[發(fā)明專利]光伏裝置及其制造方法、光伏模塊

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280007788.8
• 申請日: 2012-03-02
• 公開（公告）號: CN103370795A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 濱本哲
• 申請（專利權(quán)）人: 三菱電機(jī)株式會社
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 于麗

1.一種光伏裝置，其特征在于，具備：

第1導(dǎo)電類型的硅基板，在一面?zhèn)染哂袛U(kuò)散有第2導(dǎo)電類型的雜質(zhì)元素的雜質(zhì)擴(kuò)散層；

受光面?zhèn)入姌O，具有與所述雜質(zhì)擴(kuò)散層電連接并且在所述硅基板的一面?zhèn)雀糸_一定間隔并列配置的多根柵格電極；以及

背面?zhèn)入姌O，形成于所述硅基板的另一面?zhèn)龋?/p>

所述雜質(zhì)擴(kuò)散層具有以第1濃度包含所述雜質(zhì)元素的第1雜質(zhì)擴(kuò)散層、和以比所述第1濃度低的第2濃度包含所述雜質(zhì)元素的第2雜質(zhì)擴(kuò)散層，

對于所述第1雜質(zhì)擴(kuò)散層，將在所述硅基板的一面?zhèn)扰c所述受光面?zhèn)入姌O的柵格電極的長度方向垂直的方向設(shè)為長度方向，并且所述第1雜質(zhì)擴(kuò)散層相對帶狀區(qū)域的面積比率是50%以下，其中將所述第1雜質(zhì)擴(kuò)散層中的與所述柵格電極的長度方向平行的方向的最大寬度設(shè)為所述帶狀區(qū)域的均等寬度，并且所述帶狀區(qū)域的長度方向的長度與所述第1雜質(zhì)擴(kuò)散層的長度方向的長度相同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏裝置，其特征在于，

所述第1雜質(zhì)擴(kuò)散層在長度方向上具有斷續(xù)的圖案。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光伏裝置，其特征在于，

所述斷續(xù)的圖案中的各個第1雜質(zhì)擴(kuò)散層的長邊的長度在短邊的長度的1以上5以下的范圍。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光伏裝置，其特征在于，

所述斷續(xù)的圖案中的各個第1雜質(zhì)擴(kuò)散層在所述硅基板的面方向上其長度方向與所述柵格電極的長度方向以接近垂直的角度交叉，

與所述柵格電極的長度方向正好垂直的方向與所述各第1雜質(zhì)擴(kuò)散層的長度方向的誤差角度θ的正切（tanθ）的絕對值在所述各第1雜質(zhì)擴(kuò)散層中的短邊的長度相對長邊的長度的比率以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光伏裝置，其特征在于，

所述第1雜質(zhì)擴(kuò)散層在所述硅基板的面方向上在所述第1雜質(zhì)擴(kuò)散層的長度方向上連續(xù)地形成，而所述第1雜質(zhì)擴(kuò)散層的長度方向與所述柵格電極的長度方向以接近垂直的角度交叉，

與所述柵格電極的長度方向正好垂直的方向與所述第1雜質(zhì)擴(kuò)散層的長度方向的誤差角度θ的正切（tanθ）的絕對值在所述第1雜質(zhì)擴(kuò)散層中的所述柵格電極的長度方向的最大寬度相對所述柵格電極之間的間隔的1/2的比率以下。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任意一項所述的光伏裝置，其特征在于，

在將所述第1雜質(zhì)擴(kuò)散層的方阻值設(shè)為R₁、將所述第2雜質(zhì)擴(kuò)散層的方阻值設(shè)為R₂、將所述第1雜質(zhì)擴(kuò)散層相對所述雜質(zhì)擴(kuò)散層的整個面的面積比率設(shè)為r時，滿足下述公式（1），

[式1]

R1(R2-70)70(R2-R1)≤r≤R1(R2-50)50(R2-R1)···(1).]]>