百（100）微米至四百（400）微米的量級。不幸的是，較薄的光電二極管基底易碎并且不適于構造諸如探測器陣列100的探測器模塊102的探測器模塊。

發明內容

本申請的當前方面提供處理上述問題和其它問題的新的和/或改進的技術。

根據一方面，一種方法，包括獲得具有兩個相對的主表面的光電傳感器基底。所述兩個相對的主表面中的一個主表面包括由至少一個光電傳感器元件構成的至少一個光電傳感器行，并且所獲得的光電傳感器基底具有等于或大于一百微米的厚度。所述方法還包括將閃爍體陣列光學耦合至所述光電傳感器基底。所述閃爍體陣列包括由至少一個互補（complementary）閃爍體元件構成的至少一個互補閃爍體行，并且所述至少一個互補閃爍體行光學耦合至所述至少一個光電傳感器行且所述至少一個互補閃爍體元件光學耦合至所述至少一個光電傳感器元件。所述方法還包括對光學耦合至所述閃爍體的所述光電傳感器基底進行減薄，產生光學耦合至所述閃爍體并且厚度在小于一百微米的量級的減薄的光電傳感器基底。

根據另一方面，一種成像探測器，包括：至少一個探測器瓦，所述至少一個探測器瓦包括瓦基底和沿所述瓦基底沿x方向布置的多個探測器模塊。探測器模塊包括閃爍體陣列，所述閃爍體陣列具有沿z方向延伸的由閃爍體元件構成的至少一個閃爍體行，所述至少一個閃爍體行耦合至光電傳感器基底的由光電傳感器元件構成的至少一個光電傳感器行。所述光電傳感器基底耦合至所述閃爍體陣列并具有等于或大于一百微米的初始厚度，并且所述成像探測器的所述光電傳感器基底具有小于一百微米的減薄的厚度。

根據另一方面，一種方法，包括：組裝成像系統的成像探測器模塊，其中，所述成像探測器模塊包括光學耦合至光電傳感器基底的閃爍體，所述光電傳感器基底具有小于一百微米的厚度。

附圖說明

本發明可以采取各種部件和部件的布置以及各種步驟和步驟的布置的形式。圖僅是為示例優選實施例并且不視為限制本發明。

圖1示意性地示例現有技術上層譜探測器陣列的透視圖。

圖2示意性地示例具有譜探測器陣列的范例成像系統，該探測器陣列包括具有多個探測器模塊的探測器瓦。

圖3示意性地示例探測器模塊的從z方向看的側視圖。

圖4-12示例用于組裝圖3的探測器模塊的方法。

圖13示例其中支撐載體用于方便制造獨立的光電傳感器基底的實施例。

具體實施方式

圖2示意性地示例諸如計算機斷層攝影（CT）掃描儀的成像系統200。成像系統200包括總體靜止的構臺部分202和旋轉構臺部分204。旋轉構臺部分204由總體靜止的構臺部分202經由軸承（未示出）等可旋轉地支撐。