[發(fā)明專利]基底基板、氮化鎵晶體層疊基板及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280008017.0
• 申請(qǐng)日: 2012-03-02
• 公開（公告）號(hào): CN103348044A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 古家大士;東正信;只友一行;岡田成仁
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社德山;國(guó)立大學(xué)法人山口大學(xué)
• 主分類號(hào): C30B29/38
• 分類號(hào): C30B29/38;C23C16/34;C30B25/18;H01S5/323
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種氮化鎵晶體層疊基板，其特征在于，其包含藍(lán)寶石基底基板、及通過(guò)在該基板上結(jié)晶生長(zhǎng)而形成的氮化鎵晶體層，該氮化鎵晶體層以形成在藍(lán)寶石基底基板主面的多個(gè)槽部的側(cè)壁為起點(diǎn)進(jìn)行橫向結(jié)晶生長(zhǎng)，從而該氮化鎵晶體層的表面平行于該主面地形成，且該氮化鎵晶體的暗點(diǎn)密度小于2×10⁸個(gè)/cm²。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化鎵晶體層疊基板，其特征在于，氮化鎵晶體的暗點(diǎn)密度為1.4×10⁸個(gè)/cm²以下。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氮化鎵晶體層疊基板，其特征在于，氮化鎵晶體層是包含具有非極化面取向或半極化面取向的表面的氮化鎵晶體層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3的任一項(xiàng)所述的氮化鎵晶體層疊基板，其特征在于，作為橫向結(jié)晶生長(zhǎng)的起點(diǎn)的側(cè)壁是藍(lán)寶石單晶的c面。

5.一種氮化鎵晶體層疊基板的制造方法，其特征在于，該方法在藍(lán)寶石基底基板上形成多個(gè)具有相對(duì)于該基底基板主面傾斜的側(cè)壁的槽部，以該槽部的側(cè)壁為起點(diǎn)選擇性地橫向生長(zhǎng)氮化鎵晶體，其中，

將所述側(cè)壁中用于生長(zhǎng)氮化鎵晶體的區(qū)域的寬度（d）設(shè)定為10～750nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的氮化鎵晶體層疊基板的制造方法，其特征在于，用于生長(zhǎng)氮化鎵晶體的區(qū)域的寬度（d）為100～200nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的氮化鎵晶體層疊基板的制造方法，其特征在于，作為橫向結(jié)晶生長(zhǎng)的起點(diǎn)的側(cè)壁是藍(lán)寶石單晶的c面。

8.一種晶體層疊基板制造用藍(lán)寶石基底基板，其特征在于，其在藍(lán)寶石基底基板上有多個(gè)具有相對(duì)于該基底基板主面傾斜的側(cè)壁的槽部，且該槽部的側(cè)壁中用于選擇性地生長(zhǎng)氮化鎵晶體的區(qū)域的寬度（d）被設(shè)定為10～750nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶體層疊基板制造用藍(lán)寶石基底基板，其特征在于，用于生長(zhǎng)氮化鎵晶體的區(qū)域的寬度（d）為100～200nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的晶體層疊基板制造用藍(lán)寶石基底基板，其特征在于，作為橫向結(jié)晶生長(zhǎng)的起點(diǎn)的側(cè)壁是藍(lán)寶石單晶的c面。