[發(fā)明專利]用于測試半導體器件的接觸件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280014404.5
• 申請日: 2012-06-25
• 公開（公告）號: CN103443633A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設計）人: 尹璟燮
• 申請（專利權）人: 硅谷有限公司
• 主分類號: G01R1/04
• 分類號: G01R1/04;G01R31/26
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;鐘強

1.一種用于測試半導體器件的接觸件的制造方法，所述方法包括：

第一堆疊階段（S1），在所述第一堆疊階段中，連續(xù)交替地將介電層（2）和導體層（1）粘結(jié)并堆疊在彼此之上至確定的高度，從而形成第一堆疊體；

第一切割階段（S2），在所述第一切割階段中，以固定的厚度垂直切割所述第一堆疊體的側(cè)面至貫穿所述第一堆疊體的整個高度，從而形成包含分別沿縱向方向延伸的多組介電層（21）和導體層（11）的第一切割體（M1），其中所述多組介電層（21）和導體層（11）連續(xù)地排列在彼此上方；

第二堆疊階段（S3），在所述第二堆疊階段中，連續(xù)交替地將平放的所述第一切割體（M1）與另一介電層（2）平行地粘結(jié)并堆疊在彼此之上至確定的高度，從而形成第二堆疊體；以及

第二切割階段（S4），在所述第二切割階段中，以固定的厚度垂直切割所述第二堆疊體的側(cè)面至貫穿所述第二堆疊體的整個高度，從而形成包含多組介電層（21）和設置在所述介電層（21）的一側(cè)上的第二層的第二切割體（M2），其中所述介電層（21）沿其縱向方向延伸，并且所述第二層包含多對介電部（20）和導體部（10），所述多對介電部（20）和導體部（10）沿所述第二層的縱向方向連續(xù)設置，其中所述多組介電層（21）和第二層重復地堆疊在彼此之上。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述第一堆疊階段（S1）如下進行，將介電材料和導體材料液化，并且通過涂布、噴涂和濺射中的任意一種方法將液化的材料涂布到基材上，然后對所述液化的材料進行固化，或者，將膜、片或板形式的介電材料或?qū)w材料堆疊在膜、片或板形式的介電材料或?qū)w材料上，然后將這兩層熱熔化；以及

其中所述第二堆疊階段（S2）如下進行，將介電材料液化，并且通過涂布、涂抹、噴涂和濺射中的任意一種方法將液化的介電材料涂布到所述第一切割體（M1）上，然后對所述液化的介電材料進行固化，或者，將膜、片或板形式的介電材料堆疊在所述第一切割體（M1）上，然后將所述介電材料熱熔化。

3.根據(jù)權利要求2所述的方法，其中所述介電材料和所述介電層包括從如下的組中選擇的任意一種，所述組包括硅樹脂、橡膠、氨基甲酸酯、丙烯酸酯、聚丙烯、聚乙烯、或者它們的混合物中的任意一種；以及

其中所述導體材料和所述導體層包括從如下的組中選擇的任意一種，所述組包括金、銀、銅、鋁、碳、鎳、或它們的混合物的任意一種，或者，所述導體材料和所述導體層包括從如下混合物中選擇的任意一種，所述混合物為將從包括金、銀、銅、鋁、碳、鎳、或它們的混合物的任意一種的組中選擇的任意一種類型的粉末加入到從包括硅樹脂、橡膠、氨基甲酸酯、丙烯酸酯、聚丙烯、聚乙烯、或者它們的混合物中的任意一種的組中選擇的任意一種中。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述介電層（2）和所述導體層（1）的厚度、以及所述第一切割體和所述第二切割體（M1和M2）的寬度的最小值為20μm。