[發明專利]電子開關器件的封裝陣列

有效

• 申請號: 201280013704.1
• 申請日: 2012-03-16
• 公開（公告）號: CN103477464A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: D·加登;J·瓊曼;M·劉易斯
• 申請（專利權）人: 造型邏輯有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L27/28;G02F1/161
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 申發振

許多電氣設備包括電子開關器件陣列。

這種電子設備的例子包括像素化液晶顯示設備和像素化電泳顯示設備。

電子開關器件的這種陣列典型地被封裝以防止有害水分的侵入。已經觀察到的是，電子開關器件的一些陣列易于退化，甚至在對這些陣列進行有效的封裝以防止水分侵入的情況下也是如此。可觀察到的這種退化是降低的器件性能，如負閾值電壓漂移和導通電流抑制。

已經確定的挑戰是提供一種較少地易于受到這種退化影響的電子開關器件的封裝陣列。

本發明的一個目標是滿足這種挑戰。

據此，提供一種裝置，其包括封裝在封裝結構中的電子開關器件陣列；其中所述陣列被暴露到位于所述陣列與所述封裝結構之間的一個或多個氣體容腔中。

在一個實施例中，所述陣列通過支撐該陣列的基底而暴露到所述一個或多個氣體容腔。

在一個實施例中，所述封裝結構包括一支撐結構和夾在該塑料基底的至少一個外圍部分的下表面與該支撐結構的上表面的至少一個外圍部分之間的襯墊，以及所述一個或多個氣體容腔由所述襯墊、該基底的中央部分以及該支撐結構的中央部分限定。

在一個實施例中，所述支撐結構和襯墊中的一個或多個限定到所述一個或多個氣體容腔的一個或多個入口，該入口對氧氣比對水分表現出更高的輸送效果。

在一個實施例中，所述一個或多個入口中的至少一個被限定在該襯墊與該支撐結構之間和/或該襯墊與該基底之間的一個或多個界面處。

在一個實施例中，所述襯墊包括隔板和用于將該隔板粘結到該塑料基底的表面以及該支撐結構的表面的粘結層。

在一個實施例中，所述支撐結構包括金屬支撐結構。

在一個實施例中，該裝置進一步包括：安裝在該陣列之上并通過該陣列可操作的顯示模塊，該顯示模塊結合了能夠擴散到該陣列的有害物質。

在一個實施例中，該有害物質包括揮發性有機物質。

在一個實施例中，該陣列限定用于獨立地控制像素電極陣列中的每個像素電極的電位的有源矩陣。

在一個實施例中，所述一個或多個氣體容腔是一個或多個空氣容腔。

在一個實施例中，所述一個或多個氣體容腔伸(project)到該陣列上實質上不小于該陣列的占用區域的區域。

在一個實施例中，所述陣列的每個電子開關器件與顯示設備的相應像素相連接；以及所述一個或多個氣體容腔為每個像素各自限定至少1.4毫升的空氣容積。

還提供一種方法，其包括：將電子開關器件陣列封裝在封裝結構中，同時有意地將所述陣列暴露到位于所述陣列與所述封裝結構之間的一個或多個氣體容腔。

還提供一種結合了通過去活或者破壞這些有害物質來控制這些有害物質的裝置的電子器件，或者提供一種結合了減小與該器件的化學敏感層相接觸的有害物質數量的其它裝置的電子器件。

為幫助理解本發明，現在僅通過示例的方式并參考附圖來描述其具體實施例，其中：

圖1示出了用于TFT陣列的頂棚(top-gate)架構的一個例子。

圖2示出了根據本發明的一個實施例的器件的一個例子。

圖3示出了用于圖2的器件的襯墊的形狀。

圖4示出了根據本發明的另一實施例的器件的一個例子。

圖1示出了用于頂棚(top-gate)薄膜晶體管(TFT)的兩維陣列的一個例子的基本架構的例子。位于塑料基底表面2上的圖形化導電層3限定了源-漏電極對(在圖1中僅示出了一對)和用于尋址源電極的互連線(圖1中未示出)。半導電溝道材料4的圖形化或非圖形化層限定了位于每對源和漏電極3之間的半導電溝道(圖1中僅示出一個)。一層或多層絕緣材料5限定了位于半導電溝道之上的棚極介電區域。上圖形化導電層6限定了柵極線陣列，其中每個柵極線用作該陣列中的相應晶體管行的柵電極(圖1中僅示出一個)。一個或多個絕緣材料層7將柵極線與像素電極(未示出)的疊置陣列絕緣開，每個該像素電極通過導電層間連接器(未示出)連接到相應漏電極。

參考圖2和3，這種TFT陣列能夠用于提供有源陣列背板12，以控制安裝在像素電極陣列之上的前板顯示媒介13(例如LCD或電泳顯示媒介)。上述類型的有源陣列背板12通過襯墊10被層壓到金屬箔片層、塑料片層或者實質上對水分密封的任意其它材料層(以下稱為中間框架8)上。中間框架8的剛性足以適應由襯墊10限定的外形結構，并且從而限定位于中間框架8與背板12之間的間隙。