[發明專利]半導體裝置的制造方法以及半導體裝置

有效

• 申請號: 201280005993.0
• 申請日: 2012-11-28
• 公開（公告）號: CN103518254A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 小笠原淳;伊東浩二;伊藤一彥;六鎗広野
• 申請（專利權）人: 新電元工業株式會社
• 主分類號: H01L21/316
• 分類號: H01L21/316;C03C3/093;H01L29/74;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868
• 代理公司: 上海德昭知識產權代理有限公司 31204
• 代理人: 郁旦蓉

1.一種半導體裝置的制造方法，依次包含：

第一工序，準備具有pn結露出的pn結露出部的半導體元件；

第二工序，形成覆蓋所述pn結露出部的絕緣層；以及

第三工序，在所述絕緣層上形成由半導體接合保護用玻璃復合物構成的層后，通過燒制由該半導體接合保護用玻璃復合物構成的層，在所述絕緣層上形成玻璃層，其特征在于：

其中，所述半導體接合保護用玻璃復合物由玻璃微粒構成，該玻璃微粒是從原料熔化后所得的熔液而制成的，所述原料至少含有SiO₂、Al₂O₃、B₂O₃、ZnO、以及含有CaO，MgO和BaO中至少兩種堿土金屬的氧化物，且實質上不含有Pb、As、Sb、Li、Na、K，并且半導體接合保護用玻璃復合物不含有所述原料中的任何一種成分作為填充物。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

其中，所述半導體接合保護用玻璃復合物的

SiO₂的含量在41.1mol%～61.1mol%的范圍內，

Al₂O₃的含量在7.4mol%～17.4mol%的范圍內，

B₂O₃的含量在5.8mol%～15.8mol%的范圍內，

ZnO的含量在3.0mol%～24.8mol%的范圍內，

堿土金屬的氧化物的含量在5.5mol%～15.5mol%的范圍內。

3.根據權利要求1所述的半導體接合保護用玻璃復合物，其特征在于：

其中，所述半導體接合保護用玻璃復合物的

SiO₂的含量在49.5mol%～64.3mol%的范圍內，

B₂O₃的含量在8.4mol%～17.9mol%的范圍內，

Al₂O₃的含量在3.7mol%～14.8mol%的范圍內，

ZnO的含量在3.9mol%～14.2mol%的范圍內，

堿土金屬的氧化物的含量在7.4mol%～12.9mol%的范圍內。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

其中，所述半導體接合保護用玻璃復合物實質上不含有作為脫泡劑的多價元素。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

其中，所述多價元素包括V、Mn、Sn、Ce、Nb以及Ta。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

其中，所述原料實質上不含有P。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

其中，所述原料實質上不含有Bi。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

其中，所述半導體接合保護用玻璃復合物不含有有機粘結劑。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

其中，在所述第三工序中，在900℃以下的溫度下燒制由所述半導體接合保護用玻璃復合物構成的層。

10.根據權利要求1～9中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

其中，所述絕緣層由硅氧化物構成。

11.根據權利要求1～10中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

其中，在所述第二工序中，使所述絕緣層形成為厚度在5nm～100nm的范圍內。

12.根據權利要求1～10中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

其中，在所述第三工序中，使用電泳法來形成由所述玻璃復合物構成的層。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于：

其中，在所述第二工序中，使所述絕緣層形成為厚度在5nm～60nm的范圍內。