[發明專利]用于控制處理系統的方法與設備有效
| 申請號: | 201280008431.1 | 申請日: | 2012-02-06 |
| 公開(公告)號: | CN103370767B | 公開(公告)日: | 2016-10-12 |
| 發明(設計)人: | 尤塞夫·A·羅德杰;杰伊·J·榮格;梅蘭·莫萊姆;保羅·E·費舍爾;喬舒亞·普茨;安德烈亞斯·諾伊貝爾 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 控制 處理 系統 方法 設備 | ||
1.一種控制處理系統的方法,所述方法包含以下步驟:
以第一基線泵空轉速度操作真空泵,所述真空泵耦接至處理腔室,所述第一基線泵空轉速度經選擇以將所述處理腔室的壓力維持在等于第一基線泵空轉壓力;
在以所述第一基線泵空轉速度操作所述真空泵時,監控所述處理腔室中的所述壓力;以及
確定當以所述第一基線泵空轉速度操作所述真空泵時,是否能在所述處理腔室中維持所述第一基線泵空轉壓力。
2.如權利要求1所述的方法,其中操作所述真空泵的步驟進一步包含以下步驟:當無氣體流動于所述處理腔室中時,以所述第一基線泵空轉速度操作所述真空泵。
3.如權利要求1所述的方法,所述方法進一步包含以下步驟:
在監控所述處理腔室中的壓力不同于所述第一基線泵空轉壓力之后,將所述真空泵的所述泵速度調節至第二泵空轉速度,以將所述處理腔室維持在所述第一基線泵空轉壓力;以及
確定所述第二泵空轉速度是否在所述第一基線泵空轉速度的預定公差內。
4.如權利要求3所述的方法,所述方法進一步包含以下步驟:
在確定所述第二泵空轉速度在所述第一基線泵空轉速度的預定公差內之后,使或允許所述處理系統進入執行模式或產生信號,所述信號指示所述處理系統能進入所述執行模式。
5.如權利要求3所述的方法,所述方法進一步包含以下步驟:
通過開啟閥來確定所述真空泵的所述第一基線泵空轉速度,所述閥將所述處理腔室與耦接至所述真空泵的排氣線分離;在所述閥開啟時確定所述處理腔室中的壓力等于所述第一基線泵空轉壓力;且確定所述真空泵的足以維持所述第一基線泵空轉壓力的最低泵速度,其中所述最低泵速度為所述第一基線泵空轉速度。
6.如權利要求5所述的方法,所述方法進一步包含以下步驟:
當分離所述處理腔室與所述排氣線的閥關閉時確定所述真空泵的第二基線泵空轉速度,所述第二基線泵空轉速度經選擇以將排氣線的壓力維持在等于第二基線泵空轉壓力,所述排氣線將所述真空泵耦接至所述處理腔室。
7.如權利要求6所述的方法,其中確定所述第二基線泵空轉速度的步驟進一步包含以下步驟:
關閉所述閥以將所述排氣線與所述處理腔室隔離;
在所述閥關閉時確定所述排氣線中的壓力等于所述第二基線泵空轉壓力;以及
確定足以維持所述第二基線泵空轉壓力的所述最低泵速度,其中所述最低泵速度為所述第二基線泵空轉速度。
8.如權利要求6所述的方法,所述方法進一步包含以下步驟:
在確定所述第二泵空轉速度不在所述第一基線泵空轉速度的預定公差內之后,產生系統警報。
9.如權利要求8所述的方法,所述方法進一步包含以下步驟:
在確定所述第二泵速度不在所述第一基線泵空轉速度的預定公差內之后關閉所述閥;
以所述第二基線泵空轉速度操作所述真空泵,所述第二基線泵空轉速度經選擇以將所述排氣線維持在所述第二基線泵空轉壓力;
在無氣體流入所述處理腔室中時,在所述閥關閉的情況下監控所述排氣線內的所述壓力;以及
確定當以所述第二基線泵空轉速度操作所述真空泵時,是否能在所述排氣線中維持所述第二基線泵空轉壓力。
10.如權利要求9所述的方法,所述方法進一步包含以下步驟:
在監控所述排氣線中的壓力不同于所述第二基線泵空轉壓力之后,將所述真空泵的所述泵速度調節至第三泵空轉速度,以將所述排氣線維持在所述第二基線泵空轉壓力;以及
確定所述第三泵空轉速度是否在所述第二基線泵空轉速度的預定公差內。
11.一種計算機可讀取媒體,所述計算機可讀取媒體上儲存有指令,所述指令在執行時使控制處理系統的方法得以執行,所述方法包含如權利要求1至10所述的方法中的任一個。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





