[發明專利]氮化物半導體層生長用結構、層疊結構、氮化物系半導體元件及光源以及它們的制造方法

無效

• 申請號: 201280010663.0
• 申請日: 2012-08-03
• 公開（公告）號: CN103403842A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 崔成伯;橫川俊哉;井上彰;山田篤志
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;C30B25/04;C30B25/18;C30B29/38;H01L33/16;H01L33/22;H01L33/50
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 劉文海

1.一種氮化物半導體層生長用結構，其中，

具備：

以m面為生長面的藍寶石基板；

在所述藍寶石基板的所述生長面上形成的多個脊狀的氮化物半導體層，

在所述多個脊狀的氮化物半導體層的各自之間配置的凹部的底面為所述藍寶石基板的m面，

所述多個脊狀的氮化物半導體層的生長面為m面，

所述多個脊狀的氮化物半導體層的延伸方向與所述藍寶石基板的c軸所成的角度的絕對值為0度以上且35度以下。

2.根據權利要求1所述的氮化物半導體層生長用結構，其中，

所述角度的絕對值大于0度。

3.根據權利要求1或2所述的氮化物半導體層生長用結構，其中，

所述多個脊狀的氮化物半導體層的平行于延伸方向的側面與所述m面所成的該脊狀的氮化物半導體層內側的角度大于0度且小于150度。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的氮化物半導體層生長用結構，其中，

以所述藍寶石基板與所述氮化物半導體層的界面為基準的所述底面的深度超過0nm且為150nm以下。

5.一種氮化物半導體層生長用結構，其中，

具備：

以m面為生長面的藍寶石基板；

在所述藍寶石基板的所述生長面上形成的多個脊狀的氮化物半導體層，

在所述多個脊狀的氮化物半導體層的各自之間配置的凹部的底面為所述藍寶石基板的m面，

所述多個脊狀的氮化物半導體層的生長面為m面，

以所述藍寶石基板與所述氮化物半導體層的界面為基準的所述底面的深度為0nm以上且150nm以下。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的氮化物半導體層生長用結構，其中，

所述多個脊狀的氮化物半導體層的延伸方向與所述藍寶石基板的c軸所成的角度為0°以上且10°以下。

7.一種氮化物半導體層生長用結構，其中，

具備：

具有生長面的基板；

具有與所述基板不同的結晶結構，且在所述生長面上形成的多個脊狀的氮化物半導體層，

所述基板在所述多個脊狀的氮化物半導體層的各自之間配置的凹部的底面上露出，

所述多個脊狀氮化物半導體層的生長面為非極性面或半極性面，在將所述多個脊狀氮化物半導體層的c軸向所述基板的所述生長面正投影的第一方向上，所述基板與所述多個脊狀氮化物半導體層之間的晶格不匹配度為2％以上，在所述生長面內的與所述第一方向垂直的第二方向上，所述基板與所述多個脊狀氮化物半導體層之間的晶格不匹配度為10％以上，

以所述層板與所述多個脊狀氮化物半導體層的界面為基準的所述底面的深度為0nm以上且150nm以下。

8.根據權利要求7所述的氮化物半導體層生長用結構，其中，

所述第一方向上的晶格不匹配度小于10％。

9.根據權利要求7或8所述的氮化物半導體層生長用結構，其中，

所述基板的晶格面間隔為ds，所述多個脊狀的氮化物半導體層的面間隔為dg，所述晶格不匹配度為M(％)時，所述晶格不匹配度M(％)由下述(式1)表示，

M(％)=100(dg-ds)／ds?????(式1)。

10.根據權利要求7～9中任一項所述的氮化物半導體層生長用結構，其中，

所述基板是以m面為所述生長面的藍寶石基板，

所述多個脊狀氮化物半導體層的生長面為(11-22)面。

11.根據權利要求1～10中任一項所述的氮化物半導體層生長用結構，其中，

所述多個脊狀的氮化物半導體層的底面的寬度為L寬度，所述凹部的底面的寬度為S寬度時，S寬度／(L寬度+S寬度)的值為0.6以上且小于1。

12.根據權利要求1～11中任一項所述的氮化物半導體層生長用結構，其中，

在所述多個脊狀的氮化物半導體層的上表面未設置掩模。

13.根據權利要求11所述的氮化物半導體層生長用結構，其中，

所述L寬度為0.1μm以上且10μm以下，所述S寬度為0.15μm以上且30μm以下，S寬度／(L寬度+S寬度)的值為0.6以上且0.996以下。