[發(fā)明專利]硅量子點(diǎn)的光活性層及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280014208.8
• 申請(qǐng)日: 2012-03-22
• 公開（公告）號(hào): CN103443930A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金慶中;洪升輝;樸裁熙;張淙植
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 韓國(guó)標(biāo)準(zhǔn)科學(xué)研究院
• 主分類號(hào): H01L31/0352
• 分類號(hào): H01L31/0352;H01L33/06;H01L33/08;H01L33/34;H01L31/0368
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;全萬(wàn)志

1.一種光活性層，其通過(guò)交替堆疊硅量子點(diǎn)層和導(dǎo)電多晶硅層形成，在所述硅量子點(diǎn)層中多個(gè)活性摻雜的硅量子點(diǎn)被封閉在硅化合物的介質(zhì)中，所述導(dǎo)電多晶硅層由與所述硅量子點(diǎn)的導(dǎo)電型雜質(zhì)相同的導(dǎo)電型雜質(zhì)摻雜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光活性層，其中所述硅量子點(diǎn)層具有70nm或更小的厚度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光活性層，其中所述導(dǎo)電多晶硅層具有5nm至10nm的厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光活性層，其中所述介質(zhì)是氮化硅、氧化硅或其混合物。

5.一種太陽(yáng)能電池，其包含：

根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的光活性層；

硅襯底，其設(shè)置在所述光活性層的下部上并且包含與在所述光活性層中包含的所述導(dǎo)電型雜質(zhì)不同類型的摻雜元素；和

形成在所述光活性層的上部上的上電極和形成在所述硅襯底的下部上的下電極。

6.一種發(fā)光二極管(LED)，其包含：

根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的光活性層；

硅層，其設(shè)置在所述光活性層的下部上并且包含與在所述光活性層中包含的所述導(dǎo)電型雜質(zhì)不同類型的摻雜元素；和

形成在所述光活性層的上部上的上電極和形成在包含所述不同類型摻雜元素的所述硅層的下部上的下電極。

7.一種制造具有交替堆疊的硅量子點(diǎn)層和導(dǎo)電層的光活性層的方法，其包括：

形成硅量子點(diǎn)層的步驟，在所述硅量子點(diǎn)層中包含第一導(dǎo)電型雜質(zhì)的所述硅量子點(diǎn)形成在硅化合物的介質(zhì)中；和

在所述硅量子點(diǎn)層之間形成導(dǎo)電層的步驟，所述導(dǎo)電層是多晶硅層，其包含所述第一導(dǎo)電型雜質(zhì)，

其中交替進(jìn)行所述硅量子點(diǎn)層形成步驟和所述導(dǎo)電層形成步驟，以在包含第二導(dǎo)電型雜質(zhì)的硅襯底的上部上制造所述光活性層，所述第二導(dǎo)電型雜質(zhì)是與所述第一導(dǎo)電型雜質(zhì)不同類型的雜質(zhì)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其中所述硅量子點(diǎn)層具有70nm或更小的厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其中所述導(dǎo)電層具有5nm至10nm的厚度。