[發明專利]用于原子層沉積的設備與工藝

無效

• 申請號: 201280014114.0
• 申請日: 2012-03-01
• 公開（公告）號: CN103443325A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: J·約德伏斯基
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/455;H01L21/205
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張欣

1.一種沉積系統，所述系統包括：

處理腔室；以及

氣體分配板，所述氣體分配板位于所述處理腔室內，所述氣體分配板具有多個狹長氣體口及至少一個熱元件，所述多個狹長氣體口引導氣流朝向基板的表面，所述至少一個熱元件引起所述基板的部分的溫度改變。

2.一種用于處理具有表面的基板的沉積系統，所述系統包括：

處理腔室；以及

氣體分配板，所述氣體分配板位于所述處理腔室內，所述氣體分配板具有多個狹長氣體口，所述多個狹長氣體口引導氣流朝向所述基板的所述表面；

所述氣體分配板包括第一熱元件，所述第一熱元件位于所述氣體分配板的第一端；

所述氣體分配板包括第二熱元件，所述第二熱元件位于所述氣體分配板的第二端。

3.一種用于處理具有表面的基板的沉積系統，所述系統包括：

處理腔室；以及

氣體分配板，所述氣體分配板位于所述處理腔室內，所述氣體分配板具有多個狹長氣體口，所述多個狹長氣體口引導氣流朝向所述基板的所述表面；

所述氣體分配板包括熱元件，所述熱元件升高所述基板的所述表面的至少一部分上的溫度；以及

所述氣體分配板包括熱元件，所述熱元件降低所述基板的所述表面的至少一部分上的溫度。

4.如在前權利要求中任一項所述的沉積系統，其中各個所述熱元件位于以下位置中的一個或多個：

至少一個狹長氣體口內；以及

介于氣體口之間的所述氣體分配板的正面處。

5.如權利要求4所述的沉積系統，其中位于所述氣體分配板的正面處的熱元件加熱或冷卻所述基板的所述部分，并且位于至少一個狹長氣體口內熱元件加熱或冷卻所述狹長氣體口內的氣流。

6.如在前權利要求中任一項所述的沉積系統，其中各個所述熱元件包括輻射加熱器、電阻加熱器及冷卻器中的一個或多個。

7.如在前權利要求中任一項所述的沉積系統，所述系統進一步包括基板載體，所述基板載體沿一軸移動基板，所述軸垂直于所述多個狹長氣體口。

8.如在前權利要求中任一項所述的沉積系統，其中所述熱元件引起所述基板的表面的溫度局部改變。

9.一種處理基板的方法，所述方法包括：

在氣體分配板下方側向移動具有表面的基板，所述氣體分配板包括多個狹長氣體口，所述多個狹長氣體口包括第一氣體口A及第二氣體口B，所述第一氣體口A傳輸第一氣體，所述第二氣體口B傳輸第二氣體；

傳輸所述第一氣體至所述基板表面；

傳輸所述第二氣體至所述基板表面；以及

局部改變所述基板表面的溫度。

10.如權利要求9所述的方法，其中基板表面溫度在自氣體口A延伸至氣體口B的區域內改變。

11.如權利要求9所述的方法，其中所述基板表面溫度在氣體口A周圍改變。

12.如權利要求9所述的方法，其中所述基板表面溫度在氣體口B周圍改變。

13.如權利要求9至12中任一項所述的方法，其中所述基板表面溫度藉由以下操作中的一個或多個來改變：輻射加熱、電阻加熱及冷卻所述基板，或電阻加熱及冷卻所述第一氣體和第二氣體中的一個或多個。

14.一種處理基板的方法，所述方法包括：

在氣體分配板下方側向移動具有表面的所述基板，所述氣體分配板包括多個狹長氣體口，所述多個狹長氣體口包括第一氣體口A及第二氣體口B，所述第一氣體口A傳輸第一氣體，所述第二氣體口B傳輸第二氣體；

在利用第一熱元件局部改變所述基板表面的溫度之后，自所述氣體口A傳輸所述第一氣體至所述基板表面；

在利用第二熱元件局部改變所述基板表面的溫度之后，自所述氣體口B傳輸所述第二氣體至所述基板表面；以及

局部改變所述基板表面的溫度。

15.如權利要求14所述的方法，其中基板表面溫度在自氣體口A延伸至氣體口B的區域內改變，所述基板表面溫度藉由以下操作中的一個或多個來改變：輻射加熱、電阻加熱及冷卻所述基板，或藉由以下操作中的一個或多個來改變：電阻加熱或冷卻所述第一氣體及所述第二氣體中的一個或多個。