[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201280010887.1
• 申請日: 2012-01-20
• 公開（公告）號: CN103403848A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 石橋忠夫;安藤精后;村本好史;吉松俊英;橫山春喜
• 申請（專利權）人: NTT電子股份有限公司;日本電信電話株式會社
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;G02F1/017;H01L29/737;H01L31/10
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 高科

1.一種半導體器件，在襯底的一側與上述襯底面平行地層疊了第1半導體層、p型的第2半導體層、n型的第3半導體層、以及n型的第4半導體層和p型的第5半導體層中的至少一層，其特征在于：

上述第1半導體層配置在上述第2半導體層與上述第3半導體層之間，雜質濃度比上述第2半導體層和上述第3半導體層低；

上述第4半導體層配置在上述第1半導體層與上述第2半導體層之間，帶隙比上述第1半導體層大；

上述第5半導體層配置在上述第1半導體層與上述第3半導體層之間，帶隙比上述第1半導體層大；

上述第2半導體層比上述第3半導體層離上述襯底遠時，必須有上述第4半導體層，上述第2半導體層的外周在上述第4半導體層的外周的更內側；

上述第3半導體層比上述第2半導體層離上述襯底遠時，必須有上述第5半導體層，上述第3半導體層的外周在上述第5半導體層的外周的更內側。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

在上述第2半導體層比上述第3半導體層離上述襯底遠時，在上述第2半導體層與上述第4半導體層之間施加反偏壓時，在上述第4半導體層中產生0.2V以上、1.0V以下的電位差。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：

上述第3半導體層比上述第2半導體層離上述襯底遠時，在上述第3半導體層與上述第5半導體層之間施加反偏壓時，在上述第5半導體層中產生0.2V以上、1.0V以下的電位差。

4.如權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于：

上述第2半導體層比上述第3半導體層離上述襯底遠時，還具有n型的第6半導體層，該第6半導體層與上述第2半導體層的與上述第4半導體層相反的一側鄰接。

5.如權利要求1或3所述的半導體器件，其特征在于：

上述第3半導體層比上述第2半導體層離上述襯底遠時，還具有p型的第7半導體層，該第7半導體層與上述第3半導體層的與上述第5半導體層相反的一側鄰接。