[發(fā)明專(zhuān)利]用于通過(guò)利用氣態(tài)熔劑介質(zhì)激光焊接對(duì)兩個(gè)襯底的連接面進(jìn)行電接觸的方法和設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201280007342.5 | 申請(qǐng)日: | 2012-01-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103477424A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-12-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 加西姆·阿茲達(dá)什 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 派克泰克封裝技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/60 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/60;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 張春水;田軍鋒 |
| 地址: | 德國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 德國(guó);DE |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 通過(guò) 利用 氣態(tài) 熔劑 介質(zhì) 激光 焊接 兩個(gè) 襯底 連接 進(jìn)行 接觸 方法 設(shè)備 | ||
1.一種用于使兩個(gè)襯底(6、7)的連接面進(jìn)行電接觸的方法,其中第一襯底(6)借助于其朝向第二襯底(7)的所述連接面直接與所述第二襯底(7)的所述連接面電連接和機(jī)械連接,并且所述第一襯底(6)的所述連接面設(shè)有焊劑涂層(10),并且其中,方法過(guò)程以兩個(gè)連續(xù)的階段進(jìn)行,所述方法過(guò)程具有第一階段,其中,
-將所述第一襯底(6)借助于其連接面相對(duì)于所述第二襯底(7)的所述連接面定位,并且
-用激光能(5)從背面加載所述第一襯底(6),使得焊劑(10)至少熔融到能夠?qū)⑺龅谝灰r底(6)機(jī)械地固定在所述第二襯底(7)上,以及實(shí)現(xiàn)彼此相向的所述連接面的電接觸;
并且具有第二階段,其中
-在殼體內(nèi)腔中實(shí)現(xiàn)用熔劑介質(zhì)加載由所述襯底(6、7)構(gòu)成的器件裝置,
-同時(shí)通過(guò)用激光能(5)從背面加載所述第一襯底(6)來(lái)實(shí)現(xiàn)所述焊料(10)的再次熔融,并且
-緊接著實(shí)施所述殼體內(nèi)腔的吹掃過(guò)程。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,
其特征在于,
所述熔劑介質(zhì)具有氣態(tài)狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,
其特征在于,
所述氣態(tài)的熔劑介質(zhì)由氮?dú)?甲酸混合物構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,
其特征在于,
為了在所述殼體內(nèi)腔之外形成氣態(tài)的所述熔劑介質(zhì),將氮?dú)饬髟诩姿岢氐谋砻嬷弦龑?dǎo),以至于在加載所述器件裝置之前,所夾帶的甲酸蒸汽與所述氮?dú)饣旌稀?!-- SIPO
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4之一所述的方法,
其特征在于,
借助于純的保護(hù)氣體流實(shí)施所述吹掃過(guò)程。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,
其特征在于,
所述純的保護(hù)氣體流是氮?dú)饬鳌?/p>
7.一種用于實(shí)施根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法的第二階段的設(shè)備,所述設(shè)備具有:用于支承由所述襯底(6、7)構(gòu)成的器件裝置的載體臺(tái)(1);包圍所述器件裝置并且與所述載體臺(tái)(1)的上側(cè)共同形成殼體內(nèi)腔的殼體(3),所述器件裝置定位在所述殼體內(nèi)腔中;以及激光光源(5),所述激光光源定向?yàn)椋沟眉す馐鴱谋硞?cè)射到所述第一襯底(6)上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備,
其特征在于,
所述殼體(3)相對(duì)于所述載體臺(tái)(1)的所述上側(cè)設(shè)有環(huán)形的密封件(2)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的設(shè)備,
其特征在于,
所述殼體(3)具有能夠?qū)崿F(xiàn)使所述殼體內(nèi)腔被熔劑介質(zhì)或吹掃介質(zhì)穿流的入流口(8)和出流口(9)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7至9之一所述的設(shè)備,
其特征在于,
所述殼體(3)的基本上平行于所述第一襯底(6)的背側(cè)設(shè)置的殼體壁(4)構(gòu)成為透明的板(4),以便能夠?qū)崿F(xiàn)用激光能(5)從背面加載所述第一襯底(6)。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于派克泰克封裝技術(shù)有限公司,未經(jīng)派克泰克封裝技術(shù)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201280007342.5/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 上一篇:光電二極管及其制造方法
- 下一篇:連續(xù)的換位導(dǎo)線
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





